КАТУШКА С МАГНИТОПРОВОДОМ В ЦЕПИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА 5 страница



Рис. 2.1

дуктивиости с магнитопроводом (сердечником) из ферромагнитно­го материала.

Условные графические изображения катушек индуктивности при­ведены в табл. 2.1.

а

в

б

Если значение тока в витках катушки изменяется (увеличивает­ся или уменьшается), то изменяется и собственное потокосцепле- ние. При изменении потокосцепления в витках катушки согласно

Таблица 2.1

Условные графические изображения катушек индуктивности

и конденсаторов

Наименование Условное изображение
Катушка индуктивности (реактор): без магнитопровода  
с магнитопроводом  
саморегулирующаяся нелинейно, например в зависимости от параметра Я  
Конденсатор: постоянной емкости —II—
электролитический -qp^-
переменной емкости  
саморегулирующийся нелинейно, например в зависимости от параметра П IF*-

закону электромагнитной индукции индуктируется ЭДС самоиндук­ции eL. Положительное направление ЭДС самоиндукции чаще вы­бирают совпадающим с направлением вращения рукоятки буравчи­ка, ввинчивающегося по направлению магнитных линий, и с выб­ранным положительным направлением тока (см. рис. 2.1, а и б). Эта ЭДС по определению равна

eL= ~(№/dt,                        (2.2а)

или с учетом (2.1)

eL= —Ldijdt.                       (2.26)

Из (2.2) следует, что действительное направление ЭДС самоин­дукции в данный момент времени может отличаться от выбранного положительного направления и определяется знаком производной тока по времени.

Нетрудно видеть, что ЭДС самоиндукции всегда препятствует из­менению тока (правило Ленца).

Для того чтобы в катушке индуктивности без потерь был пере­менный ток, между ее выводами должно быть напряжение, равное по абсолютному значению и в каждый момент времени противопо­ложное по направлению ЭДС самоиндукции (рис. 2.1, в):

иаъ — ul — ~еь — LdiL/dt = d^/dt.                 (2.3)

Основная единица потокосцепления и магнитного потока в СИ — вебер (Вб), 1 Вб = 1 В с; индуктивности — генри (Гн), 1 Гн = Вб/А = = 1 В-с/А.

Так как электрическому току всегда сопутствует магнитное поле, параметром каждой части электротехнического устройства с током должна быть индуктивность.

Линейный индуктивный элемент является составляющей схемы замещения любой части электротехнического устройства, в которой собственное потокосцепление пропорционально току. Его парамет­ром служит индуктивностьL= const.

Если зависимость собственного потокосцепления от тока нели­нейна, то и схема замещения содержит нелинейный индуктивный эле­мент, который задается нелинейной ве- бер-амперной характеристикой Ф(г£).

На рис. 2.2 приведены вебер-амперные характеристики линейного (прямая а) и нелинейного (кривая б) индуктивных элементов, а также условные обозначе­ния таких элементов в схемах замещения.

Если за время txток в индуктивном элементе изменится от нуля до iLbто в магнитном поле элемента (см. рис. 2.1, в) Рис. 2.2            будет запасена энергия


к


 

о


 



или с учетом (2.3)


 



(2.4)

о

Wm= f kdt= f iLL{iL)dt>

о


 



где Ф! — значение собственного потокосцепления при токеiL= iLl (см. рис. 2.2).

Как следует из (2.4), энергия, запасенная в магнитном поле индук­тивного элемента при токе %ь пропорциональна площади, заключенной между вебер-амперной характеристикой и осью ординат (см. рис. 2.2, где заштрихована площадь, пропорциональная энергии магнитного поля нелинейного индуктивного элемента при токеiL1).

Из (2.4) с учетом (2.1) следует, что энергия магнитного поля ли­нейного индуктивного элемента при токеiL


 

(2.5)

При увеличении (уменьшении) тока энергия магнитного поля ин­дуктивных элементов увеличивается (уменьшается). Следователь­но, индуктивные элементы можно рассматривать как аккумулято­ры энергии.

2.4. Емкостный элемент

Между различными частями электротехнических устройств су­ществует электрическое поле электрических зарядов, находящихся на этих частях устройств. В некоторых электрических устройствах, например в изоляторах, конденсаторах и т.д., возникают достаточно сильные электрические поля.

На рис. 2.3, а изображен простейший плоский конденсатор с дву­мя параллельными обкладками площадью 5, которые находятся в вакууме на расстоянииdдруг от друга. Если между верхней и ниж­ней обкладками конденсатора приложить напряжение иаЪ> 0, то на верхней и нижней обкладках конденсатора накопятся одинаковые положительный и отрицательный заряды±q, которые называют сво­бодными.

(2.6)

Между обкладками плоского конденсатора электрическое поле будет однородным (если не учитывать краевого эффекта) с напря­женностью

Е = uab/d = q/zvS, где е0 = 8,854-10~12 Ф/м — электрическая постоянная.


Кь = гс | _ ++++++Н-+++++ +

гаЬ = гС

Оа

-А*-

------


______

|Е 9С вяз

=          =F

~1"9свяэ + + + + + +

1

J(E \uab = uc>0


 



Рис. 2.3

Накопленный (в конденсаторе) зарядqпропорционален прило­женному напряжению иаЬ = ис:

Я = Cuab= СиСу                               (2.7)

где коэффициент пропорциональности С называется емкостью кон­денсатора.

Сравнивая соотношения (2.6) и (2.7), получим выражение для емкости плоского вакуумного конденсатора:

С = E0S/d.

Для увеличения емкости плоского конденсатора пространство между обкладками заполняется диэлектриком (рис. 2.3, б).

Под действием электрического поля хаотически ориентированные в пространстве дипольные молекулы диэлектрика приобретают пре­имущественное направление ориентации. При этом внутри однород­ного диэлектрика положительные и отрицательные заряды диполь- ных молекул компенсируют друг друга, а на границах с обкладками плоского конденсатора остаются нескомпенсированные слои связан­ных зарядов дсвяз. На границе с обкладкой, заряженной положитель­но, располагается слой отрицательных связанных зарядов, а на гра­нице с обкладкой, заряженной отрицательно, — слой положительных связанных зарядов. Наличие связанных зарядов уменьшает напряжен­ность Е' электрического поля внутри конденсатора:

Е' = uab/d = (q- qCB*3)/(s0S).

Отсюда следует, что при той же напряженности электрического поля, а следовательно, и напряжении иаЬ = ис зарядqдолжен быть больше. Поэтому увеличится, как следует из (2.7), и емкость плос­кого конденсатора по сравнению с емкостью такого же вакуумного конденсатора:

С = ere0S/d,                                 (2.8)

где ег — относительная диэлектрическая проницаемость заполняю­щего конденсатор диэлектрика (безразмерная величина).

Произведение относительной диэлект- q рической проницаемости егна электричес- кую постоянную е0 называется абсолют­ной диэлектрической проницаемостью: ft

£а = ^о-               (2.9)

В табл. 2.2 приведены значения па­раметров некоторых диэлектриков, в 0 табл. 2.1 — условные графические изоб­ражения конденсаторов.

Основная единица емкости в СИ — фарад (Ф), 1 Ф = 1 Кл/В = = 1 Ас/В.

Таблица 2.2

Диэлектрическая проницаемость (относительная), электрическая прочность и удельное объемное сопротивление некоторых материалов

Вещество   Е*, МВ/м pv, Ом м
Трансформаторное масло 2,1-2,4 15-20 1012-1013
Совол 4,8-5 14-18 ю11—ю13
Вазелин 2,2-2,6 20-25 5-Ю12—1013
Полиэтилен 2,2-2,4 35-60 ю13— ю15
Лавсан 3-3,5 80-120 1014-1016
Поливинилхлорид (пластикаты) 6-8 6-15 ю1012
Парафин 2-2,2 22-32 1014-1016
Эбонит 3-3,5 15-20 1012-1014
Гетинакс 6-8 20-40 109-10п
Слюда (мусковит) 6,5-7,2 98-175 1012-1013
Мрамор 8-9 1-4 107-108
Шифер 6-8 0,5-1,5 106-107
Асбестоцемент 6-8 2-3 106-107

* Электрическая прочность всех материалов указана для действующего значе­ния синусоидального напряжения.

 

Так как электрическое поле всегда существует между различны­ми деталями электротехнических устройств, находящихся под на­пряжением, между этими деталями есть емкость.

Линейный емкостный элемент является составляющей схемы за­мещения любой части электротехнического устройства, если значе­ние заряда пропорционально напряжению. Его параметром служит емкость С = const.

Если заряд не пропорционален напряжению, то схема замеще­ния содержит нелинейный емкостный элемент, который задается не­линейной кулон-вольтной характеристикой q(uc).

На рис. 2.4 приведены кулон-вольтные характеристики линей­ного (линия а) и нелинейного (линия б) емкостных элементов, а также условные обозначения таких элементов на схемах замеще­ния.

Если напряжение, приложенное к емкостному элементу, изменя­ется (увеличивается или уменьшается), то изменяется и заряд, т.е. в емкостном элементе есть ток. Положительное направление тока в емкостном элементе выберем совпадающим с положительным на­правлением приложенного к нему напряжения (рис. 2.3, в). По оп­ределению ток равен скорости изменения заряда:

гаь=гс=dq/dt              (2.10)

В линейном емкостном элементе с учетом (2.7) ток

гс — Cduc/dt.                          (2.11)

Если за время txнапряжение на емкостном элементе изменится от нуля до исъ то в электрическом поле элемента будет накоплена энергия

h

W3=J icucdt,

о

или с учетом (2.10)

Я1                       иС1

Wb= fucdQ = f ucC(uc)duc,                     (2.12)

о               0

гдеqx— свободный заряд при напряжении ис = иС1 (рис. 2.4).

Как следует из (2.12), энергия, запасенная в электрическом поле емкостного элемента при напряженииuClпропорциональна соответ­ствующей площади, заключенной между кулон-вольтной характе­ристикой и осью ординат (рис. 2.4, где заштрихована площадь, про­порциональная энергии электрического поля нелинейного емкост­ного элемента при напряжении иС1).

Из (2.12) с учетом (2.7) следует, что энергия электрического поля линейного емкостного элемента при напряжении ис


Wa=Cu%/2 = quc/2.

Емкостные элементы можно, как и индуктивные элементы, рас­сматривать в качестве аккумуляторов энергии.

2.5. Источники электрической энергии синусоидального тока

Промышленными источниками синусоидального тока являются электромеханические генераторы, в которых механическая энергия паровых или гидравлических турбин преобразуется в электричес­кую. Конструкция и работа промышленных электромеханических генераторов будут подробно рассмотрены в дальнейшем. Здесь ог­раничимся лишь анализом принципа работы такого генератора при упрощающих допущениях. Принципиальная конструкция двухпо­люсного электромеханического генератора изображена на рис. 2.5, а. Она содержит неподвижный, плоский разомкнутый виток с выво­дами а иbи постоянный магнит, который вращается с постоянной частотой /, т. е. с постоянной угловой скоростью и> = 2-к/, рад/с, внут­ри витка.

(2.13)

Основная единица частоты в СИ — герц (Гц), 1 Гц = 1 с-1. Величи­на, обратная частоте, называется периодом — Т— 1//, с.

в

б

а

Пусть магнитный поток постоянного магнита равен Фш. Из про­странственного распределения магнитного потока (рис. 2.5, б) сле­дует, что мгновенное значение составляющей магнитного потока, пронизывающей виток, т. е. направленной вдоль оси х, равно

Фх = <$>mcos(ut + а) = Фто8т(ш4 + я|)ф),         (2.14)

где Фш — максимальное значение (амплитуда) магнитного потока, пронизывающего виток; а — начальный (т. е. в моментt= 0 приня­тый за начало отсчета времени) угол пространственного располо­жения постоянного магнита относительно оси х; фф = -к/2 + а — начальная фаза магнитного потока; + 'фф — фаза магнитного по­
тока. Здесь и в дальнейшем начальная фаза определяет значение си­нусоидальной функции в момент времениt = 0.

Согласно закону электромагнитной индукции при изменении по- токосцепления витка в нем индуктируется ЭДС, положительное на­правление которой (рис. 2.5, а) связывают с положительным направ­лением потока Фх правилом буравчика (положительное направле­ние ЭДС совпадает с направлением вращения рукоятки буравчика, ввинчивающегося в направлении магнитного потока Фх):

е = -d$x/dt= -<I>mu>cos(u^ + *фф) =Emsm(ut+ i|je), (2.15)

где Ет = оо Фш — амплитуда ЭДС; г|;е = г|;ф — тг/2 = а — начальная фаза ЭДС.

На рис. 2.6 изображены зависимости магнитного потока Фх = Фх(и;£) и ЭДС е = е(иЛ) от фазы uit,т.е. от времениt.Заметим, что синусои­дальные величины принято изображать графиками в виде зависи­мостей от wt. Поэтому начальная фаза определяет смещение синусо­идальной величины относительно начала координат, т.е. u>t= 0. Начальная фаза отсчитывается вдоль оси абсцисс от ближайшего к началу координат нулевого значения синусоидальной величины при ее переходе от отрицательных значений к положительным до нача­ла координат. Если начальная фаза больше (меньше) нуля, то нача­ло синусоидальной величины сдвинуто влево, как на рис. 2.6 (впра­во), от начала координат.

Если к выводам а иbгенератора подключить резистор с сопро­тивлением нагрузкиRH(рис. 2.5, а), то в полученной цепи возникает синусоидальный ток г.

На рис. 2.5, в приведена схема замещения электромеханического генератора, в которой резистивныйRBTи индуктивныйLBTэлемен­ты отображают внутренние параметры генератора: сопротивление проводов и индуктивность витка.

Если параметрами резистивного и индуктивного элементов в схе­ме замещения генератора можно при расчете в цепи пренебречь, то его схемой замещения будет идеальный источник синусоидальной ЭДС или источник синусоидального напряжения (рис. 2.7, а). Если


 



Рис. 2.6


 

б

а

Рис. 2.7


ток в цепи генератора не зависит от параметров внешней цепи, то схемой замещения генератора будет идеальный источник синусои­дального тока J(t) (рис. 2.7, б)> гдеJ(t)= 4 — ток генератора при коротком замыкании его выводов а и Ь.


Дата добавления: 2018-02-28; просмотров: 364; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!