Схема получения p – канального МОП – транзистора
1. В качестве заготовки берется n–Si пластина с окисленной поверхностью.
2. Выполняется первая ФЛ для вскрытия окон под области C и И.
3. Локальная загонка примесей p–типа в поверхностную область будущих С и И, например методом ионного легирования.
4. Окисление и одновременная разгонка примеси.
5. ФЛ и вскрытие окон для удаления окисла с подзатворных областей.
6. Формирование подзатворного диэлектрика – выполняется окисление в сухом кислороде. При этом происходит дополнительная разгонка примеси в областях Си И
7. ФЛ для вскрытия окон под контакты С и И.
8. Нанесение пленки Al, ФЛ для создания рисунка разводки.
9. Нанесение пассивирующего (защитного) слоя фосфороселикатного стекла с последующим вскрытием окон под контактные площадки и области скрайбирования.
Если ИМС содержит транзисторы обоих типов, то это позволяет на 2-3 порядка снизить мощность устройств в статическом режиме, что очень важно для систем с ограниченным ресурсом питания. Такие структуры называются комплементарными МОП-приборами, или структурами на дополняющих МОП – транзисторах (КМОП – ИМС).
Транзисторы с n и p – каналами соединены в балансную схему 
р – канальный транзистор n – канальный транзистор
Технология КМОП ИМС более сложная, т.к. появляется дополнительная операция получения p – области, но имеются области применения, где благодаря малой рассеиваемой мощности, их функциональные возможности оправдывают более высокую стоимость.
|
|
|
Достоинства: низкая потребляемая мощность; некритичность к стабильности 
.
Технологические исследования ведут в направлении уменьшения длины канала для увеличения быстродействия.
Основной недостаток: не идеальная изоляция структур. Полная изоляция достигается при формировании их в виде островков на монокристаллической диэлектрической пластине. В качестве такой используют монокристаллический синтетический сапфир 
. Сапфир имеет хорошее кристаллографическое сопряжение с Si. Si выращивают на сапфире методом гетероэпитаксии.
Получается структура: кремний на сапфире (КНС).
На Si создается сплошной высокоомный слой n – Si. Эпитаксиальный Si имеет высокую плотность дислокации, что снижает подвижность носителей. Поэтому биполярные структуры КНС оказались не эффективными. Наибольшее применение нашли МОП-КНС – структуры и КМОП-КНС структуры. Ониоказались более устойчивы к температурным и радиационными воздействиям.
В качестве исходной заготовки используются выпускаемые специальными предприятиями пластины КНС, с ориентацией кремния 
и толщиной 0,6; 0,8; 1,2 мм.
|
|
|
Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 288; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!