Методика измерения и экспериментальные установки



Изучение термо-ЭДС проводится на монокристаллических образцах германия в диапазоне от 20 до 310 . Кристаллодержатель состоит из двух за жимов 1 и 2 (рис. 1). Один из зажимов нагревается с помощью нагревателя 3.


Вся эта система окружается печью для получения необходимой температуры образца. Температуры  и  служат для измерения температуры холодного и горячего конца образца.

С помощью переключателя к потенциометру поочередно можно подвести выводы от термопар  и  и от их одинаковых ветвей. В последнем случае измеряется термо-ЭДС полупроводника.

Задание

3. Измерить  при температуре, близкой к комнатной. В этом случае включается только нагреватель 3.

Перед измерением необходимо ознакомиться с работой потенциометра Р307. После установления температуры, т.е. спустя 10-15 минут после подачи напряжения к нагревателю, можно приступить к измерениям.

Измерить ЭДС термопар Т1 и Т2 и по таблице найти соответствующие температуры (термопара – нихром-констонтан).

.

Переключатель в 3-м положении дает термо-ЭДС. Тогда

.

Для измерений термо-ЭДС при повышенных температурах включается внешняя печь от автотрансформатора. Все описанные операции для пункта 1 проделать при напряжении от автотрансформатора: 12, 14, 16, 18, 20, 22 В. Проводить измерения лишь спустя 10-15 минут с момента подачи напряжения.

2. Построить график зависимости термо-ЭДС от температуры .

Для термопары нихром-констонтан 4,7 мВ соответствует 100 . Необходимо учитывать температуру холодного спая. Перевод напряжения термопары в градусы осуществляется по формуле

,

где  – комнатная температура,  – напряжение термопары в мВ.


Лабораторная работа № 4

Измерение оптических параметров

Полупроводников и диэлектриков

Цель работы: измерение толщины и оптических постоянных пленки и подложки отражающей системы двуокись кремния-кремний эллипсометрическим способом.

Теоретические сведения

Комплексный показатель преломления и комплексный показатель поглощения

В основе оптических явлений в полупроводниках лежит взаимодействие электромагнитного излучения со связанными и свободными носителями заряда, атомами кристаллической решётки, примесными атомами, электронно-дырочной плазмой. Поэтому оптические явления включают широкий круг процессов, протекающих в полупроводниковых кристаллах под действием электромагнитного излучения в интервале длин волн от 0,2 до 100 мкм.

Экспериментально измеряемыми параметрами, характеризующими взаимодействие света с веществом, являются коэффициент отражения R и коэффициент пропускания T.

Коэффициент отражения R( ) определяет долю отраженного от поверхности кристалла света. Если на образец падает световой поток монохроматического излучения с длиной волны интенсивностью , а интенсивность отражённого светового потока , то коэффициент отражения

.                                                                     (1)

Зависимость коэффициента отражения от длины волны называют спектром отражения.

Коэффициент пропускания  характеризует долю прошедшего через образец света :

= .                                                                      (2)

Зависимость коэффициента пропускания от длины волны называют спектром пропускания.

 Коэффициенты отражения и пропускания, определяемые отношениями амплитуд напряженностей электрических полей отраженного от поверхности кристалла Er и прошедшего через негоEt света к падающему E0 :

R ( ) = Er ( ) / E0 ( ),                                                                       (3)

 

T ( ) = Et ( ) / E0 ( )                                                                       (4)

называют амплитудными.

Коэффициенты отражения и пропускания являются безразмерными величинами и часто выражаются в процентах.

В соответствии с законом поглощения света Бугера-Ламберта интенсивность светового потока  на расстоянии х от освещённой поверхности полубесконечного образца выражается через коэффициент поглощения :

                                                               (5)

Коэффициент поглощения  имеет размерность обратной длины (см-1). Зависимость коэффициента поглощения от длины волны называют спектром поглощения. Часто вместо зависимости от длины волны в спектрах отражения, пропускания и поглощения используют зависимости от волнового числа , частоты  или энергии  фотонов ( – постоянная Планка).

Указанные спектральные зависимости различны для разных полупроводниковых материалов и связаны с особенностями зонной структуры, концентрациями носителей заряда и примесей, характером процессов рассеяния носителей заряда. Это обстоятельство обуславливает принципиальную возможность изучения физических процессов и явлений в полупроводниках и измерения их важнейших параметров с помощью измерения их оптических свойств, в первую очередь спектров отражения и пропускания в широком интервале частот.

В полупроводниковых кристаллах удельная проводимость , диэлектрическая  и магнитная проницаемости являются функциями направления распространения волн относительно осей кристалла. Но если рассматривать оптические явления в кубических кристаллах или оптически изотропных материалах, то эти параметры можно считать скалярными величинами. Величины , ,  являются также функциями частоты падающего света. Практически для всех веществ (в том числе и для полупроводников) в области оптических частот с очень хорошей точностью можно принять .

В этом случае поведение электромагнитной волны в однородной изотропной проводящей среде описывается уравнениями Максвелла, имеющими в системе СИ следующий вид:

;                                                                                (6)

;                                                                        (7)

;                                                                                           (8)

,                                                                                           (9)

где e0, m0 – диэлектрическая постоянная и магнитная проницаемость вакуума; e, m – то же для исследуемой среды; – электропроводность среды. В правой части уравнения (8) стоит нуль. Это значит, что из рассмотрения исключаются особенности, связанные с возможностью существования в проводящих слоях областей пространственного заряда.

Решая систему уравнений Максвелла относительно вектора напряжённости электрического поля ,получим следующее выражение:

,                                                                (10)

где – оператор Лапласа.

Аналогичное уравнение получается и для вектора .  

Пусть электромагнитная волна, падающая на полупроводник, распространяется вдоль оси Х со скоростью  и является линейно-поляризованной в направлении оси Z. При таком выборе системы координат, так как Eу = Eх = 0, E 0, E = E , – и векторное уравнение превращается в скалярное и принимает следующий вид:

.                                                  (11)

Уравнение (11) полностью определяет функцию Ez(x, t), т.е. полностью описывает поведение вектора напряженности электрического поля линейно-поляризованной плоской монохроматической электромагнитной волны в однородной изотропной проводящей среде.

Этому уравнению и уравнениям Максвелла удовлетворяет выражение

 E = E  = E                         (12)

при условии, что

,                                                                 (13)

где величина  имеет смысл показателя преломления проводящей среды.

С учетом, что , соотношение (13) принимает вид:

.                                                                                 (14)

Выражение (14) показывает, что среда, обладающая отличной от нуля электропроводностью, характеризуется комплексным показателем преломления.

Обычно комплексный показатель преломления записывается в виде:

.                                                                                       (15)

 Сравнивая (14) с (15), получаем:

,                                                                                        (16)

.                                                                                        (17)

Подставляя выражение для  в виде  в соотношение (12), получаем окончательный вид функции Ez(x, t), описывающей поведение вектора напряженности электрического поля линейно-поляризованной плоской электромагнитной волны:

E = E = E .                                               (18)

В этой формуле сомножитель  выражает собой затухание волны. Таким образом, решение (18) волнового уравнения (12) с комплексным показателем преломления (15) описывает волну, распространяющуюся со скоростью , амплитуда которой затухает по экспоненциальному закону. Величина , определяющая скорость распространения волны, принято называть действительным показателем преломления, а  характеризует поглощение в среде и носит название показателя поглощения или коэффициента экстинкции. Эти величины также зависят от частоты падающего света и их измерения столь же важны для изучения физических процессов и явлений в полупроводниках.

Энергия, или интенсивность электромагнитной волны , очевидно, пропорциональна квадрату её амплитуды, т.е.

 I ~E E * = E .                                                                       (19)

Сравнение соотношений (5) и (19) позволяет установить взаимосвязь между величинами  и . Как видно,

,                                                        (20)

где  длина волны света в вакууме.

,                                                                                      (21)

а также с учётом выражения (14) имеем:

.                                                                                  (22)

Сравнивая (21) и (22) и с учётом (16) и (17), получаем:

,                                                                                  (23)

.                                                                                 (24)

Поляризация света

Cвет характеризуется также поляризацией. Поляризация – общее свойство всех типов векторных волн. Этим свойством обладают электромагнитные волны, а так же, например, упругие и спиновые волны в твердых телах. Для всех типов векторных волн поляризация характеризует поведение во времени одного из векторов поля, связанного с данной волной, наблюдаемое в некоторой фиксированной точке пространства. Световые волны имеют электромагнитную природу, так что для их полного описания требуется 4 основных полевых вектора: напряженность электрического поля , электрическое смещение , напряженность магнитного поля  и индукция магнитного потока . Из этих четырех векторов для определения состояния поляризации световых волн выбран вектор напряженности электрического поля . Такой выбор объясняется тем, что при взаимодействии света с веществом сила, действующая на электроны, с точностью до пренебрежимо малой поправки определяется именно электрическим полем световой волны. Вообще, если поведение Е определено, то поведение трех оставшихся векторов поля ,  и  может быть найдено, так как , ,  и  связаны между собой полевыми уравнениями Максвелла и материальными уравнениями. В дальнейшем мы будем считать, что поляризация света полностью определяется изменением во времени t вектора напряженности электрического поля , наблюдаемого в фиксированной точке пространства .

Электромагнитная волна является поперечной и плоскость ее колебаний перпендикулярна направлению ее распространения. Принято плоскость, в которой колеблется электрический вектор, называть плоскостью колебаний. Электромагнитная волна, у которой направления колебаний векторов  и  строго фиксированы, называется линейно или плоско поляризованной волной (рис.1).

Для описания поляризационных явлений, векторов  обычно раскладывают на две компоненты  и , где индекс  определяет колебания, параллельные плоскости падения света, а индекс  – перпендикулярные ей (рис.2).

Гармонические колебания векторов  и во времени описываются уравнениями:

                                                                 (25)

где  и – амплитуда колебаний,  – начальная фаза,  – цикли­чес­кая частота .

               

Рис. 2. Плоскость колебания вектора Е Рис. 3. Плоскость падения света

 

В зависимости от соотношения между величинами  и  и  электромагнитная волна имеет тот или иной тип поляризации. Например, при  свет является линейно поляризованным, т.е. решение системы уравнений (1) есть уравнение прямой линии в плоскости колебания (рис.4, а), и направления колебании вектора  постоянны по времени и в пространстве. Если брать  и , то в этом случае поляризация циркулярная (рис. 4, б) т.е. решение системы уравнения (1) есть уравнение окружности в плоскости колебания. В общем случае решение системы уравнения (1) можно представить в виде:

. (26)

Уравнение (26) описывает эллипс, называемый эллипсом поляризации (рис. 4, в), т.е. конец электрического вектора описывает эллиптическую винтовую линию, навертывающуюся на эллиптический цилиндр совпадающий с направлением распространения света. Таким образом, эллиптически поляризованный свет является суперпозицией двух ортогональных плоских волн  и , имеющих различные амплитуды и фазы колебания.

Рис. 4. Виды поляризации волны: а – линейная;

б – круговая; в – эллиптическая

 

Эллипс поляризации принято характеризовать двумя угловыми величинами  и , называемыми поляризационными углами, которые определяются из условий:

,                                                                         (27)

. (28)

Отражение поляризованного света слоистыми планарными структурами

При переходе световой волны из одной среды в другую на границе раздела этих сред происходит разделение падающей волны на отраженную и преломленную. Различают два вида отражения: зеркальное и рассеянное. Зеркальное отражение наблюдается в том случае, когда размеры неоднородности структуры отражающей поверхности много меньше длины волны падающего излучения и пространственный угол, в пределах которого распространяется падающее излучение, сохраняется после отражения. В случае, когда размеры неоднородности структуры сравнимы с длиной волны, происходит рассеянное отражение. В дальнейшем будем считать, что на границе раздела сред происходит зеркальное отражение.

а) Отражение на плоской границе между изотропными средами

Рассмотрим отражение и пропускание плоской световой волны, наклонно падающей на плоскую границу между двумя полубесконечными однородными оптическими изотропными средами 0 и 1 с комплексными показателями N0 и N1 (рис. 1).

Предполагается, что изменение показателя преломления на границе раздела происходит резко (резкая граница). Волна, падающая из среды 0, приводит к возникновению отражённой волны в той же среде и прошедшей (или преломлённой) волны в среде 1. Амплитуды отражённой и прошедшей волн целесообразно определить через амплитуды p и s компонент падающей волны. Это вызвано тем, что произвольную падающую волну всегда можно разложить на p- и s-компоненты, каждая из которых рассматривается отдельно, и затем объединить результаты. Пусть (Е, Е0s), (Егр, Еrp) и (Еtp, Еts) представляют собой комплексные амплитуды компонент электрических векторов падающей, отражённой и прошедшей волн в точках непосредственно над и под границей раздела. Сопоставление тангенциальных компонент полей E и H на границе раздела ведёт к следующим формулам:

,                                         (29)

,                                              (30)

 

,                                   (31)

.                                          (32)

 

Эти формулы определяют френелевские коэффициенты отражения (r) и пропускания (t) для p- и s- компонент напряжённостей электрического поля.

Чтобы исследовать влияние отражения и преломления (пропускания) на амплитуду и фазу волны по отдельности, запишем комплексные френелевские коэффициенты в виде:

,                                                                                               (33)

,                                                                                                (34)

,                                                                                               (35)

.                                                                                                (36)

 

Величины |rp|, |rs|, |tp|, |ts| дают отношения амплитуд колебаний электрических векторов отражённой и прошедшей волн к амплитуде падающей волны, когда последняя поляризована параллельно или перпендикулярно плоскости падения. Величины ,  представляют собой фазовые сдвиги при отражении и преломлении, которые претерпевают электрические колебания, параллельные плоскости падения. Аналогичный смысл имеют  и  для колебаний, перпендикулярных плоскости падения.

б) Отражение и пропускание в системе среда-плёнка-подложка

Значительный интерес представляет ситуация, при которой поляризованный свет отражается от подложки, покрытой одной однородной плёнкой, или проходит через такую систему (рис, 2).

Предположим, что плёнка является плоскопараллельной, имеет толщину d и расположена между полубесконечной внешней средой и полубесконечной подложкой (рис 2). Внешняя среда (среда 0), плёнка (среда 1) и подложка (среда 2) характеризуются комплексными показателями N0, N1, N2. В большинстве случаев внешняя среда прозрачна и N0 действительная величина, т.е. равна n.

Задача состоит в том, что нужно установить связь между комплексными амплитудами результирующих (отражённой и прошедшей) волн с амплитудой падающей волны, когда последняя линейно поляризована параллельно (р) или перпендикулярно (s) плоскости падения. Методика расчёта, предложенная Друде, основана на физической картине, показанной на рис. 6.

Если френелевские коэффициенты отражения и пропускания на границах 0 и 1 (1-0) и 1-2 обозначить через r01, t01 (r01 t10), и r12, t12 соответственно, то комплексные амплитуды парциальных плоских волн, которые образуют результирующую отражённую волну в среде 0, имеют значения r01, t01 t10r12exp(-i2β), t01t10r12exp(-i4β), t10r12exp(-i6β)..., тогда как комплексные амплитуды парциальных волн, дающих результирующую волну, прошедшую в среду 2, имеют значения t01t10r12exp(-iβ), t01t10r12exp(-i3β), t01t10r12exp(-i5β)…, где β - изменение фазы, которое приобретает многократно отражённая в плёнке волна при однократном прохождении между границами 0-1 и 1-2. Фазовый угол β (фазовая толщина плёнки) может быть выражен через длину волны в вакууме, толщину плёнки, комплексный показатель преломления плёнки N1 и угол преломления в плёнке φ1:

 β = 2(d/λ)N1 cos φ1                                                                                       (37)

или при использовании закона Снеллиуса

β = 2(d/λ)(N1 – N sin φо.                                                                              (38)

В приведённом выше рассуждении предполагается, что падающая волна имеет единичную амплитуду и р- или s- поляризацию (для простоты у всех коэффициентов индекс р или s был опущен, но далее он будет восстановлен).

Складывая парциальные волны, получаем бесконечную геометрическую прогрессию, определяющую полную амплитуду R отражённой волны:

 R = rо + tо1t1оr12exp(-i2β) + tо1t1оr12exp(-i4β) + tо1t1оr12exp(-i6β) +…            (39)

Суммирование этого ряда даёт

                                                                   (40)

или

,                                                                       (41)

где сделаны подстановки r01= - r и tо1t.= 1 – rо12.

Эти соотношения справедливы, если падающая волна линейно поляризована параллельно (р) или перпендикулярно (s) плоскости падения. Таким образом, мы можем восстановить информацию о поляризации, добавив индексы р и s в выражения (40) и (41):

;                                                                        (42)

,                                                                        (43)

где β имеет одинаковые значения для р- и s- поляризаций и определяется выражением (37) или (38), а френелевские коэффициенты отражения на грaницах 0-1 и 1-2 определяются формулами, которые легко получить из соотношений (29)-(32)

,                                                        (44)

,                                                              (45)

,                                                              (46)

,                                                              (47)

Три угла φ0, φ1 и φ2 между направлениями распространения волн в средах 0, 1 и 2 и нормалью к границам плёнки связаны между собой законом Снеллиуса:

Nоsinφо = N1sinφ1 = N2sinφ2 .                                                                                                             (48)

Чтобы по отдельности изучить изменение амплитуды и фазы при отражении волны от системы среда-плёнка-подложка, целесообразно выразить полные комплексные амплитудные коэффициенты отражения (Rp, Rs) через их модули и фазовые сдвиги:

;                                                                                           (49)

;                                                                                            (50)

 Величины Rp и Δrp количественно характеризуют изменение амплитуды и фазовый сдвиг при отражении р-поляризованного света системой среда-плёнка-подложка. Для случая s-поляризации величины Rs и Δrs имеют тот же смысл.

Наиболее точным и надежным экспериментальным методом измерения изменений состояния поляризации, т.е. изменений углов  и  при отражении света от поверхности, а значит и оптических характеристик, является эллипсометрический.

Эллипсометрия

Под термином "эллипсометрия" понимается раздел оптики, предметом которого является: 1) разработка методов описания и измерения состояния поляризации светового пучка и тех изменений этого состояния, которые наблюдаются при отражении светового пучка от любой отражающей системы; 2) исследование строения и определения параметров отражающей системы путем анализа изменений состояния поляризации светового пучка при отражении.

а) Основное уравнение эллипсометрии

Пусть на поверхность отражающей системы, представляющей собой полубесконечную среду с плоскопараллельными слоями на ней (рис. 7), падает плоская монохроматическая электромагнитная волна, поляризованная эллиптически с параметрами  и  (рис. 5, а).

Рис. 7. Отражение плоской монохроматической

электромагнитной волны от однородной полубесконечной среды

с однородными плоскопараллельными слоями на ней

                                                       

При отражении изменяется состояние поляризации волны, и его поляризационные углы становятся равными  и  (рис. 5, б). Очевидно, что степень изменения поляризационных углов характеризует оптические свойства отражающей системы. Величину этих изменений принято обозначать  и  и определять как:

;                                                                                (51)

.                                                                                               (52)

 

Углы  и , определяющие степень изменения состояния поляризации при отражении волны и характеризующие оптические свойства компонент отражающей системы называют поляризационными углами или эллипсометрическими параметрами отражающей системы.

Рис. 8. Поляризационный эллипс падающей (а) и отраженной (б) волн

 

Обратим теперь внимание на то, что (см. рис. 8)

 (53) и  .                                                (54)

С учётом соотношений (53) и (54) выражение (51) принимает вид:

.                                  (55)

Амплитуды , Е00s,  и  в общем случае комплексны, и целесообразно выразить их через их модули и фазы:

;                                                                                        (56)

;                                                                                    (57)

;                                                                                   (58)

,                                                                                  (59)

где  – начальная фаза соответствующей волны.

Поделив (58) на (56) и (59) на (57), получим выражения для комплексных коэффициентов отражения:

;                                                                                          (60)

,                                                                                           (61)

где  и – разности фаз между фазами падающих и отраженных волн.

Из выражений (60) и (61) найдем отношение модулей коэффициентов отражения

,                                                                                          (62)

где

.                                                                                              (63)

С учетом (62) из (51) получаем

 .                                                                                           (64)

Уравнение (64) называется основным уравнением эллипсометрии.

 Из (64) видно, что относительный коэффициент отражения  представляет как раз ту величину, которая описывает изменение состояния поляризации света в результате отражения. Коэффициенты отражения Rp и Rs являются функциями оптических постоянных отражающей системы, толщин плоскопараллельных слоёв, а также угла падения света на систему (φ0) и длины волны (λ). Следовательно, находя величины Rp и Rs для конкретной отражающей системы, с помощью уравнения (64), устанавливаем связь поляризационных углов  и  с оптическими постоянными и толщинами плоскопараллельных слоёв этой системы, а также с углом падения света на систему (φ0) и длиной волны (λ).

Комплексное уравнение (64) можно представить в виде двух действительных уравнений:

tg cos  = ф1;                                                                                           (65)

tg sin  = ф2 ,                                                                                      (66)

где            

ф1 = Re Rp/Rs ,    ф2 = Im Rp/Rs .                                                            (67)

Измеряя углы  и  и решая совместно уравнения (65) и (66), можно определить два любых неизвестных параметра отражающей системы. В принципе при определённых условиях путём вариации, например, угла падения  можно определить более двух неизвестных параметров отражающей системы.

При исследовании отражающих систем методом эллипсометрии приходится решать следующие три основные задачи:

1) Вычисление поляризационных углов  и  на основе той или иной модели отражающей системы, характеризующейся определённым набором параметров;

2) Экспериментальное определение поляризационных углов  и  исcледуемой отражающей системы;

3) Сравнение вычисленных значений поляризационных углов  и  (для набора моделей отражающих систем при изменении одного или нескольких параметров этих моделей) с экспериментальными значениями углов  и , полученными при изменении тех же параметров реальной отражающей системы, и выбор модели, адекватной исследуемой отражающей системе.

После того как адекватная модель исследуемой системы установлена, эллипсометрия может быть применена для контроля параметров этой системы, исследования изменений этих параметров под влиянием тех или иных внешних воздействий и т.д.

Для решения этих задач необходимо делать некоторые упрощающие предположения относительно свойств самих отражающих систем, а также свойств оптических элементов и светового пучка эллипсометра. Эти упрощения чаще всего сводятся к следующему.

1. В отражающих системах все границы раздела – геометрические поверхности. В действительности граница раздела между двумя различными средами представляет собой не геометрическую поверхность, а некоторый слой. Однако во многих случаях, когда толщина переходного слоя сравнима с междуатомными расстояниями, нет необходимости учитывать этот слой.

2. Все оптические элементы эллипсометра (прибора предназначенного для измерения поляризационных углов  и  отражающей системы) идеальные. Предполагается, что свет проходит через оптические элементы (компенсатор, поляризационные призмы) без потерь на отражения. Это упрощает описание самих элементов и устраняет паразитные световые пучки между элементами, способные вносить искажения в результаты измерения параметров отражающих систем.

3. Реальный световой пучок заменяется плоской монохроматической электромагнитной волной, т.е. игнорируются такие его свойства, как немонохроматичность и сходимость. Такая идеализация позволяет наиболее просто проанализировать измерительные схемы эллипсометра и упростить интерпретацию экспериментальных результатов.

б) Основное уравнение эллипсометрии для трехслойной системы

В большинстве случаев при интерпретации результатов эллипсометрических измерений может быть использована модель идеальной оптической изотропной трехслойной системы среда-пленка-подложка (рис. 5).

Подставив в (64) значения Rp и Rs для трехслойной системы из (42) и (43) получим, что

 ,                                 (68)

где френелевские коэффициенты отражения на границах среда-пленка
(rop, r0s) и пленка-подложка (r12p, r12s) определяются формулами (40-47), а фазовая толщина пленки β – выражением (38).

Соотношение (68) связывает измеряемые эллипсометром углы y и Δ с оптическими свойствами трехслойной системы – с комплексными показателями преломления N0, N1, N2, толщиной пленки d, углом падения φ0 и длиной волны λ. Функциональную зависимость эллипсометрических углов y и Δ от параметров системы можно символически записать в виде

,                                                    (69)

где – определяется правой частью соотношения (68).

Функция rr довольно сложная, т.к. она зависит от девяти аргументов и её удается удовлетворительно проанализировать только с помощью ЭВМ.

Если падающая и отраженная волны распространяются в однородной прозрачной среде ( ) и пленка тоже прозрачна ( ) выражение (68) принимает вид:

.                                  (70)

Зависимость поляризационных углов  и  от толщины пленки d, дли-

ны волны света λ и угла падения φ0 на исследуемую систему проявляется через величину:

.                                                           (71)

Отсюда следует, что для прозрачной пленки поляризационные углы  и являются периодическими функциями толщины пленки d с периодом, определяемой из условия δ1 =p

.                                                      (72)

Если пленка поглощает (k1 ≠ 0) поляризационные углы  и не являются периодическими функциями толщины d. Поэтому поляризационные углы  и однозначно определяют толщину пленки в широких пределах. При графическом способе экспериментально измеренные точки (  и ) попадают на кривую, указывая на соответствующее значение d.

в) Отражение от однородной полубесконечной среды

При отражении от подложки с атомарно-чистой поверхностью, т.е. при dà0 основное уравнение эллипсометрии (70) переходит в уравнение:

tgyeiΔ = r02p/r02s ,                                                                                  (73)

где r02 и r02 – коэффициенты отражения Френеля для p- и s- компонент, относящиеся к границе сред ε0 и ε2.

После преобразований получим выражения для оптических постоянных n2 и k2 отражающей среды:

 ;                         (74)

.                                   (75)

Для нахождения n2 и k2 в формулы (74) и (75) необходимо подставить экспериментальные значения n0, φ0 и , .

Вэллипсометрии используется комплекс программ, для проведения численных (модельных) экспериментов и обработки результатов эллипсометрических измерений на реальных окружающих системах.

Указания по использованию этих программ содержится в [12].         


Дата добавления: 2018-04-04; просмотров: 618; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!