Особенности аналоговых и цифровых интегральных схем.

⇐ ПредыдущаяСтр 4 из 18Следующая ⇒

Аналоговой интегральной схемой называется схема, в которой приём, преобразование и выдача сигналов осуществляется посредством непрерывного изменения тока или напряжения.

Выходной сигнал на любом из элементов аналоговой интегральной схемы является непрерывной функцией входного(усилители, генераторы).

Цифровая интегральная схема-применяется, преобразование и выдача информации, представляется в виде цифрового кода осуществляется посредством дискретных сигналов(ключи, тригеры).

Сравним аналоговые и цифровые интегральные схемы.

Рассмотрим передаточные характеристики аналоговых и цифровых интегральных схем.

Аналоговые и цифровые интегральные схемы бывают инвертирующими(1) и неинвертирующими(2). Инвертирующие: малому входному-большое выходное напряжение. Большинство аналоговых и цифровых интегральных схем являются инвертирующими.

Рассмотрим ключевые схемы.

Они характеризуются 2-я состояниями: 1)на входе большое U(закрытое).

2)на выходе малое U(открытое).

Как себя ведёт передаточная функция между этими точками для ключевых схем не имеет значения, т.е. цифровые интегральные схемы малочувствительны к разбросу параметров, температурному дрейфу, и собственным шумам и внешним электромагнитным наводкам

В аналоговых интегральных схемах зависимость между выходным и входным сигналом: U_вых=f(U_вх). f-существует и определена в каждой точке. Аналоговые интегральные схемы чувствительны к разбросу параметров, и температурному дрейфу, шумам и наводкам.

Основы аналоговых интегральных схем.

Особенности:

1.они должны быть универсальны и многофункциональны.

2.следствием многофункциональности является функциональная избвточность, которая используется для улучшения характеристик.

3.широкое использование транзисторных структур, не только в качестве активных, но и в качестве пассивных элементов.

4.широкое использование обратных связей для коррекции характеристик и выполнения математических операций.

5.в аналоговых интегральных схемах используется каскады с непосредственной связью, в них отсутствуют ёмкостные каскады и ёмкостные связи. Поскольку конденсаторы ухудшают характеристики(особенно в области низких частот) и усложняют технологический процесс, отказ от конденсаторов требует применения специальных мер по согласованию потенциальных уровней различных каскодов.

Билет 7.

1. Туннельные диоды – п/п диод на основе вырожденного п/п, в котором тун.эф. приводит к появлению участка с отриц.диф. проводимостью на его основе ВАХ.

В отличии от обычных исп-ют проводники с очень высокой конц.примесей. Осн.параметры помимо других: I_П – пиковый ток, max ток при dI/dt=0; I_В – ток впадины, max ток; отношение I_П/I_В; напр. раствора U_p>U_B при I=I_П; С_УД=С_Д/I_П.

Обозначается:

Эквивалентная схема:

Подразделяются на: 1)переключательные max I_П/I_B; 2)генераторные P=0,12(U_B-U_p) (I_П- I_В); 3) усилительные max[K_y- ∆f]. Тун.диоды работают в диап-не высоких и сверхвысоких частот.

Обр.диод – это п/п диод, в котором проводимость при обратном вкл., вследствие туннельного эффекта, значительно выше чем при прямом. В о.д. конц. примесей меньше чем в тун.диодах, но больше чем в обычных. ВАХ такого диода:

О.д. работают в области малых напр.О.д. могут работать в диапазоне сверхвысоких частот.

Полевые транзисторы.

Это п.п приборы управление токов в которых осуществляется изменением проводимости токопроводящего канала при воздействии на канал поперечного электрич. Поля. Рабочий ток в полевых транзисторах создается основными носителями только одного знака, поэтому такие транзисторы называются униполярными. Ток в канале создается в результате дрейфового движения основных носителей заряда, вызванного продольным электрич полем. Электрод от которого уходят носители в канал называется истоком. А электрод который принимаетносители-стоком. Исток и сток имеют один и тот же вид электро проводности. Управляющее (поперечное) эл поле создается с помощью электрода называемого затвором. Существуют следующие разновидности:

1)с изолированным затвором 2)с затвором на основе эл перехода(с управляющим переходом.

1)Металлич. затвор изолирован от канала тонким слоем диэлектрика поэтому транзисторвы называются МДП-транзисторами

Они делятся на транзисторы со встроенным каналом и с индуцированным каналом.

а)встроенный канал образуется технологическим путем.

б) индуцированный канал появляется(индуцируется) при подаче на затвор напряжения определенной полярности и величины.

2)с управляющим переходом делятся на транзисторы с p-n переходом и с переходом Ме-п.п.

Полевые транзисторы с управляющим переходом с n-каналом и p-каналом

со встроенным каналом с индуцированным каналом

В МДП-транзисторах со встроенным каналом и в полевых транзисторах с управляющим переходом канал присутствует всегда. Эти транзисторы называют транзисторами обедненного типа. Полевой транзистор с индуцированным каналом-транзистор обогащенного типа. Канал появляется когда область обогащается носителями заряда.

Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 321; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 1 2 345 6 7 8 9 10 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!