Подключение имп.диода к генератору тока.
Билет 1.
Направления развития Эл-ки. Понятия о схемотехнич и функц Эл-ке. Переход к нЭл-ке.
Электроника – наука о методах создания приборов и устройств, в которых исп. з-ны взаимодействия.
1) в Эл разрабатываются приборы и технологии их изготовления.
2) на основе этих приборов созд-ся различ. схемотехнические устр-ва применительные к какой-то задаче.
Эл развивается по направлениям:
- освоение больших мощностей;
- осв. сверхвысокочастотного диапазона;
-улучшение параметров приборов: быстродействие, точность и тд.
Эл-ка: 1)информационная; 2)энергетическая.
График зависимости мощности и частотного диап-на от типа прибора:
В схемотехнич Эл-ке все элементы реализ-ся элемент ф-ми расположены в разных областях тв тела и они способны выполнять сложные ф-ии лишь в совокупности др с др в составе ИС. Вкл также в себя элементы межсоединений.
В функциональной Эл обработка инф. осуществ-ся на основе физ-х процессов, протекающих в тв. телах и средах.
Наноэл-ка.Эл-ка в которой контр перемещение одного или неск Эл-ов. Переход Эл-ов осуществляется туннелированием. Поскольку процесс туннелир кратковременный – процесс очень короткий. Энергопотр наносхем очень мало, быстродействие 100 ТГц. Особенностью в данной Эл-ке явл-ся то, что возможно построение приборов путём соединения атомов вещества можем получить прибор с зад хар-ми.
Способы электроизоляции элементов ИС. Изоляция элект p-n переходом. Изол диэл плёнками. ИС на непроводящ подложках (кремний на сапфире).
|
|
|
Способы изоляции элементов интегральных схем.
Коллектор1(кол1), кол2 и катод принудительно соединены между собой, а это недопустимо.
Для полевых транзисторов изолировать ненужно. Надо только чтобы переходы были в обратном направлении.
2 основных способа изоляции.
1.Изоляция обратносмещенным p-n переходом. На исходную площадку Si наращивается эпитаксиальный слой. Далее через маску вводим акцепторы(р-область), одновременно добавляется примесь до тех пор, пока глубина её проникновения не достигнет исходной р-подложки.
Они называются автономными структурами, которые не связаны между собой, а разделены p-n переходом, он должен быть смещён в обратном направлении для того на подложку подаётся потенциал.
Недостаток: обратные интегральные переходы и ёмкости переходов(Cкп) от этого недостатка можно избавиться при помощи ИДП.
2.Идеальные диэлектрические плёнки(ИДП).
Через эту маску анизотропным травлением проделываем канавки.
термическим окислением создаётся SiO2
ПКК-является подложкой через маску будем вводить примеси.
Этот способ изоляции позволяет уменьшить токиутечки и уменьшить ёмкости в 10 раз.
|
|
|
3.Изоляция типа Si на сапфире
получаем изолированные островки n-типа.
4.Комбинированный способ(изоляция диэлектрическими плёнками и p-n-переходом).
Билет 2.
1.Импульсные диоды. П/п прибор для работы в имп-ном режиме, и имеющий малую длительность прех-ных процессов.
Параметры: 1) общая ёмкость; 2) max имп. прямое напряжение; 3) max допустимый имп. ток; 4) время установления прямого напр.; 5) время восст. обр. сопр.
Режим работы имп. диода.
Имп.диоды работают при больших прямых токах. При переключении напр-я с прямого на обратное нз в базе, накопленные в прямом токе не успевают рассосаться. Поэтому происходит выброс обратного тока. С течением времени нз в базе рекомб., уходят ч/з переход, сопр. базы увелич-ся и ток падает до некоторого знач-я.
Рисунки:
Переходный процесс при переключ. прямого на обр. и уменьшении обр.тока до опред-го знач., называется процессом восст-я обр. сопр. А время – время восст. обр.сопр.
Подключение имп.диода к генератору тока.
При подключении появляется скачок напр. из-за того, что сопр.базы очень большое. По мере насыщения сопр.падает до знач. Инт.времени от подкл. диода к генератору тока (при нулевом смещении) до достижения напр. установившегося знач. – время установления прямого напр. При низких уровнях инжекции на 1-ое мсто выступает барьерная ёмкость, для её перезаряда требуется большое время. Для уменьшения времени перех.процессов водят атом золота, который обр.дополнит. уровни ловушек. Процесс рекомб. ускоряется.
|
|
|
Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 254; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!