Интегральные активные элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем.

Основным активным элементом

полупроводниковых интегральных схем является n-p-n-транзистор, под него подстраивается вся технология. n⁺-слой введён для улучшения сопротивления области конденсатора. Без него ток течёт, значит в исходную р-пластину вводятся р⁺ слой, затем n эпитаксиальный слой, потом акцепторы, или создаём изолированные карманы и область р-базы. Затем донорная примесь-эмиттер. Ток течёт через область с низким сопротивлением®потери уменьшаются.

Характерной особенностью интегрального n-p-n тр-ся является появление в его структуре паразитного p-n-p транзистора, этот транзистор увеличивает ёмкость коллекторного перехода и увеличивает токи утечки через подложку.

Коэффициент утечки-низкий. В случае изоляции диэлектрическими плёнками паразитный транзистор отсутствует.

Билет 14.

Математическая модель транзистора (схема Эдерса-Молла).

Она показывает равноправность эмиттерного и колекторного переходов. Каждый p-n переход представлен в виде диода. Таким образом Iэ и Iк имеют 2 составляющие:1)инжектированная составляющая I1 и I2 2) собирающая составляющая и

2. Гибридная интегральная схема.

Интегральная схема, в которой используется комбинация пассивных плёночных и активных полупроводниковых элементов, выполненных на общей подложке.

В качестве активных элементов используются навесные элементы, выполненные по отдельному от плёночных технологическому циклу эти элементы соединяются с плёночными с помощью жёстких проводников. В совмещённых интегральных схемах в припов-ном слое как и в полупроводниковых создаются активные элементы: А плёночные элементы наносятся на предельно изолированную диэлектрическую поверхность. Во всех типах интегральных схем межсоединение осуществляется с помощью тонких металлических полосок, напылённых в местах соединений этот процесс(используется Al) нанесения плёнок – металлизация. Полученный “рисунок – “металлизированная разводка”. Это является важной особенностью интегральных схем.

Технология гибридных интегральных схем.

1) получение плёнок

2) монтаж активных навесных элементов.

Плёночная технология.

1) толстоплёночные получают путём нанесения на подложку специальных стеклоэмалей(пасты). В зависимости от назначения эти пасты могут быть резистивные, проводящие(для проводников и обкладок конденсаторов), диэлектрические(для диэлектриков конденсаторов и общей защиты поверхности).

Достоинства:

1.простота технологии, дешевизна.

2.более мощные интегральные схемы.

3.возможность получения резисторов больших номиналов.

4.хорошие возможности массового производства.

Недостатки:

1.сложность получения больших ёмкостей.

2.большой разброс параметров.

3.малая плотность упаковки.

Пасту наносят на подложку; втирание.

2)тонкоплёночные создаются:

1.термическое вакуумное напыление.

Недостаток: контроль времени и температуры.

2.распыление ионной бомбардировкой(создаётся газовый разряд, который выбивает ионы и атомы из вещества, которое затем осаждаются на поверхность).

3.химическое осаждение из газовой среды. Преимущество: высокая плотность упаковки, хорошая совместимость с другими технологическими процессами, малый разброс параметров.

Билет 15.

Биполярные транзисторы.

Это п.п. прибор с двумя или более взаимодействующими переходами и с тремя или более внешними выводами усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Схема вкл транзистора с общем Э