Схема включения БТ с ОБ. Вх. и вых. идеализир хар-ки для активного режима работы; режим отсечки и режим насыщения.
В зависимости от того, какой электрод считают общим для вход-вых напряж, различают несколько типов схем:
Схема с Общей Базой:
Рассмотрим ВАХ с ОБ:
Для этой схемы заданными велич явл-ся iэ и Икб. Рассмотрим формулы (3.14)-разрешим отн-но Iк:
- выходная ВАХ транзистора (3.16)
- входная ВАХ транзистора (3.17)
Н – область соотв режиму насыщ транз
А – обл-ть активн реж
Т – линия допустимой Рмах, гипербола
1 – отклонение происх засчет эффекта модуляции базы
«0» - область соотв реж отсечки
Рассм токи Iко, Iко’ и Iэо, Iэо’ – тепловые токи. В ряде тр-в изм тепл невозможны, т.к. там обратные токи, поэтмоу в справочн ук-ют обр токи, кот > чем Iко, Iко’ и т.д. Обозначение Iкбо, Iэбо означает, что схема с ОБ.
Рассмотрим активный режим (А):
Uкб<0 
Iко = Iкбо (тепл ток примерно = обр току)
С учетом этих усл формулы (3.16) и (3.17) имеют вид:
(3.18)
(3.19)
Характеристики не влияют на ход, они получаются эфидистантными (расп на один раст)an=const
Реальные хар-ки:
На реальные хар-ки влияет:
- эффект модуляции толщины Базы
- зависимость коэфф 
от I- пробой 
Модуляция:
1 – Линия изб распр конц дырок
Приклад U – происх модул
При неизм входн напряж меняется угол наклона линии или меняется вел-на 
. Сущ-ет внутр связь по U. Меняется Iк, т.к. он опр-ся коэф диффузии и градиентом
- коэфф
rкб~ (0,1 - 1)*10^6 Ом
2. Технология изготовления пассивных элементов (……………………..)
Пассивные элементы полупроводниковых интегральных схем.
|
|
|
Резисторы и конденсаторы.
Резисторы:диффузионные
В качестве резисторов используются сопротивления объёмных областей эмиттера, базы или коллектора.
Вид сверху:
Т.к. эта технология подстраивается под технологию n-p-n транзистора, то удельное сопротивление областей менять не можем, т.к. они заданы технологией транзистора, а можем менять лишь параметры полосок.
При использовании эмиттерной области(она высоколегированная) R<<50Ом, но плюсом является очень низкий температурный коэффициент сопротивления.
При использовании коллекторной области, номиналы могут быть большими, но температурный коэффициент сопротивления велик, поэтому не используется.
В базовой области довольно высокоомные резисторы с приемлемым температурным коэффициентом сопротивления.
Полоски делаются зигзагообразными с числом петель не меньше 3. Их применение позволяет увеличить номинал до 50кОм.
Ионно-легированные резисторы(ИЛР).
Имеют структуру как диффузные.
1)Применение технологии ионно-легирования позволяет получить очень тонкие слои.
2)очень точно дозировать легирующую примесь(в т.ч. с малой концентрацией).
3)вводить примесь с большим удельным сопротивлением.
|
|
|
Эта технология позволяет получить высокоомные сопротивления, но она не вписывается в общий технологический процесс®дорогая.
Геометрические размеры очень малы®трудно вводить контактные площадки. Интегральные резисторы обладают ёмкостью на подложку, т.е. имеют граничную частоту применения f=10-20ГГц.
Интегральные конденсаторы:
а)Диффузионные. В качестве диффузионного конденсатора используется барьерная ёмкость одного из переходов, как правило коллекторного, т.к. у эмиттерного очень малое рабочее напряжение. Коллекторный переход может быть К-Б или К-П. Существует недостаток-однополярность рабочего напряжения(смещающее n-p переход в обратном направлении). Если используется биполярные интегральные
схемы, то структура МДП конденсатора:
Над эмиттерным слоем n+ типа напыляется специальный диэлектрик, который как правило не совпадает с защитной плёнкой Si. На этот диэлектрик напыляется металлическая пластина, которая служит второй обкладкой, 1-я это n+ слой.
Недостаток: необходимость дополнительной операции.
В МДП-транзисторе плёнка из металла наносится одновременно с рабочей.
Технология гибридных интегральных схем.
1) получение плёнок
2) монтаж активных навесных элементов.
|
|
|
Плёночная технология.
1) толстоплёночные получают путём нанесения на подложку специальных стеклоэмалей(пасты). В зависимости от назначения эти пасты могут быть резистивные, проводящие(для проводников и обкладок конденсаторов), диэлектрические(для диэлектриков конденсаторов и общей защиты поверхности).
Достоинства:
1.простота технологии, дешевизна.
2.более мощные интегральные схемы.
3.возможность получения резисторов больших номиналов.
4.хорошие возможности массового производства.
Недостатки:
1.сложность получения больших ёмкостей.
2.большой разброс параметров.
3.малая плотность упаковки.
Пасту наносят на подложку; втирание.
2)тонкоплёночные создаются:
1.термическое вакуумное напыление.
Недостаток: контроль времени и температуры.
2.распыление ионной бомбардировкой(создаётся газовый разряд, который выбивает ионы и атомы из вещества, которое затем осаждаются на поверхность).
3.химическое осаждение из газовой среды. Преимущество: высокая плотность упаковки, хорошая совместимость с другими технологическими процессами, малый разброс параметров.
Билет 17.
Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 367; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!