Коэф-ты инжекции и переноса н.з. Коэф-т передачи тока БПТ.
Основой работы любого транзистора является : 1)малая толщина базы 2)базовая область является всегда более высокоомной(слабо легированной) по сравнению с другими областями.
Iэп значительно меньше чем Iэр. γ=Iэр/(Iэр+Iэп)=Iэр/Iэ. γ->0.95 и выше. База всегда электрически нейтральна.
к(каппа)=Iкр/Iэр. Iэ=Iэп+Iэр. Iэр=Iкр+Iбр. α=Iкр/Iэ. α=γк. Iк=Iкр+Iко=αIэ+Iко. Iко-ток коллекторного перехода. Iб=Iэп+Iбр-Iко. Iэ=Iк+Iб.
Iб=Iэ-Iк=1-αIэ-Iко.
Вывод:принцип действия биполярного транзистора основан на создании транзитного потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и на управлении выходным (коллекторным) током за счет входного(эмиттерного) т.е. биполярный транзистор управляется током.
Каскады сдвига потенциального уровня.
Назначение- устранение постоянной составляющей, поступающей на вход очередного усилительного каскада.
Рассмотрим схемы осн. Потенциального сдвига уровней:
<–транзистор, включенный по схеме с ОБ.
его характеристика.
Для более точной работы эмиттерного повторителя вставляются источник тока-
Т.к. Iэ задается источником тока, то IэРэ=const. Если ∆U надо увеличить, то можно поставить дополнительные диоды (переходы), в качестве таких диодов интегрированные транзисторы с общим включением.
Uвых=Uвх-Uбэ-nUg-I0R0
Uвых=Uвх-(n+1)Iбэ-I0R0
ПРОГРАМИРУЕМЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ С МАТРИЧНОЙ СТРУКТУРОЙ
Будем рассматривать большие интегральные схемы (БИС)
|
|
|
Чтобы достичь оптимальности надо под каждую задачу создавать свою БИС, но это очень дорого и это оправданно только при массовом производстве. Выход - в создании программных схем с матричной структурой. Они реализуют принципы элементарной избыточности и многофункциональности. Применение этого принципа позволяет значительно расширить их универсальность.
Билет 13.
1. Модуляция:
1 – Линия изб распр конц дырок
Приклад U – происх модул
При неизм входн напряж меняется угол наклона линии или меняется вел-на 
. Сущ-ет внутр связь по U. Меняется Iк, т.к. он опр-ся коэф диффузии и градиентом
- коэфф
rкб~ (0,1 - 1)*10^6 Ом
Схема включения транзистора
В зависимости от того, какой электрод считают общим для вход-вых напряж, различают несколько типов схем:
Схема с Общей Базой: Схема с Общим Эмиттером: Схема с Общим Коллектором:
i/ - созд раб напряж (смеш)
ОК – эммитерный повторитель
В схеме с общим Э происходит усиление тока
rk*- в 1+βраз <, чем в схеме с ОБ и сост ~ 10^4 Oм
Iкэо > в 1+βраз, чем в ОБ, поэтому наклон линий круче (тепловой ток больше)
Uкб >> Uэб 
Uкб ~ Uкэ:
Физико-технологические процессы изготовления активных и пассивных элементов полупроводниковых(и гибридных) интегральных схем.
|
|
|
1)Групповой метод изготовления.
Заключается в том, что на одной пластине одновременно изготавливается большое количество элементов. Одновременно изготавливается 10-100 таких пластин.
2)Планарная технология изготовления.
Технологический процесс, в котором все элементы создаются через одну(рабочую) плоскость. Если в этой плоскости вводить различные виды примесей, то получим различные полупроводниковые структуры. Все контакты между элементами и внешние выводы находятся в одной плоскости. Это обеспечивает соединение элементов. Существуют 3-х мерные интегральные схемы, в них выводы находятся в разных плоскостях.
Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 291; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!