Отличия дискретных биполярных транзисторов от интегральных по структуре и характеристикам.
Следует отметить различия в расположении контактных выводов (вследствие вертикальной и горизонтальной структур транзисторов). В интегральном транзисторе выделяются два высокоомных участка слоя n-типа коллекторной области, поэтому сопротивление коллекторной области интегрального транзистора 
приблизительно в два раза больше сопротивления коллекторной области дискретного транзистора. В связи с этим в структуру интегрального транзистора вводится скрытый n+-слой, который обеспечивает уменьшение сопротивления 
.
Ещё одна особенность интегрального транзистора обусловлена изолирующими областями (нежелательными связями).Если транзистор изолирован p-n переходом, или комбинированными связями, то образуется паразитный транзистор. Рабочий интегральный транзистор n-p-n связан в структуре с паразитным транзистором p-n-p. Последний неизбежно связан с 4-х-слойной структурой, есть p-слой (подложка).
Если паразитный транзистор закрыт, то n-p-n транзистор работает в активном режиме. Если паразитный транзистор открыт, то режим насыщения основного транзистора (паразитный находится в режиме насыщения).
Коллекторный ток Iк рабочего n-p-n транзистора уменьшается на величину тока, уходящего в подложку. Ухудшаются свойства рабочего транзистора.
Во всех микросхемах на подложке p-типа самый низкий потенциал схемы. Если напряжение источника намагничивается положительно, то подложку заземляют. Поэтому изолирующий переход всегда смещен в обратном направлении и через него проходит малый ток утечки.
|
|
|
Основной вывод, вытекающий из сравнения интегральных и дискретных транзисторов состоит в том, что биполярные транзисторы в интегральных схемах уступают аналогичным дискретным транзисторам по важнейшим электрическим параметрам. Это обусловлено влиянием изолирующих областей и иного расположения коллекторного контакта (вследствие планарной конструкции).
Особенности конструкция оптического резонатора квантового генератора, добротность и направленность лазерного излучения.
Оптический резонатор - это открытый резонатор, который является многоволновой системой. Внутри резонатора устанавливается – картина стоячих волн. Если направление распространения совпадает с осью резонатора (осевые или продольные виды колебаний), то условие образования стоячих волн 
; 
(q – целое число; 
- длина волны при выбранном значении q) ; частота 
.
Интервал между частотами 
видов колебаний (различающихся по величине q на единицу).
Относительная ширина интервала 
.
Индекс осевых видов колебаний очень велик и в резонаторе может возбуждаться поле на очень большом числе дискретных частей с относительно малым интервалом между соседними частотами.
|
|
|
Количество типов колебаний, которые могут возникать в резонаторе, определяется в первую очередь спектральной линией излучения активного вещества и резонансной кривой резонатора.
С увеличением инверсии населённостей условие баланса амплитуд будет выполняться для большого числа частот. Произойдёт как увеличение числа частот одновременно генерируемых колебаний, так и расширение полосы спектра излучения. Явление многочастотности проявляется лишь в оптическом диапазоне (в диапазоне СВЧ достаточно мала и условие баланса амплитуд выполняются, как правило, лишь для одной частоты).
Examination card 9
Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 615; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!