Короткая магнитная линза образуется аксиально-симметричным магнитным полем, которое создается короткой катушкой, обтекаемой током.

Есть продольная, Н_Z, и радиальная Н_r составляющие магнитного поля.

Для параксиальных электронов

Под действием Н_r и аксиальной скорости электронов V_z электронов испытывает действие силы перпендикулярной плоскости чертежа, что приводит к появлению тангенциальной составляющей скорости перпендикулярной H_z. Сила, перпендикулярная H_z и тангенциальной составляющей вызывает отклонение электрона к оси и его фокусировку.

Источники некогерентного оптического излучения и их применение в оптоэлектронике.

В качестве источников некогерентного излучения могут использоваться прожекторы и мощные лампы-вспышки. Применимо в охранной деятельности.

Светодиоды. Применяются в оптоволоконных каналах передачи данных.

До недавнего времени в спектроскопии комбинационного рассеяния применялись интенсивные источники некогерентного излучения (например, ртутные лампы)

Examination card 4

Схемы включения биполярных транзисторов.

ОБ (p-n-p) Обладает усилением по

мощности и напряжению

∆U_КБ › ∆U_ЭБ , нет усиления тока: ∆I_К ≈ ∆I_Э

Малое входное сопротивление равное

сопротивлению эмиттерного перехода

при прямом включении

ОЭ (p-n-p)Широко применяется. Усиление

тока и напряжения, т.к.I_Б=I_Э-I_К ‹‹ I_К (I_К ≈ I_Б)

∆U_КЭ ›› ∆U_БЭ. Входное сопротивление

много больше, чем в схеме с ОБ, т.к.

(∆U_БЭ)/(I_Б)=(∆U_БЭ*∆I_Э)/( ∆I_Э*∆I_Б)

ОК (p-n-p) Усиление тока т.к. I_Б‹‹I_Э , ∆I_Э››∆I_Б

Нет усиления напряжения. Большое

входное сопротивление

Пояснить особенности модели Эберса-Молла интегрального биполярного транзистора.

‑ прямой коэффициент усиления по току в схеме с общей базой, ‑ инверсный коэффициент усиления по току. Коллекторный, базовый и эмиттерный токи авражаются следующими соотношениями: