Металлическая пленка для соединений (Al)
Изоляция между слоями.
Второй слой соединений.
Исток и сток паразитного МДП-транзистора Тпар образован областью 2 транзистора Т1 и областью 1 транзистора Т2, диэлектриком является слой окисла (6), затвором служит какой-либо из проводников соединений (10).
Назначение слоя 7. В отсутствии слоя 7 канал под окислом 6 может индуцироваться зарядом ионов окислов, паразитный транзистор открыт и паразитная связь существуют при любом напряжении на проводнике 10.
Связь частоты и энергетических уровней квантовых переходов. Диапазоны частот, в которых проявляются энергетические переходы между электронными, колебательными и вращательными уровнями энергии квантовых частиц.
Основой системы энергетических уровней квантовой системы являются электронные уровни, стоящие друг от друга на 1 – 10 эВ. Между электронными уровнями располагаются колебательные уровни с расстоянием примерно 0,1 эВ, между колебательными уровнями находятся вращательные уровни с интервалами 10-3 эВ и менее.
Переходы между электронными уровнями соответствуют излучению в видимом и ультрафиолетовом диапазонах, между колебательными уровнями – инфракрасному, между вращательными – СВЧ – диапазону.
Examination card 8
Параметры транзистора как линейного четырехполюсника.
Транзистор можно рассматривать как четырехполюсник, связь между токами и напряжениями в котором представляется двумя, в общем случае нелинейными, функциями. В качестве независимых переменных в них можновыбрать любые две из четырех величин I1, I2, U1, U2.
|
|
|
Для большого класса электронных схем, называемых линейными, токи и напряжения складываются из сравнительно больших постоянных составляющих (/= ,U=) и малых переменных составляющих, которые можно рассматривать как малые приращения (DI, DU). Переменные составляющие представляют в этих схемах основной интерес, типичным примером таких схем являются усилители. В пределах малых значений напряжений и токов статические характеристики транзистора приблизительно являются линейными. Поэтому функциональные зависимости переменных составляющих также будут линейными. Для линейных схем характерна работа транзистора в АР.
Система h-параметров. Выберем в качестве независимых переменных входной ток I1 и выходное напряжение U2, тогда функциональные зависимости имеют вид
(5.3)
(5.4)
|
|
|
Для малых приращений токов и напряжений получим:
(5.5)
(5.6)
Пусть приращения DI1, DU2 представляют собой малые гармонические колебания с комплексными амплитудами I1, U2; приращения зависимых переменных являются также гармоническими колебаниями с комплексными амплитудами U1, I2. Частные производные перед независимыми переменными в этом случае обозначают символами h11, h12, h21, h22, и уравнения четырехполюсника записывают в виде
(5.7)
(5.8)
Отсюда вытекает смысл h-параметров, являющихся комплексными величинами:
(5.9)
при U2=0 - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока (т.е. при U2= U2== const ,);
(5.10)
при I1 = 0 - коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей (т.е. при I1 = I1== const);
|
|
|
(5.11)
при U2=0 – коэффициент передачи тока при коротком замыкании выхода по переменному току (т.е. U2= const);
(5.12)
при I1 = 0 – выходная проводимость при разомкнутом входе для переменной составляющей (т.е. при I1 = const);
Коэффициент инъекций: учитывает соотношение носителей разного знака через эмиттерный переход.
(5.13)
Коэффициент переноса носителей через базу, учитывает рекомбинацию неосновных носителей в базе
(5.14)
Произведение характеризующее передачу тока эмиттера в коллектор.
(5.15)
(5.16)
- коэффициент передачи тока эмиттера, используется в схемах с общей базой (ОБ), в схеме с общим эмиттером (ОЭ) – базовым входом существенен коэффициент передачи тока базы.
|
|
|
(5.17)
(IЭ), (UКЭ), (T) – эти зависимости приобретают более резкий характер, чем для параметра 
.
Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 357; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!