Простейшая структура диэлектрического световода. Примеры использования волоконных световодов.
Оптический кабель предназначен для передачи информации, содержащейся в модулированных электромагнитных колебаниях оптического диапазона. В настоящее время используется диапазон длин волн от 0.8 до 1.6 мкм, соответствующий ближним инфракрасным волнам. Оптический кабель содержит один или несколько оптических волокон. Оптическое волокно – это направляющая система для электромагнитных волн оптического диапазона. Практическое значение имеют только оптоволокна, изготовленные из высоко прозрачного диэлектрика: стекла или полимера.
Examination card 7
Основные физические параметры биполярных транзисторов.
К физическим параметрам относятся коэффициенты передачи тока, дифференциальные сопротивления переходов, объемные сопротивления областей, емкости переходов и др. Они характеризуют основные физические процессы в транзисторе.
Статический коэффициент передачи тока базы. Хотя теоретически коэффициенты передачи a и b для схем ОБ и ОЭ равноправны, на практике удобнее рассматривать b. При изменении параметров структуры транзистора, режимов его работы и температуры, a почти не изменяется в абсолютном значении, оставаясь близким к единице, в то время, как диапазон изменения b велик. В справочной литературе приводят значения b, а не a. Пренебрегая малым током 
и считая 
из получаем 
(5.1)
Объемные сопротивления областей. Сопротивление эмиттерной области обычно пренебрежимо мало из-за высокой концентрации примесей. Сопротивление базы определяется размерами структуры и распределением концентраций примесей в активной и пассивной областях базы. В структуре сопротивление активной базы rБа - это сопротивление в горизонтальном направлении части базового слоя между центром и краем эмиттерного перехода, а сопротивление пассивной базы rБп - это сопротивление между краем эмиттерного перехода и базовым контактом. Для транзисторов с тонкой активной базой обычно rБа >rБп. Например, для структуры с распределением концентраций примесей, при bЭ = 2 аЭ и аЭБ = аЭ /2 сопротивления rБа = 400 Ом, rБп = 100 Ом.
|
|
|
Коэффициент обратной связи по напряжению. Коэффициент определяется как 
(5.2)
при Iэ = const в активном режиме. Обратная связь обусловлена эффектом Эрлu(эффектом модуляции толщины базы).
Эквивалентная схема интегральной структуры на МДП транзисторах(2).
Главная особенность – технология ИМС на МДП-транзисторах – это поликремниевый затвор использующийся в качестве промежуточной маски при формировании n(+)-областей при помощи ионного внедрения бора (метод самосовмещения).
1, 2 – Сильнолегированные области (n+) типа являются истоком и стоком, толщина 0,3…0,5 мкм (структура симметрична).
|
|
|
3 – затвор из слоя поликристаллического кремния, толщина 0,2…0,4 мкм, легированный донорами для снижения его сопротивления до 20…40 Ом/ .
4 – слой окисла (подзатворный диэлектрик) 0,03…0,05 мкм
5 – слой p-типа толщиной 0,1 мкм с повышенной по сравнению с подложкой концентрацией акцепторов, необходим для получения величины порогового напряжения Uпор=0,5…1 В. Это область формирования n-канала, создается методом ионного легирования.
6 – толстый боковой слой окисла (0,5…0,6 мкм), монтажный слой (~ 1 мкм), разделяющий соседние транзисторы, получается методом локального окисления.
7 – слой p(+)-типа (охранные p(+) области), необходимые для устранения паразитной связи между соседними транзисторами.
Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 482; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!