ТЕМА 5.2 Розподільники та комутатори (електронні ключі)



МЕТА:

- навчальна: ознайомити студентів з обмежувачами на діодах, транзисторними ключами;

- розвиваюча: розширити світогляд студентів, поглибити вивчене для систематизації та узагальнення фундаментальних знань щодо обмежувачів на діодах, транзисторних ключів; розвивати вміння самостійно застосовувати знання до вирішення практичних завдань;

- виховна: виховувати увагу, логічне мислення, впевненість у вирішенні практичних завдань:

 

ОБЛАДНАННЯ: дошка, схеми, часові діаграми

 

ПЛАН

1 Формувачі прямокутних імпульсів. Обмежувачі послідовного та паралельного типу на діодах.

3 Транзисторний ключ.

 

ЗМІСТ ЛЕКЦІЇ

ФОРМУВАЧІ ПРЯМОКУТНИХ ІМПУЛЬСІВ. ОБМЕЖУВАЧІ ПОСЛІДОВНОГО ТА ПАРАЛЕЛЬНОГО ТИПУ НА ДІОДАХ

Обмежувачі амплітуди – пристрої, напруга на виході яких (uвих) пропорційна вхідній напрузі uвх поки остання не досягне деякого рівня - порога обмеження, після цього залишається постійною, не дивлячись на зміни uвх .

Щоб пропорційність між uвих і uвх  мала місце тільки на деякій ділянці, характеристика обмежувача uвих = f(uвх ) повинна бути нелінійною і тому необхідним елементом обмежувача є нелінійний елемент (НП діод, що володіє малими габаритами і масою і споживаючий незначну енергію, транзистори, лампи).

На рис.115 показані амплітудні характеристики обмежувачів з різними порогами обмеження. Напруга на виході обмежувача з характеристикою, зображеною на рис.115, а, слідує за вхідною напругою, поки остання не перевищить рівня Uобм. Подальше збільшення ивх не викликає змін uвих. Такий вид обмеження називається обмеженням по максимуму або обмеженням зверху.

Рисунок 115 – Амплітудні характеристики обмежувачів

 

На рис.115, б, в показані характеристики, що забезпечують відповідно обмеження по мінімуму (знизу) і двостороннє обмеження з рівнями обмеження Uогр1. i Uогр2 .

На рис.115, г дана характеристика, що забезпечує обмеження знизу на нульовому порозі. Обмежувач з такою характеристикою пропускає на вихід напругу тільки позитивної полярності. Обмежувач, який пропускає на вихід напруги тільки негативної полярності, повинен мати характеристику, розташовану в третьому квадранті (зображена пунктиром на рис.115, г).

При вивченні діодних обмежувачів слід виходити з того, що практично діод проводить струм, коли потенціал його анода вищий за потенціал катода. Роботу діодних обмежувачів розглядатимемо при дії на вхід синусоїдальної напруги.        

Залежно від способу з'єднання навантаження і діода розрізняють послідовні і паралельні діодні обмежувачі.

Послідовні діодні обмежувачі. Обмежувач з нульовим порогом обмеження.

Схема такого обмежувача приведена на рис. 116, а.

Рисунок 116 - Послідовні діодні обмежувачі. Обмежувач з нульовим порогом обмеження

З неї виходить, що вхідна напруга uвх розподіляється між діодом VD і резистором навантаження Rн . Від співвідношення їх опорів залежить, яка частина ит виділяється на виході.

Опір діода в прямому напрямі (Rпр) малий (одиниці –десятки Ом), в зворотному великий (Rн сотні кОм). Діод проводить струм коли потенціал його анода більше потенціалу катода. Тому позитивна напівхвиля напруги u+вх практично повністю виділяється на виході.

Опір діода у зворотному напрямі VDЗВ  набагато більший Rн. Тому негативна напівхвиля uвх практично повністю виділяється на діоді і uвих ≈ 0.

Діодний обмежувач можна розглядати як пристрій із змінним коефіцієнтом передачі (Кпер) вхідної напруги на вихід. Поки uвх не досягає порогу обмеження, Кпер  ≈ 1, тобто uвих ≈ uвх. Після досягнення порогу обмеження Кпер ≈ 0, т. е. uвих ≈ 0.

На рис.116,б зображені криві напруг uвх  і uвих ілюструючі роботу обмежувача (рис.116,а). Розглянута схема забезпечує обмеження вхідної напруги знизу з порогом обмеження, рівним нулю.

Обмеження зверху з нульовим порогом можна одержати, змінивши напрям включення діода (рис.116, в, г).

Обмежувач з нульовим порогом обмеження застосовується для виключення імпульсів певної полярності з послідовності різнополярних імпульсів (рис.116, д).

Паралельні діодні обмежувачі. Обмежувач з нульовим порогом обмеження. Схема такого обмежувача приведена на рис.117, а.

Рисунок 117 - Паралельні діодні обмежувачі. Обмежувач з нульовим порогом обмеження

 

Необхідним елементом її є обмежуючий резистор Rобм, який вибирають так, щоб виконувалася нерівність Rпр « Rобм« Rн « Rзв

де Rпр  і  Rзв — опори діода, зміщеного в прямому і зворотному напрямах.

Вхідна напруга обмежувача розподіляється між Rобм і ділянкою ланцюга, створеним паралельно включеним діодом і навантаженням Rн .

При відкритому діоді опір цієї ділянки за рахунок невеликого Rпр малий и майже вся вхідна напруга виділяється на Rобм (Rобм >> Rпр), а uвих ≈ 0. Закритий діод не шунтує навантаження Rн (Rзв >> Rн); вхідна напруга ділиться між Rобм  і Rн , і оскільки Rн  >> Rобм , то на навантаження падає основна частина uвх:

uвих ≈ uвх.

У схемі рис.117,а діод відкривається під час дії позитивної напівхвилі uвх. Тому на виході виділяється тільки негативна напівхвиля - схема забезпечує обмеження зверху з нульовим порогом.

Роботу обмежувача (рис.117, а) ілюструють часові діаграми (рис.117, б).

Якщо змінити напрям включення діода (рис.117, в, г), то на виході схеми виділиться позитивна напівхвиля — схема забезпечує обмеження знизу з нульовим порогом.

Обмежувач з ненульовим порогом обмеження.

Для отримання порогу обмеження, відмінного від нуля, послідовно з навантаженням включають джерело постійної напруги Е (рис. 118).

У схемі, зображеній на рис.4.18, а за відсутності вхідного сигналу джерело Е надає катоду діода VD негативний потенціал, анод діода через джерело вхідної напруги з'єднується з позитивним виводом + Е, так що діод зміщується в прямому напрямі. В результаті до надходження вхідної напруги діод відкритий і через резистор Rн протікає струм, створюючи на ньому напругу з полярністю, вказаною на рисунку.

г)

Рисунок 118 - Обмежувач з ненульовим порогом обмеження

 

Якщо нехтувати опором джерела і як і раніше вважати Rн »R пр, то основним опором в ланцюзі буде Rн, тому до моменту дії uвх  напруга и ≈Е і 

uвих = и- Е ≈ 0.

Позитивна напівхвиля uвх  діє згідно з Е і майже цілком (Rн »R пр) виділяється на резисторі Rн. Тому и = Е + uвх   і ивых = и -Е = uвх, т. е. вихідна напруга, починаючи наростати від нуля, повторює всі зміни вхідної напруги.

При дії негативної напівхвилі uвх  джерела Е і uвх , виявляються включеними зустрічно, так що результуюча напруга в ланцюзі

u = Е - uвх,

де uвх (тут і далі) — абсолютне значення напруги.

Поки напруга  Е — ивх  позитивна, діод зміщений в прямому напрямі, він проводить струм і напруга на виході рівна вхідної.

В деякий момент напруга наростаючої негативної напівхвилі uвх досягає значення, рівного Е. При цьому діод закривається і подальше збільшення uвх  не впливає на вихідну напругу.

Сказане ілюструється кривими (рис.118, г). Граничне значення потенціалу катода uпр = -Е. Тому , як тільки потенціал анода uвх стає меншим  uпр  , діод закривається і на виході встановиться напруга uвих = - Е. Таким чином, розглянута схема забезпечує обмеження знизу з негативним порогом Uобм = - Е.            

Якщо в схемі (рис.118,а) змінити полярність джерела Е і напрям включення діода, то вийде схема, приведена на рис.118,б. До моменту дії uвх напруга на виході рівна нулю. Граничне значення потенціалу анода (після закриття діода), вище за яке воно не може бути, в цьому випадку складає

uпр = Е.

Якщо потенціал катода рівний uвх, вхідна напруга, що перевищує uпр, на вихід передаватися не буде (див. криві рис. 118,д).

Комбінуючи обмеження зверху і знизу (рис.118, а, б), можна одержати двосторонній обмежувач (рис.118, в), який використовується для формування з синусоїдальної напруги трапецеїдальних імпульсів. Діод VD1 пропускає позитивну напівхвилю вхідної напруги, але обмежує негативну напівхвилю на рівні Е1. Діод VD2 пропускає з навантаження RH1 на вихід схеми обмежену негативну напівхвилю і обмежує на рівні Е2 позитивну напівхвилю.

Тимчасові діаграми на рис.118,ж відповідають ідеальному діоду Rпр = 0, RЗВ = ∞.

 

ТРАНЗИСТОРНИЙ КЛЮЧ

До складу багатьох імпульсних пристроїв входять електронні ключі. Основою будь-якого електронного ключа є активні елементи (НП діоди, транзистори, тиристори, електронні лампи), які прцюють в ключовому режимі. Цей режим характеризується двома станами: «Включений» або «Виключений». Ключові пристрої (ключі) служать для комутації кіл навантаження під впливом зовнішніх керуючих сигналів.

Ключі входять як окремі елементи до складу складних пристроїв – тригерів, мультивібраторів і інші.

У залежності від виду елемента, застосованого для комутації, ключові пристрої поділяються на механічні (звичайний вимикач), електромеханічні (электромагнітне реле) і електронні (діоди, транзистори (БТ і ПТ), електронні лампи).

В основі більшості імпульсних пристроїв, у тому числі цифрових, є ключовий транзисторний підсилювач (рис.119,а).

Рисунок 119 – Транзисторний ключ

 

Коли  під дією керуючої напруги uвх транзистор закритий, навантаження через резистор RК підключено до джерела живлення ЕК. Якщо керуючою напругою забезпечується насичення (включення) транзистора навантаження виявляється зашунтованим його незначним опором і напруга на неї близька до нуля.

Ключ утримується в одному стані, поки на вході зберігається відповідний рівень сигналу. Резистор RБ  обмежує струм бази, RК - колекторне навантаження, ЕК – джерело колекторної напруги.

Основними параметрами транзисторного ключа є опори у включеному і виключеному станах, залишкова напруга на ключі і швидкодія, обумовлена часом переключення.

Режими транзистора. Відповідно до функцій ключа транзистор може знаходиться в одному з двох статичних режимів: режимі відсікання (транзистор закрытий) і режимі насичення (транзистор відкритий і насичений). Активний режим роботи обумовлений переходом з одного статичного режиму в іншій.

Режим відсікання (транзистор закритий) визначається точкою А1 на вихідних статичних характеристиках транзистора (рис.119,б). Він виникає при негативній керуючій напрузі, якщо вона забезпечує закриття емітерного переходу (uБЕ <0, звичайно ≈0,4 В). Струм бази  IБ = 0, колекторний струм IК1 дорівнює початковому колекторному струму, а колекторна напруга UКЕ = UКЕ1 ≈ ЕК.

У режимі відсікання IК = IКБ0 ≈0, uКЕ(вих) = ЕК - IКБ0 RК ≈ ЕК.

Режим насичення (транзистор відкритий) визначається точкою А2 на вихідних статичних характеристиках транзистора, виникає при позитивній керуючій напрузі, при цьому базовий струм IБ  визначається в основному опором резистора RБ - IБ2  = UВХ / RБ, оскільки опір відкритого емітерного переходу малий, і якщо базовий струм задовольняє умові

IБ β ≥ IКН,

де β – коефіцієнт підсилення базового струму; IКН – струм насичення колектора.

Колекторний перехід також відкритий і струм колектора

IК2 = IКН ≈ ЕК / RК,

а колекторна напруга uКЕ2нас = ЕК - IКН RК ≈ 0 (звичайно ≈0,2 В).

З режиму відсікання в режим насичення транзистор переводиться дією позитивної вхідної напруги. При цьому підвищенню вхідної напруги (потенціалу бази) відповідає пониження вихідної напруги (потенціалу колектора), і навпаки. Такий ключ називають інвертуючим (інвертором).

Транзисторний ключ є найпростішим цифровим пристроєм, на основі якого будуються усі інші цифрові схеми.

Такий підсилювач часто використовують в якості підсилювача потужності сигналів керування виконавчими пристроями і контролю технологічних процесів. При цьому замість резистора RК вмикається обмотка електромагнітного реле (К), невеликий електродвигун, сигнальна лампа та інше.

Тому що транзистор є інерційним приладом, то перехід ключа з одного стаціонарного стану в іншій відбувається немиттєво. Час перемикання ключів на БТ визначається ємностями p-n- переходів і процесами накопичення і розсмоктування неосновних носіїв заряду в базі.

Для збільшення швидкодії і вхідного опору використовують ключі на польових транзисторах.

Ключі на польових транзисторах реалізуються на польових транзисторах типу МДН або МОН.

Від біполярних МДН-транзистори відрізняються великим вхідним опором за постійним струмом і меншою площею, займаної на ізоляційній основі при інтегральному виконанні. Ключ на МДН-транзисторі з индукованим каналом р-типу зображений на рис.120,а.

Рисунок 120 - Ключ на МДН-транзисторі з индукованим каналом р-типу

 

Опір резистора RС має значення десятків кОм. Якщо напруга uкер між затвором З і витоком В менш негативна, чим гранична (порогова) (рис.120,б), транзистор закритий і стокова напруга uС близька до –ЕС. Коли негативним керуючим імпульсом транзистор відкривається, робоча точка виявляється в крутій області стокових характеристик (рис.120,в), де залишкова напруга Uзал на транзисторі мала.

ДОМАШНЄ ЗАВДАННЯ:

1  В чому полягає поняття електронний ключ?

2  Подати особливості роботи транзисторного ключа в стані відсіку та насичення.

3  За якими параметрами здійснюється вибір транзисторного ключа?

4 Ключовий підсилювач за схемою рис.1 керує вмиканням сигнальнї лампи з параметрами UНОМ = 48 В, ІНОМ =55 мА за сигналом від давача. Коли спрацьовує давач, на вхід надходить напруга U1 = 4 В, вхідний струм при цьому І1 = 1,5 мА. Напруга живлення схеми Ек = 48 В. Знайти коефіцієнти підсилення підсилювача за струмом і потужністю.

5 Розрахувати параметри транзисторного ключа (рис.5.3,а) , якщо напруга джерела живлення U = 40 B, потужність Рн = 40 Вт та напруга навантаження Uн = 30 В. Період сигналу керування ключем T = 1 мкс.

 

ВИКЛАДАЧ– Ковальова Т.І.

 

ЛЕКЦІЯ № 33, 34 (4 год.)

 


Дата добавления: 2018-04-05; просмотров: 978; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!