Порядок проведения лабораторной работы

⇐ ПредыдущаяСтр 12 из 12

Исследование регулировочных, внешних и энергетических характеристик Понижающего регулятора постоянного напряжения при работе на активно-емкостную нагрузку проводится на виртуальной установке (рис. 8.1), подробное описание которой приведено выше.

Параметры силового полупроводникового модуля задаются преподавателем. При самостоятельном изучении их целесообразно задать такими же, как на рис. 8.2. Величина последовательной индуктивности равна 0,5 Гн. Параметры моделирования задаются на вкладке Simulation/рarameters (рис. 8.6).

При снятии характеристик параметры R, С нагрузки остаются без изменений, изменяется длительность импульса генератора (поле Dute cycle, рис. 8.3) от 0 % до 100 % с шагом 20 %.

При этом моделирование проводится для каждого значения длительности импульса генератора (длительности включённого состояния силового модуля). Результаты моделирования и последующих вычислений заносятся в табл. 8.1.

Исходные данные модели (В), (Гц), (Ф), (Ом), L (Гн)

Табл. 8.1

Данные	Измерения	Вычисления
				RMS
	А	В	А	А	В	А	Вт	Вт	Вт

Средний ток в источнике питания определяется по показаниям Display 1. На блоке Display (рис. 8.1) измеряемые величины представлены в следующей последовательности: (1) Средний ток нагрузки. (2) Среднее напряжение на нагрузке. (3) Действующий ток в силовом полупроводниковом модуле.

Мгновенные значения тока питания, нагрузки и напряжения на нагрузке можно наблюдать на экране осциллоскопа (рис. 8.7).

Мгновенные значения тока и напряжения силового модуля можно наблюдать на экране осциллоскопа (Scope 1, рис. 8.8).

Рис. 8.7.Осциллограммы тока питания, тока нагрузки и напряжения на нагрузке

Рис. 8.8.Ток и напряжение силового модуля

Относительная продолжительность импульса напряжения на нагрузке определяется как длительность импульса генератора, поделённая на 100.

Мощность в цепи источника питания рассчитывается по выражению:

(Вт),

где - напряжение питания.

Квазистатические потери в силовом полупроводниковом модуле рассчитываются по выражению:

где - параметр силового модуля (рис. 8.2); I (RMS) – его действующий ток (табл. 8.1).

Мощность в нагрузке определяется по выражению:

(Вт)

По результатам табл. 8.1 строятся:

- регулировочные характеристики регулятора ;

- энергетические характеристики регулятора I (RMS), , = f (),

8.6 Содержание отчёта

- Схема виртуальной установки.

- Выражения для расчёта основных характеристик.

- Регулировочная характеристика.

- Энергетические характеристики.

- Выводы по работе.

Приложение

Трансформаторы

Тип трансформатора	, кВА	, %	Вт	, Вт	, %
ТС-10/0,66		4,5
ТС-16/0,66		4,5			5,8
ТС-25/0,66		4,5			4,8
ТС-40/0,66		4,5			4,0
ТС-63/0,66		4,5			3,3
ТС-100/0,66		4,5			2,7
ТС-160/0,66		4,5			2,3

Примечание:

Номинальное напряжение на первичной обмотке = 660 В, номинальные вторичные напряжения – 230 В и 400 В.

Расчёт относительных параметров трансформатора

1. Базовое сопротивление:

2. Номинальный ток первичной обмотки трансформатора:

3. Коэффициент мощности при коротком замыкании:

где

4. Полное сопротивление короткого замыкания:

5. Активное сопротивление короткого замыкания:

, (Ом).

6. Реактивное сопротивление короткого замыкания:

, (Ом).

7. Относительные сопротивления первичной и вторичной обмоток:

8. Относительные индуктивности рассеяния первичной и вторичной

обмоток:

9. Относительные сопротивление и индуктивность ветви

намагничивания:

Литература

1. Герман-Галкин С. Г. Компьютерное моделирование полупроводниковых систем. СПб.: КОРОНА принт, 2001.

2. Глазенко Т. А. Полупроводниковые преобразователи в электроприводах постоянного тока. Л.: Энергия, 1973.

3. Глазенко Т. А, Гончеренко Р.Б. Полупроводниковые преобразователи в электроприводах постоянного тока. Л.: Энергия, 1969.

4. Гультяев А. К. Имитационное моделирование в среде Windows. СПб.: КОРОНА принт,1999.

5. Гультяев А. К. Визуальное моделирование в среде Matlab. СПб.: Питер,2000.

6. Дьяконов В. П., Абраменкова И. В. Система символьной математики. М.: Нолидж,1999.

7. Дьяконов В. П., Абраменкова И. В., Круглов В. В. Matlab 5 с пакетами расширения. М.: Нолидж, 2001.

8. Дьяконов В. П., Абраменкова И. В., Круглов В. В. Обработка сигналов и изображений. Специальный справочник. СПб.: Питер,2002.

9. Дьяконов В.П. SIMULINK-4. Специальный справочник. СПб.: Питер,2002.

10. Забродин Ю. С. Промышленная электроника. М.: Высшая школа, 1981.

11. Лазарев Ю. Matlab 5.х. Киев: Ирина; СПб.: BHV, 2000.

12. Медведев В. С., Потемкин В. Г. Control System Toolbox. Matlab 5 для студентов. М.: ДИАЛОГ-МИФИ, 1999.

13. Прянишников В. А. Электроника. Курс лекций. СПб.: КОРОНА принт, 1999.

14. Применение силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике. / С. Г. Галкин, В. А. Рудский, Н.Н. Юрченко. Киев: Препр. АН УССР. Ин-т Электродинамики, 1990.

15. Ромаш Э. М., Драбович Ю. И., Юрченко Н.Н., Шевченко П. В. Высокочастотные транзисторные преобразователи. М.: Радио и связь, 1988.

16. Способы уменьшения динамических потерь в транзисторных инверторах / А.К. Шидловский, Ю. И. Драбович и др. Киев: Препр. АН УССР. Ин-т Электродинамики, 1982.

17. Цифровые электроприводы с транзисторными преобразователями /С.Г. Герман-Галкин, В. Д. Лебедев, Б. А. Марков, Н. И. Чичерин. Л.: Энергоатомиздат, 1986.

18. Чиженко И.М., Руденко В.С., Сенько В.И. Основы преобразовательнойтехники. М.: Высшая школа, 1974.

Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 15; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 3 4 5 6 7 8 9 10 1112

Мы поможем в написании ваших работ!