Описание виртуальной лабораторной установки
Виртуальная лабораторная установка для исследований показана на рис. 8.1. Она содержит:
- источник постоянного напряжения (240 В);
- активно-емкостную нагрузку (R, С);
- последовательно-накопительную индуктивность (дроссель) (Series L);
- измерители мгновенных токов в источнике питания (I1) и нагрузке (I Load);
- измеритель мгновенного напряжения на нагрузке (U Load);
- блок для измерения среднего значения тока питания (Fourier I1);
- блок для измерения среднего значения тока нагрузки (Fourier I0);
- блок для измерения среднего значения напряжения на нагрузке (Fourier U0);
- блок для измерения действующего значения тока силового полупроводникового модуля (RMS T);
- блок для наблюдения (измерения) мгновенных значений тока в цепи питания, тока нагрузки и напряжения на нагрузке (Scope);
- блок для наблюдения (измерения) мгновенных значений тока и напряжения силового модуля (Scope 1);
- блок для измерения величины среднего значения тока в цепи питания (Display 1);
- блок для измерения величин средних значений тока и напряжения на нагрузке, а также действующего тока в силовом полупроводниковом модуле (Display);
- блоки Mux и Demux для собирания и разделения сигналов;
- силовой транзисторный модуль на MOSFET-транзисторе с обратным диодом (Mosfet);
- импульсный генератор (Pulse Generator) для управления модулем.
Рис. 8.1.Модель понижающего регулятора постоянного напряжения
Большинство примененных блоков описаны в предыдущих работах. Окно настройки параметров силового полупроводникового модуля показано на рис. 8.2.
|
|
|
Рис. 8.2.Окно настройки параметров силового модуля
В полях настройки заданы:
- динамическое сопротивление полупроводникового транзистора в открытом состоянии в Омах (Ron, Ohms);
- индуктивность транзистора в открытом состоянии в Генри (Lon, H);
- сопротивление обратного диода в открытом состоянии в Омах (Rd);
- начальный ток в модуле;
- параметры демпфирующих цепей (Snubber resistance Snubber capacitance);
Параметры генератора задаются в окне параметров (рис. 8.3). В исследуемой модели установлены следующие параметры генератора:
- амплитуда напряжения – 1 В;
- период напряжения 
= 0,001 с. (частота 
= 1000 Гц).
Рис. 8.3.Окно настройки параметров генератора
Окно настройки параметров нагрузки показано на рис. 8.4. Для реализации активно-емкостной нагрузки в параллельной R, L, C-цепи в73 первом и третьем полях (Resistance R, Ohms, Capitance C, F) устанавливается значение активного сопротивления в Омах и ёмкости в фарадах, во втором поле (Inductance L, H) - бесконечность (inf).
Рис. 8.4.Окно настройки параметров нагрузки
Рис. 8.5.Окно для измерения действующего тока
Рис. 8.6. Параметры моделирования
|
|
|
В окнах настройки параметров блока Fourier I1, Fourier I0, Fourier U1, (рис. 8.1) устанавливается частота, равная частоте напряжения генератора (1000 Гц), и номер нулевой гармоники. Окно блока для измерения действующего тока в полупроводниковом модуле (RMS T) показано на рис. 8.5. В поле окна вводится частота, на которой производится измерение (в данном случае – это частота генератора.
Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 15; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!