Порядок проведения лабораторной работы
Исследование регулировочных и энергетических характеристик мостового широтно-импульсного преобразователя (ШИП) с симметричным законом управления при работе на активно-индуктивную нагрузку с противо-э.д.с. проводится на виртуальной установке (рис. 6.6.1), подробное описание которой приведено выше.
Параметры источника питания, нагрузки и тиристорного моста задаются преподавателем. При самостоятельном изучении их целесообразно задать такими же, как на рис. 6.2, 6.3, 6.6. Параметры моделирования задаются на вкладке Simulation/рarameters (рис. 6.8).
Рис. 6.8.Параметры моделирования
При снятии характеристик параметры R, L нагрузки остаются без изменений, изменяется напряжение управления от -2 В до 2 В с шагом 0,5 В. Характеристики снимаются для трёх значений э.д.с. нагрузки 0, 100, 200 В.
При этом моделирование проводится для каждого значения напряжения управления и э.д.с. Результаты моделирования и последующих вычислений заносятся в табл. 6.1.
Табл. 6.1
| Данные | Измерения | Вычисления | ||||||||||
| Е | 
| 
| 
| 
|  RMS
| 
| 
| 
| 
| 
| 
|
| град | В | А | В | А | А | А | В | А | Вт | Вт | Вт | |
Средний ток в источнике питания определяется по показаниям Display 1. На блоке Display (рис. 6.1) измеряемые величины представлены в следующей последовательности:
(1) Средний ток нагрузки. (2) Среднее напряжение на нагрузке. (3) Средний ток в силовом полупроводниковом модуле. (4) Действующий ток в силовом полупроводниковом модуле. Мгновенные значения тока питания, нагрузки и напряжения на нагрузке можно наблюдать на экране осциллоскопа (рис. 6.9).
|
|
|
Рис. 6.9.Ток питания, ток нагрузки и напряжение на нагрузке
В графическом окне блока Multimeter (рис. 6.10) наблюдаются и определяются максимальные напряжение и ток силового полупроводникового модуля.
Окно настройки параметров блока Multimeter показано на рис. 6.11. В правое поле помещены переменные, подлежащие измерению. При этом существенна последовательность, в которой эти переменные помещены в правое поле. В такой же последовательности они представлены на выходе блока Demux (рис. 6.1). Включённый флажок Display signals at simulation stop обеспечивает появление графического окна (рис. 6.10) по окончании моделирования.
Относительная продолжительность импульса напряжения на нагрузке определяется по формуле:
,
где 
- период напряжения ГПН;
Рис. 6.10.Напряжение и ток силового транзистора
определяется по осциллограмме Load Voltage (рис. 6.9) на оси абсцисс (т.е. при напряжении ОВ).
Мощность в цепи источника питания рассчитывается по выражению:
(Вт),
где 
- напряжение питания.
|
|
|
Квазистатические потери в силовом полупроводниковом модуле рассчитываются по выражению:
где 
, 
, 
- параметры силового модуля (рис. 6.3); I 
, I 
(RMS) – его средний и действующий ток (табл. 6.1).
Мощность в нагрузке определяется по выражению:
(Вт)
По результатам табл. 6.1 строятся:
- регулировочные характеристик ШИП 
;
- энергетические характеристики ШИП 
I (RMS), I , 
= f (), 
Рис. 6.10.Окно настройки параметров блока Multimeter
6.6 Содержание отчёта
- Схема виртуальной установки.
- Выражения для расчёта основных характеристик.
- Регулировочные характеристики при трёх заданных э.д.с. нагрузки.
- Энергетические характеристики при трёх заданных э.д.с. нагрузки.
- Выводы по работе.
Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 16; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!