Некоторые термодинамические данные
| В-во | ΔH298 (ккал/моль) | S298 (кал/(К*моль)) |
| GaP | -24,5 | 12,4 |
| H2 | 0 | 31,2 |
| P2 | 33,8 | 52,1 |
| Ga2O | -19,7 | 67,9 |
| H2O | -57,8 | 45,1 |
| Ga2O3 | -240 | 20,2 |
| Ga | 1,34 | 9,82 |
Теплофизические характеристики для легирования арсенида галлия марганцем
D0=0,65 см2/с
Ea=2,49 эВ
k=8,617*10-5 эВ/К
Вывод: В ходе данной курсовой работы был смоделирован процесс газофазного осаждения фосфида галлия. Расчёты показали, что интересующий нас интервал температур полностью лежит в области, в которой конкурирующие реакции не протекают. В связи с этим мы имеем большой произвол в выборе как температур, так и влажностей, что весьма удобно при производстве.
Во второй части был смоделирован процесс легирования арсенида галлия марганцем, получая тем самым p-n-переход. Расчёты показали, что глубина залегания p-n-перехода лежит в промежутке 20~50 мкм, что также является неплохим результатом для промышленного производства.
Список использованной литературы:
[1]: Расчёт газотранспортных и диффузионных процессов в технологии изделий электроники и наноэлектроники: учебное пособие/ Зубко С.П., Медведева Н.Ю., Никитин А.А., Семёнов А.А. – Санкт-Петербург: издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2020. – 32 с. - ISBN 978-5-7629-2656-0
[2]: Журавлёв К.С. Свойства легированных марганцем слоев арсенида галлия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута/ Журавлёв К.С., Шамирзаев Т.С., Якушева Н.А./ Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7. - Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск.
|
|
|
[3]: Борубина В.Г. Исследования магнитных свойств в GaAs:Mn, LaSrMnO3 и YIG/ Борубина В.Г.; под руководством Кучинского В.И.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. Санкт-Петербург, 2019. – 187 с.
Дата добавления: 2022-11-11; просмотров: 54; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!