Описание виртуальной лабораторной установки и методики измерений

⇐ ПредыдущаяСтр 8 из 16Следующая ⇒

1. Лабораторная установка для исследований силовых ключей на биполярных транзисторах, предусмотренных содержанием работы, показана на рис. 3.7. Установка содержит:

‒ функциональный генератор сигналов (Function Generator – XFG1);

‒ двухлучевой осциллограф (Oscilloscope – XSC1);

‒ модель силового биполярного транзистора Q1 типа ZTX851;

‒ модель силового быстродействующего диода D1 типа MBR7545;

‒ измерительные пробники 1 и 4;

‒ потенциометр R3, управляемый клавишей А в сторону повышения сопротивления и клавишами shift + A в сторону понижения сопротивления;

‒ резистор R2;

‒ источники напряжения V1 и V3;

‒ переключатель J1, управляемый нажатием клавиши пробел (space).

Рис. 3.7. Установка для исследования биполярных транзисторных ключей

2. Амплитуда выходных импульсов функционального генератора XFG1 и величина источника напряжения V3 устанавливаются равными типовому питающему напряжению драйверов для биполярных транзисторов (табл. 3.2). Напряжение источника V1 устанавливается равным максимально допустимому напряжению коллекторного перехода транзистора ZTX851. Сопротивление виртуального резистора определяется из выражения

, (3.7)

где – максимально допустимый ток коллектора транзистора ZTX851, и округляется до целого значения. Коэффициент насыщения транзистора устанавливается в диапазоне оптимальных значений 2…3 следующими настроечными операциями:

‒ виртуальный резистор шунтируется перемычкой (рис. 3.8);

Рис. 3.8. Настройка оптимального коэффициента насыщения силового ключа

‒ включается моделирование нажатием кнопки ;

‒ регулировкой потенциометра выставляется значение тока измерительного пробника 4 равным:

; (3.8)

– определяется коэффициент усиления транзистора Q1 по току как отношение токов 4-го и 1-го измерительных пробников:

; (3.9)

– отключается перемычка, шунтирующая резистор , и вычисляется значение коэффициента насыщения c использованием тока 4-го пробника, измеренного при отключенной перемычке:

(3.10)

3. Динамические параметры включения силового транзисторного ключа Q1 определяются с помощью двухлучевого осциллографа XSC1 в режиме внешней синхронизации при масштабе (Scale) горизонтальной развертки 100 ns/div. Развертка запускается положительным перепадом импульсов выходного напряжения функционального генератора сигналов XFG1. При нажатии кнопки на экране осциллографа воспроизводится переходная характеристика включения силового биполярного транзистора Q1 (рис. 3.9). С помощью визирной линии 2 регистрируется продолжительность включения транзистора 114,236 нс, по визирной линии 1 определяются задержка включения и продолжительность нарастания тока .

Рис. 3.9. Переходная характеристика включения
биполярного транзисторного ключа

4. Динамические параметры выключения силового транзисторного ключа Q1 также определяются с помощью осциллографа при запуске горизонтальной развертки отрицательным перепадом импульсов выходного напряжения функционального генератора сигналов XFG1. На экране осциллографа воспроизводится переходная характеристика выключения мощного транзисторного ключа (рис. 3.10). По визирной линии 2 определяется продолжительность переходного процесса выключения , c помощью визирной линии 1 находится длительность этапа рассасывания неосновных носителей и этапа спада коллекторного тока

5. Сравнение переходных характеристик выключения (рис. 3.10) и включения (рис. 3.9) мощного транзисторного ключа приводит к выводу о том, что быстродействие последнего ограничивается большим временем выключения , при этом период коммутации транзисторного ключа = При таком периоде коммутации и типовых значениях 0,95…0,98 частота коммутации ключа на биполярном транзисторе не может превышать 10…12 кГц, т. е. для силовой электроники является невысокой.

Рис. 3.10. Переходная характеристика выключения
биполярного транзисторного ключа

6. Для получения осциллограммы импульсов напряжения на выходе транзисторного ключа, коммутируемого от функционального генератора с частотой 150 Гц, необходимо выполнить настройки согласно рис. 3.11 и измерить с помощью визирных линий осциллографа амплитуду выходных импульсов напряжения.

Рис. 3.11. Временная диаграмма коммутации транзисторного ключа

7.Характеристика насыщения проводящего транзисторного ключа и его статические параметры (остаточное напряжение в замкнутом состоянии
и сопротивление в режиме насыщения ) находятся при выполнении следующих операций (рис. 3.12):

‒ клавишей пробел (Space) перевести переключатель J1 лабораторной установки в нижнее положение;

‒ включить моделирование, измерить пробником 4 падение напряже-
ния и ток в проводящем ключе;

‒ увеличить сопротивление резистора в 2; 4 и в 10 раз, повторить измерения;

‒ по полученным данным построить характеристику насыщения
, продолжить ее до пересечения с вертикальной осью координат и
в точке пересечения определить остаточное напряжение
) транзисторного ключа;

– сопротивление ключа в режиме насыщения ( ) вычислить как отношение:

, (3.11)

где , и , – напряжения и токи, полученные при первом и последнем измерениях.

Рис. 3.12. Снятие характеристики насыщения
биполярного транзисторного ключа

8. Измерения динамических параметров включения силового MOSFET транзисторного ключа (рис. 3.13) и IGBT транзисторного ключа (рис. 3.14) осуществляются по методике, рассмотренной в п. 3 (с. 35). Напряжение источника V1 и сопротивление резистора R2 определяются в соответствии с рекомендациями, приведенными в п. 2 (с. 34).

Для измерения динамических параметров выключения силового MOSFET транзисторного ключа (рис. 3.15) и IGBT транзисторного ключа (рис. 3.16) следует воспользоваться рекомендациями, приведенными в п. 4 (с. 36). Импульсы напряжений, формируемых данными ключами (рис. 3.17 и 3.18), выводятся на экран осциллографа в соответствии с указаниями п. 6 (с. 37). Характеристики насыщения MOSFET и IGBT силовых ключей (рис. 3.19 и 3.20) снимаются по аналогии с п. 7 (с. 37).

Рис. 3.13. Снятие переходной характеристики включения
MOSFET транзисторного ключа

Рис. 3.14. Снятие переходной характеристики включения
IGBT транзисторного ключа

Рис. 3.15. Снятие переходной характеристики выключения
MOSFET транзисторного ключа

Рис. 3.16. Снятие переходной характеристики выключения
IGBT транзисторного ключа

Рис. 3.17. Временная диаграмма импульсов напряжения,
формируемых MOSFET транзисторным ключом

Рис. 3.18. Временная диаграмма импульсов напряжения,
формируемых IGBT транзисторным ключом

Рис. 3.19. Снятие характеристики насыщения MOSFET транзисторного ключа

Рис. 3.20. Снятие характеристики насыщения IGBT транзисторного ключа

Домашняя подготовка

1. Изучить раздел 3.1 данной работы. В качестве дополнительной литературы рекомендуется воспользоваться [2].

2. Привести статические и динамические параметры ключей на биполярных транзисторах.

3. Привести статические и динамические параметры ключей на MOSFET-транзисторах и IGBT-транзисторах.

4.Привести предельно допустимые параметры ключей на биполярных транзисторах.

5. Привести предельно допустимые параметры ключей на MOSFET-транзисторах и IGBT-транзисторах.

6. Привести схему виртуальной установки для исследования биполярных транзисторных ключей.

Рабочее задание

1. Открыть виртуальную лабораторную работу «VT» в папке «Лаб. транз.» и ввести в состав установки (рис. 3.9) заданную преподавателем модель биполярного транзистора (табл. 3.5).

2. Выполнить настроечные операции в соответствии с п. 2 (с. 34). Результаты настройки привести в отчете в виде схемы (рис. 3.8) с полученными при настройке данными. Измеренные значения коэффициента усиления и степени насыщения записать в подрисуночной подписи к этой схеме.

Таблица 3.5

Дата добавления: 2018-11-24; просмотров: 160; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 3 4 5 6 789 10 11 12 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!