Модули силовых биполярных транзисторов фирмы Mitsubishi
| 600 | ||||||||
 , A
| 15 | 30 | 50 | 75 | 100 | 150 | 200 | 400 | 500 |
| Схема Дарлингтона | QM15HA-H | QM30HA-H | QM50HA-H | QM75HA-H | QM100HA-H | QM150HA-H | QM200HA-H | QM400HA-H | QM500HA-H |
К числу недостатков силовых транзисторных ключей относятся невысокая частота коммутации (не более 10 кГц) из-за значительного времени рассасывания 
и запирания 
, возможность теплового пробоя, чувствительность к температуре. Для управления высоковольтными ключами требуется значительный базовый ток, который обеспечивают специальные формирователи импульсов управления (драйверы), выпускаемые в интегральном исполнении (табл. 3.2).
Таблица 3.2
Интегральные драйверы управления модулями силовых транзисторов
фирмы Mitsubishi
| Тип драйвера | Функция | Предельная токовая нагрузка ключа | Выходные токи, А | Напряжение источника питания, В | Примечание | ||
|
| |||||||
| 
| Максим. | Типовое | Требуются внешние диоды для обратного смещения | |||
| M 57 903 L | Управление схемой | Один ключ на 50 А | 0,9 | 2 | 14 | 10 | |
| M 57 903 L | Три ключа на 50 А | 0,65 | 2 | 14 | 10 | ||
Силовые ключи на MOSFET -транзисторах (рис. 2.1, е)представляют собой приборы с вертикальной структурой, состоящей из сотен параллельно включенных полевых структур. Это позволяет получать высоковольтные транзисторы с минимальным значением сопротивления 
в открытом состоянии. Для работы в ключевом режиме выпускаются транзисторы с диапазоном токов до 200 А на напряжения до 1200 В при сопротивлении канала от 0,0055 до 3 Ом. В MOSFET-транзисторах используется структура (рис. 3.1, а), состоящая из металла и полупроводника, разделённых слоем окисла (SiO2). При подаче на затвор напряжения, положительного относительно подложки, электрическое поле отталкивает дырки, находящиеся близко к поверхности затвора, и притягивает электроны из глубины p-области. При достижении напряжением на затворе пороговой величины происходит инверсия проводимости приповерхностного слоя полупроводника и образование между стоком и истоком свободного канала для протекания тока (рис. 3.1, б).
|
|
|
Индуцированный (наведенный) канал может быть n-типа или p-типа. Силовые ключи на MOSFET-транзисторах управляются напряжением (электрическим полем), а не током. Управление напряжением снижает мощность и упрощает схему драйверов MOSFET-ключей, так как ток в цепи затвора протекает лишь в короткие моменты зарядки-разрядки емкостей транзисторов и прекращается по завершении коммутационных переходных процессов. Оптимальный уровень управляющего напряжения составляет 12…15 В, а величина порогового напряжения от 2 до 5 В. Силовые MOSFET-ключи значительно превосходят по быстродействию ключи на биполярных транзисторах и могут коммутироваться на частотах дo 100 кГц и выше. Кроме того, параметры MOSFET-ключей меньше зависят температуры, чем параметры ключей на биполярных транзисторах (табл. 3.3), что позволяет эффективнее использовать MOSFET-ключи
по передаваемой мощности.
|
|
|
а б
Рис. 3.1. Структура MOSFET-транзисторов (а), MOSFET-транзистор
с индуцированным каналом n-типа (б)
Таблица 3.3
Дата добавления: 2018-11-24; просмотров: 130; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!