Результаты измерений и расчетов

, А		0,5	1,0	3,0	5,0	10,0	15,0	30,0
, B	Выпрям.
	Быстровосст.
	Шоттки
, B , мОм (расчет)	Выпрям.
	Быстровосст.
	Шоттки
, мВ	Выпрям.
	Быстровосст.
	Шоттки
, мОм (расчет)	Выпрям.
	Быстровосст.
	Шоттки
, В		10	20	40	60	80	90	100
, мкА	Выпрям.
	Быстровосст.
	Шоттки

 

4. Для указанных в табл. 2.3 значений прямого тока измерить с помощью пробника переменную составляющую прямого напряжения выпрямительного диода и рассчитать его динамическое сопротивление (см. рис. 2.1)
для этих значений прямого тока. Построить график зависимости динамического сопротивления диода от прямого тока и объяснить его характер.

5. Заменить в схеме установки (рис. 2.4) источник тока  на источник обратного напряжения. Снять по точкам обратную ветвь ВАХ диода , устанавливая этим источником значения напряжения  согласно табл. 2.3 и измеряя пробником обратный ток . Результаты измерений занести в табл. 2.3 и построить график обратной ветви ВАХ для . Провести аналогичные измерения и построения для быстродействующего диода и диода Шоттки.

6. Собрать схему рис. 2.5, а для измерения динамических параметров быстродействующих диодов, установить органы управления осциллографом XSC1 согласно рис. 2.5, б; перевести генератор сигналов в режим формирования выходного переменного напряжения прямоугольной формы с амплитудой 100 В и частотой следования 150 Гц. Включить моделирующую установку кнопкой  и снять осциллограмму коммутации тока (рис. 2.5) в быстродействующих диодах.

7. Подбором соответствующей скорости развертки (см. рис. 2.6) получить осциллограммы переходного процесса коммутации тока диодов. Определить по ним время рассасывания , время спада обратного тока , время обратного восстановления  и амплитуду обратного тока у быстродействующих диодов; рассчитать заряды ,  и . Результаты измерений и расчетов занести
в табл. 2.4.

Таблица 2.4

Результаты измерений и расчетов динамических параметров

Диоды	Параметры
	нс			мккул
Быстрод.
Шоттки

Содержание отчета

1.Схемы установок (рис. 2.4 и 2.5).

2.Уравнение ВАХ силовых диодов и формулы для расчета статических и динамических параметров.

3. Осциллограммы и графики ВАХ исследуемых диодов.

4. Таблицы 2.2, 2.3, 2.4.

5. Осциллограммы переходных процессов запирания исследуемых диодов.

6. Выводы по работе, сравнительные характеристики исследуемых диодов по статическим и динамическим показателям, рекомендации по их выбору для силовых электронных устройств.

 

Контрольные вопросы

1.Разновидности силовых полупроводниковых диодов.

2.Состав и назначение узлов виртуальных установок (рис. 2.4 и 2.5).

3.Принцип моделирования ВАХ силовых диодов.

4.У каких силовых диодов не нормируется время обратного восстановления?

5.Рассчитать потери мощности в быстродействующих диодах при коммутации тока 30 А с частотой 20 кГц.

6. Сущность методик измерения статических и динамических параметров силовых диодов.

Рекомендуемая литература

1. Розанов Ю.К. Силовая электроника : учеб. для вузов / Ю.К. Розанов, М.В. Рябчицкий, А.А. Кваснюк. – М. : МЭИ, 2007. – 632 с.

2. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение / П.А. Воронин. – М. : Додэка, 2001. – 384 с.

 

---

Дата добавления: 2018-11-24; просмотров: 99; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

---

---

Мы поможем в написании ваших работ!