Методы электронной микроскопии
Растровый электронный микроскоп (РЭМ) является одним из наиболее универсальных приборов для иследование и анализа микроструктурных характеристик твердых тел. Основной причиной широкого использование РЭМ является высокое разрешение при исследовании массивных объектов. На лучших лабораторных приборах реализовано разрешение 2,5 нм.
Другой важной чертой получаемых с помощью РЭМ изображении является их объемность обусловленная большой глубиной фокуса прибора. Большая глубина фокуса этого микроскопа дает возможность получить более полную информацию об образце. РЭМ позволяет также исследовать объекты при очень малых увеличении, что особенно важно в криминалистике и ряде других областей.
Ряд источников информации в РЭМ, например рентгеновские излучение, оже-электроны дают полезные данные о составе в близи поверхности образца. Другие явление, которые могут изучаться путем взаимодействием образца, дают кристаллографические, магнитные и электрические характеристики объекта. В чем же особенность растрового микроскопа?
Во-первых, электронно - зондовая система и поточечный принцип формирования изображения оказались несравненно более гибкими, чем традиционная оптическая система обычно просвечивающего электонного микроскопа. Отсутствия отоброжающей оптики за объектом и наличие детекторов разнообразных сигналов позволяют извлечь боготейшую информацию об объекте. Прежде всего это расширило аналитические возможности, а именно возможности проведения рентгеноспектрального и катодолюминесцентного микроанализов, электронной спектрометрии и т.п. Теперь уже и обычные просвечивающие электронные микроскопы для расширения аналитических возможностей снабжаются спецальными приставками для работы в растровом режиме.
|
|
|
Во-вторых, в наиболее широко используемом режиме вторичной электронной эмиссии в растровом микроскопе реализуется очень большая глубина фокуса - на 2 - 3 порядка выше, чем у оптического микроскопа. В сочетании с хорошей наглядностью изображения во вторичных электронах это уникальная особенность растрового микроскопа сделала его незаменимым при исследовании массивных объектов с ярко выраженным рельефом поверхности.
В-третьих, растровый микроскоп позволяет наблюдать контраст магнитных и электрических микрополей. Изучение распределения потенциалов и измерение локальных потенциалов очень важно при исследовани объектов полупроводниковой микроэлектроники.[3]
Растровый электронный микроскоп JSM-6390
Отличается высоким разрешением при низких напряжениях ускорения, эффективным наблюдением за образцами за счет использования таких новшеств как тройной показ. Гарантируется разрешение 3.0 нм и при низких напряжениях ускорения. Также возможны режимы разрешения 8 нм при напряжении 3.0 кВ и 15 нм - при 1 кВ, являющиеся чрезвычайно высокими для микроскопов этого класса.
|
|
|
Используя уникальные функции, типа тройного показа, показ в режиме раскола и режим гибкого окна, Вы можете сравнить изображения от различных сигналов.
Смешивание позволяет Вам комбинировать различные сигналы, таким образом, Вы можете визуализировать изображение различными способами.
Путем сохранения перемещающихся изображений, Вы можете записать историю наблюдения и динамику поведения образца.
Новая электронная оптическая система достигает минимального пятикратного усиления (при рабочем расстоянии (WD) 48 мм), облегчая поиск области изображения. Простой в использовании, улучшенный графический интерфейс пользователя (ГИП) с множеством функций для автоматизации задач, позволяет Вам наблюдать изображения согласно сохраненным шаблонам, и более эффективно представить на рабочем столе.
«Smile Shot», простая функция, позволяет Вам получить изображение, просто выбирая тип образца. Используя встроенные иконки, Вы можете сделать ГИП проще для работы в ваших целях.
|
|
|
Устройство имеет четыре встроенных порта для энергетический дисперсионного спектрометра (ЭДС) и других устройств, а также дополнительные разъемы для подключения механического оборудования.
В рабочем положении ЭДС имеет WD 10 мм и угол отбора 35° для рентгеновских сигналов, который делает возможным эффективный анализ и анализ отображения при слабом усилении при тех же условиях, как и наблюдение с высокой разрешающей способностью изображения, полученного от вторичных электронов (SEI).
Чрезвычайно маленькая камера для микроскопов этого класса позволяет Вам устанавливать оборудование в ограниченном пространстве (рисунок 2 и рисунок 3).[4]
| Рисунок 2 - Колонка электронная оптическая | Рис 3 - Общий вид растрового электронного микроскопа JSM-6390 |
Дата добавления: 2018-08-06; просмотров: 363; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!