От чего зависят параметры полупроводниковых приборов?
ГАПОУ «Ташлинский политехнический техникум»
Максимов А.В.
Методические рекомендации по организации практических и лабораторных занятий
ДИСЦИПЛИНА ОП.03 «Основы электроники и цифровой схемотехники»
Для профессии 09.01.03«Мастер по обработке цифровой информации»
С.Ташла 2014г.
Рассмотрено на заседании МК_______
Председатель МК_________________
Составитель: Максимов Алексей Васильевич
Методические рекомендации по организации практических (лабораторных) работ являются частью образовательной программы ГАПОУ «Ташлинский политехнический техникум» по специальности «Мастер по обработке цифровой информации»
Методические указания по выполнению практических и лабораторных работ адресованы обучающимся/студентам техникума.
СОДЕРЖАНИЕ
| Темы лабораторных и практических занятий | страницы |
| 1 | |
| 1 | |
| 1 | |
| 2 | |
| 2 | |
| 3 | |
| 3 |
Введение
УВАЖАЕМЫЙ СТУДЕНТ!
Методические рекомендации по дисциплинеОП.03 «Основы электроники и цифровой схемотехники»для выполнения практических и лабораторныхработ созданы Вам в помощь для работы на занятиях, подготовки к ним, правильного составления проектов документов.
Приступая к выполнению практической или лабораторной работы, Вы должны внимательно прочитать цель и задачи занятия, ознакомиться с требованиями к уровню Вашей подготовки в соответствии с федеральными государственными образовательными стандартами третьего поколения, краткими теоретическими и учебно-методическими материалами по теме практической работы, ответить на вопросы для закрепления теоретического материала.
|
|
|
Наличие положительной оценки по практическим работамнеобходимо для получения зачета по дисциплине, поэтому в случае отсутствия на уроке по любой причине или получения неудовлетворительной оценки за практическуюработуВы должны найти время для ее выполнения или пересдачи.
Внимание!Если в процессе подготовки к практическим работамили при решении задач у Вас возникают вопросы, разрешить которые самостоятельно не удается, необходимо обратиться к преподавателю для получения разъяснений.
Желаем Вам успехов!!!
Раздел №1 Основы электроники
Название практической (лабораторной) работы):
ПЗ № 1.Определение параметров полупроводниковых приборов.
Учебная цель: Научиться определять параметры полупроводниковых приборов
Образовательные результаты, заявленные во ФГОС:
УМЕТЬ
определять параметры полупроводниковых приборов и элементов системотехники.
|
|
|
ЗНАТЬ:
- основные сведения об электровакуумных и полупроводниковых приборах, выпрямителях, колебательных системах, антеннах; усилителях, генераторах электрических сигналов;
общие сведения о распространении радиоволн;
принцип распространения сигналов в линиях связи;
сведения о волоконно-оптических линиях;
цифровые способы передачи информации;
общие сведения об элементной базе схемотехники (резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы, микросхемы, элементы оптоэлектроники);
логические элементы и логическое проектирование в базисах микросхем;
функциональные узлы (дешифраторы, шифраторы, мультиплексоры, демультиплексоры, цифровые компараторы, сумматоры, триггеры, регистры, счетчики);
запоминающие устройства на основе БИС/СБИС;
цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи.
Обеспеченность занятия :
Компьютер, мультимедийный проектор, вольтметры, амперметры, реостаты, провода, зажимы.
Краткие теоретические и учебно-методические материалы по теме практической работы
Параметры полупроводниковых приборов, связанные с удельным сопротивлением, концентрацией, подвижностью и временем жизни носителей в материале, меняются при изменении температуры. Это ограничивает температурный диапазон работы полупроводниковых приборов.
|
|
|
Параметры полупроводниковых приборов зависят от температуры, что обусловливает изменение выходного стабилизированного напряжения при колебаниях температуры, температурный дрейф. Температурные коэффициенты прямого и обратного сопротивлений диода различны. Поэтому встречное включение диодов позволяет осуществить частичную температурную компенсацию. Параметры полупроводниковых приборов зависят от режима их работы ( тока, напряжения, частоты сигнала, температуры), а также изменяются во времени. Стабильностьпараметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем определяет надежную работу радиоэлектронных устройств, в которых они используются. Измененияпараметров полупроводниковых приборов под влиянием облучения могут иметь временный и постоянный характер. Временные изменения обусловлены ионизацией материала, вследствие чего появляется избыточное число носителей, изменяется скорость поверхностной и отчасти объемной рекомбинации, увеличиваются собственные шумы. Постоянные изменения вызываются превращениями и перемещениями атомов кристаллической решетки под влиянием облученияБольшинствопараметров полупроводниковых приборов изменяется в зависимости от режима работы и температуры, например, время обратного восстановления выпрямительных диодов зависит от значения прямого тока, наряжения и сопротивления нагрузки, значительно изменяется в диапазоне температур.
|
|
|
Большинствопараметров полупроводниковых приборов изменяется в зависимости от режима работы и температуры, например, время обратного восстановления зависит от значения прямого тока, напряжения и сопротивления нагрузки, значительно изменяется в диапазоне температур обратный ток
Большинствопараметров полупроводниковых приборов значительно изменяется в зависимости от режима работы и температуры. Например, время восстановления обратного сопротивления импульсных диодов зависит от значения прямого тока, напряжения переключения и сопротивления нагрузки; потери преобразования и коэффициент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности. Значительно изменяется в диапазоне температуры, указанном в технических условиях, обратный ток диода. В справочнике приводятся значения параметров, гарантируемых ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов использования. Разброспараметров полупроводниковых приборов и дрейф их во времени при конструировании радиоэлектронной аппаратуры могут быть учтены обычными методами, применяемыми для расчета электрических допусков, или экспериментально, методом граничных или матричных испытаний
Большинствопараметров полупроводниковых приборов значительно изменяется в зависимости от режима работы и температуры. Например, время восстановления обратного сопротивления импульсных диодов зависит от значения прямого тока, напряжения переключения и сопротивления нагрузки; потери преобразования и коэффициент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности. Значительно изменяется в диапазоне температуры, указанном в технических условиях, обратный ток диода. В справочнике приводятся значения параметров, гарантируемых ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов использования.
Большинствопараметров полупроводниковых приборов изменяется в зависимости от режима работы и температуры, например потери преобразования и коэффициент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности, значительно изменяется в диапазоне температуры обратный ток диодов
Измеренияпараметров полупроводниковых приборов выполняются на различных стадиях их производства, а испытания завершают группу технологических операций, характеризуя их качество.
Измеренияпараметров полупроводниковых приборов выполняются на различных стадиях их производства и завершают группу технологических операций, в определенной мере характеризуя их качество
Вопросы для закрепления теоретического материала к лабораторной работе
От чего зависят параметры полупроводниковых приборов?
Дата добавления: 2018-06-01; просмотров: 1069; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!