Расчет конденсаторов высокочастотного обхода



Допустимая из условий устойчивости глубина ОС зависит от полюсов устойчивости, наклона асимптоты и ее удаленности от верхней частоты рабочего диапазона, т.е. частоты fТср, а также от потерь в пассивной части на асимптотических частотах.

Частота fTср является частотой единичного усиления передачи по петле ОС только в том случае, если на этой частоте передача сигнала через пассивные цепи петли ОС (рис. 2.1) В = В2В0В1 = 1. В реальных условиях пассивные цепи вносят затухание.

Чтобы увеличить допустимую глубину ОС, необходимо максимизировать передачу сигнала по петле ОС на асимптотических частотах за счет снижения потерь в пассивной части петли ОС.

Для уменьшения асимптотических потерь параллельно цепям пассивной части схемы включают конденсаторы высокочастотного обхода Са, как показано на рис. 5.5, 5.6 для вариантов схем усилителей с комбинированной ОС, рассмотренных в п. 5.1.

Емкость этих конденсаторов выбирается таким образом, чтобы они не оказывали заметного влияния в рабочем диапазоне частот. Для этого сопротивление конденсатора на верхней частоте рабочего диапазона усилителя должно быть еще значительно больше, чем сопротивление R цепи, параллельно которой включен конденсатор, т.е.

 

                                                                                  (5.5)

 

Рисунок 5.5 – Включение конденсаторов высокочастотного обхода для комбинированной обратной связи рис. 5.1, 5.2

Рисунок 5.6 – Включение конденсаторов высокочастотного обхода для комбинированной обратной связи рис. 5.3

 

Емкости конденсаторов, включенных параллельно обмоткам входного Са1 или выходного Са2 трансформаторов, следует рассчитывать относительно сопротивления Rг1опт или Rн соответственно, величины которых определяются на этапе эскизного расчета, а Са3 относительно соответствующего сопротивления цепи ОС (см., например, рис. 5.4).

На асимптотических частотах пассивная часть петли ОС будет представлять емкостный делитель с постоянным коэффициентом передачи.

 

Примечание: Для формирования оптимальной амплитудно-частотной характеристики в схему усилителя вводятся специальные корректирующие цепи, вносящие затухание на тех частотах, на которых имеется избыток усиления по петле ОС. Поскольку корректирующие цепи не должны влиять на внешние характеристики усилителя в рабочем диапазоне частот (KF, RвхF, RвыхF), они включаются в цепи усиления - в межкаскадных цепях или цепях местной ОС.

В курсовой работе расчет цепей коррекции не производится.


 

Составление принципиальной схемы усилителя

 

При составлении полной принципиальной схемы усилителя необходимо наиболее рационально скомпоновать и соединить междусобой основные функциональные узлы усилителя (К-цепь, входную и выходную цепи, цепь ОС), схемы которых были выбраны и рассчитаны в предыдущих разделах.

На рис.6.1 приведен вариант соединения входной цепи по рис. 5.2 с К-цепью.

Рисунок 6.1 - Соединение входной цепи по рис. 5.2 с К-цепью

 

При гальванической ОС через Rб, охватывающей первые два каскада (рис. 3.1, 3.2, 3.3), напряжение смещения на базу первого транзистора подается по схеме рис. 6.1, где R’б выполняет функцию элемента гальванической ОС Rб, а также элемента последовательной ОС во входной цепи усилителя с обшей комбинированной ОС посигналу и принимается равным его сопротивлению R’б, рассчитанному в п. 5.1. Емкость Сб подключает R’б по сигналу к общему проводу и принимается равной

 

                                                                                      (6.1)

Рисунок 6.2 – Пример принципиальной схемы двухкаскадного усилителя с глубокой обратной связью

 

Рассмотрим примеры построения принципиальных схем двухкаскадных (рис. 6.2) и трехкаскадных (рис. 6.3, 6.4) усилителей с глубокой ОС.

В схеме рис. 6.3 использована структура К-цепи с непосредственной связью каскадов, соответствующая рис. 3.1, в схеме рис. 6.2 - двухкаскадный вариант той же структуры, а в схеме рис. 6.4 - структура К-цепи с разделительным конденсатором (С8), соответствующая рис. 3.2. Предлагаемый выше вариант выполнения входной цепи (рис. 6.1) использован в схемах рис. 6.2 и 6.3, где R1 выполняет роль R'б.

Рисунок 6.3 - Пример принципиальной схемы трехкаскадного усилителя с глубокой обратной связью

 

В схеме рис. 6.2 применена структура комбинированной ОС, показанная на рис. 5.3 (R6 соответствует элементу R”б); в схеме рис. 6.3 – структура комбинированной ОС (рис. 5.2) (R11 соответствует элементу R”б), а в схеме рис. 6.4 – структура комбинированной ОС (рис. 5.1) (R1, R2, R3 соответствуют R’a, R’b, R'б;  R19, R20, R21 – R”а, R”в, R”б).

Обратите внимание, что обмотка прямой передачи сигнала в нагрузку n” и цепи ОC m” на схеме рис. 6.2 включены в разные цепи: n” - в коллекторную, а m” – в эмиттерную, что необходимо для получения поворота фазы в петле ОС при двухкаскадной структуре К-цепи и обеспечения оптимальной обратной связи. Поворот фазы на 180° происходит в этом случае, в первом каскаде на транзисторе 1, включенном по схеме с ОЭ, второй каскад на транзисторе 2, включенном в петлю ОС по схеме с OK, поворота фазы не вызывает.

Рисунок 6.4 - Пример принципиальной схемы трехкаскадного усилителя (по рис. 3.2) с глубокой обратной связью

В схемах использованы следующие конфигурации цепи ОС из табл. 5.2: на рис. 6.2 - 2-й вариант (R5 соответствует R1); на рис. 6.3 - 6-й вариант (R5 соответствует R1, R6 - R2); на рис. 6.4 - 4-й вариант (R11 соответствует R1, R12 - R2, R13 - R3).

В схеме рис. 6.4 осуществлена местная ОС по сигналу при помощи резистора R17

Все схемы содержат разделительные конденсаторы Ср. На рис. 6.4 конденсатор С8 разделяет второй и третий каскады по постоянному току, делая тем самым режим работы третьего транзистора автономным и уменьшая нестабильность точки покоя третьего каскада. Использование С8 позволяет также уменьшить требуемую величину напряжения источника питания E0. Разделительные конденсаторы на входе и выходе К-цепи (С1 и C11 на рис. 6.4) устраняют влияние на режим работы входной и выходной цепей, что, кроме того, позволяет избавиться от постоянного подмагничивания входного и выходного трансформатора и снизить тем самым нелинейные искажения. Включенные в цепь ОС разделительные конденсаторы (С3 на рис. 6.2 и С5, С7 на рис. 6.3) устраняют общую ОС по постоянному току.

Принцип расчета емкости всех разделительных конденсаторов одинаков: необходимо обеспечить пренебрежимо малые потери сигнала в разделительных цепях во всем рабочем диапазоне вплоть до нижней граничной частоты fн. Тогда согласно эквивалентной схеме (рис. 6.5) можно записать:

 

                                                                   (6.2)

 

Для расчета Ср К-цепи (перед S-м каскадом):

 

                                                         (6.3)

 

где .

 

Рисунок 6.5 – Эквивалентная схема для расчета разделительных конденсаторов

 

При наличии местной ОС в эмиттерной цени S-го каскада h11S в (6.3) следует заменить на (h11S + h21S R'эS).

Для расчета остальных Ср в схемах рис. 6.2 - 6.4, а также рис. 5.4 следует использовать приближенные выражения из табл. 6.1.

 

Таблица 6.1 – Приближенные выражения для расчета Ср в схемах усилителей

Обозначение конденсатора Ср на рисунках Rэк1 Rэк2
С3 на рис. 6.2 R5 Rг из табл. 5.1
С5 на рис. 6.3 Rг из табл. 5.1 R5 + R6
C6 на рис. 6.3 R5 Rг из табл. 5.1
С1 на рис. 6.4 R’г1опт h11,1
C11 на рис. 6.4 (8…10)Rн Rн
Ср1 на рис 5.4, а R1 0
Cр3 на рис. 5.4, а R3 0

 

Напряжение питания Е0 подается на коллектор транзистора 3 через дроссель L2 на рис. 6.3 (и L3 на рис. 6.4). Их индуктивность рассчитывается так, чтобы не снижать заметно сопротивление нагрузки по сигналу.

                                                                                             (6.4)

В схеме рис. 6.3 дроссель L2, кроме того, шунтирует выходную цепь по постоянному току, чтобы устранить потери напряжения питания на резисторе R11.

Блокировочные конденсаторы в эмиттерных цепях транзисторов Cэ, устраняющие местную ОС по сигналу, рассчитываются из ус­ловия пренебрежимо малого сопротивления по сигналу вплоть до нижней частоты рабочего диапазона.

                                                             (6.5)

 

В качестве конденсаторов высокочастотного обхода на рис. 6.2 включены конденсаторы С1, С4, С7, на рис. 6.3 - С1, С6, С9, на рис. 6.4 - С2, С6, С7, C12.

На полных схемах рис. 6.2 - 6.4 показаны также возможные варианты включения цепей частотно-фазовой коррекции, формирующих оптимальную амплитудную характеристику на верхних частотах. Это последовательные контуры в нагрузке первого каскада (L1, R4, C5 на рис. 6.2; R3, L1, C3 на рис. 6.3; R7, L1, C4 на рис. 6.4), а также параллельный контур в межкаскадной цени второго и третьего каскадов на рис. 6.4: L2, R14, С8.


 


Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 312; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!