Чтобы увеличить вероятность рекомбинации основных носителей в базе
Номер:2.771.13.1.
Задание: Укажите связь между коллекторными и эмиттернымитоками в транзисторе, при коллекторном переходе, смещенном в обратном направлении.
Ответы:
1.
,
2. 
,
3. 
,
4. 
5. 
Номер:2.771.14.1.
Задание: Чем ограничены значения коллекторного напряжения?
Ответы:
1. Напряжением пробоя коллекторного перехода.
2. Коэффициент переноса становится слишком большим.
3. Ширина коллекторного перехода в области коллектора становится слишком большой.
4. Коэффициент обратной связи достигает предельно допустимого значения.
5. Другой ответ.
Номер:2.771.15.4.
Задание: Укажите условное обозначение в схемах транзистора
типа п-р -п.
Ответы:
1. 
2. 
3. 
4. 
5. 
Номер:2.771.15.1.
Задание: Укажите входную характеристику транзистора при 
.
Ответы:
1. 
2. 
3. 
4. 5.
Номер:2.771.2.16.4.
Задание: Какой из 
-параметров является коэффициентом внутренней обратной связи?
Ответы:
1. 
, 2. 
3. 
, 4. 
. 5. нет правильного ответа
Номер:2.771.5.17.2.
Задание: Движением, каких носителей заряда обусловлен ток в полевом транзисторе?
Ответы:
1. Движением неосновных носителей.
Движением основных носителей.
3. Движением основных и неосновных носителей
4. Движением неосновных носителей при положительном напряжении и основных носителей при отрицательном напряжении сток - исток.
5. Другой ответ.
Номер:2.771.5.18.4.
Задание: Укажите обозначение в схемах транзистора с изолированным затвором обедненного типа (со встроенным каналом) с р-каналом.
Ответы:
1. 
2. 
3. 
4. 
5 
Номер:2.771.5.19.1.
Задание: Укажите управляющую характеристику полевого транзистора с встроенным каналом типа n.
Ответы:
1. 
2. 
3. 
4. 
5. 
46. Какой из -параметров является коэффициентом передачи по току?
1. 
, 2. 
3. 
, 4. 
Номер:2.771.4.7.4.
Задание: Что называется коллектором?
Ответы:
1. Область транзистора со средней концентрацией примеси.
2: Область, транзистора, назначением которой является инжекция в базу неосновных носителей.
3. Область транзистора со стороны закрытого перехода.
Область транзистора, назначением которой является экстракция из базы неосновных.
5. Другой ответ.
Номер:2.771.2.9.2.
Задание: Укажите определение интегрального коэффициента передачи тока эмиттера.
Ответы:
1. 
, 2. 
, 3. 
, 4. 
Номер:2.771.3.10.3
Задание: Что такое режим насыщения?
Ответы:
1. Коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный в обратном.
2. Коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный в прямом.
Коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении.
4. Коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении.
1. переходов в отсутствие напряжений на выводах транзистора.
2. Другой ответ.
Полевые транзисторы
8. Какой ширины должен быть канал, чтобы наблюдалось эффективное управление током в транзисторе напряжением затвор — исток?
3. Ширина канала много больше ширины переходов;
4. Ширина канала любая.
5. Ширина канала соизмерима с шириной переходов.
6. Ширина канала пренебрежимо мала в сравнении с шириной переходов в отсутствие напряжений на выводах транзистора.
17. Будет ли протекать ток в транзисторе в режиме насыщения?
1. Не будет, так как канал перекрыт.
Дата добавления: 2018-04-05; просмотров: 322; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!