Включение, при котором уменьшается высота потенциального барьера и переход представляет собой малое сопротивление протекающему току

2. дырки из р-области в n-область;

3. электроны из n-области в р-область;

4. электроны из р-области в n-область;

5. другой ответ

Номер:2.771.2.1.4.

Задание: Какое включение р-п перехода называется обратным?

Ответы:

1. Способствующее уходу подвижных носителей от р-п перехода.

2. Увеличивающее скачок потенциала на р-п переходе.

3 Включение, при котором уменьшается высота потенциального барьера и переход представляет собой малое сопротивление протекающему току.

Плюс внешнего источника к n-области, минус - к р-области.

5.Способствующее протеканию тока дрейфа.

Номер:2.771.2.2.3.

Задание: Чем объясняется наличие потенциального барьера в переходном слое между двумя областями полупроводника с разной структурой?

Ответы:

1.Разной концентрацией подвижных носителей,

2.Наличием внешнего источника тока.

Наличием двойного электрического слоя, образующегося за счет диффузии носителей и появления некомпенсированного объемного заряда в переходе.

4.Изменением структуры кристаллической решетки.

5.Инжекцией подвижных носителей сквозь р-п переход.

Номер:2.771.2.3.1

Задание: Как изменяется барьерная  емкость при увеличении (по абсолютной величине) обратного напряжения на р-п переходе.

Ответы:

1. Уменьшается.

2. Увеличивается.

3. Не изменяется.

4. Практически не меняется.

5. Нет правильного ответа.

Номер:2.771.4.3.

Задание: Какой пробой перехода называется электрическим?

Ответы:

1. Пробой, обусловленный возрастанием прямого тока.

2. Пробой, обусловленный ростом температуры перехода.

Пробой, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом.

Номер:3.771.2.1.3.

Задание: Что такое р-п переход?

Ответы:

1. Граница раздела областей полупроводника с проводимостями р- и n-типов.

2. Место соприкосновения двух полупроводников с разной структурой.

Переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая—р типа.

4. Слой, обедненный подвижными носителями заряда на границе полупроводника.

5. Граница контакта между металлом и полупроводником.

Номер:2.771.2.2.1.

Задание: Укажите, как распределен объемный заряд в р-п  переходе

Ответы:

1. 2. 3

4. 5.

Номер:2.771.2.3.3.

Задание: Какое включение р-п перехода называется прямым?

Ответы:

1. Способствующее уходу подвижных носителей от р-п перехода.

2. Увеличивающее скачок потенциала на р-п переходе.

Включение, при котором уменьшается высота потенциального барьера и переход представляет собой малое сопротивление протекающему току.

4. Плюс внешнего источника к n-области, минус - к р-области.

5. Способствующее протеканию тока дрейфа.

Номер:2.771.2.4.2.

Задание: В каком направлении перемещаются электроны через переход за счет диффузии?

Ответы:

Из р-области в п-область.

2. Из n-области в р-область.

3. Равновероятно в обоих направлениях.

4. Остаются неподвижными.

5. Это неизвестно.

Номер:2.771.2.5.4.

Задание: Чем объясняется изменение ширины р-п перехода при включении внешнего источника?

Ответы:

Изменением структуры кристаллической решетки.

Перераспределением примесных атомов.

Нагреванием р-п перехода.

Мы поможем в написании ваших работ!