Билет 30: Параметры транзисторов по постоянному току, предельные параметры. Параметры транзисторов по переменному току
1) По переменному току:
Частотные параметры: 
, 
( 
(частотные свойства БТ с ОБ лучше, чем БТ с ОЭ).
2) По постоянному току:
Все предельные парамтеры приборов указываются для наихудшего режима, т е по постоянному току.
, т.е. прежде всего мах.допустимые параметры указываются для электрода К и Кр-n, т к сопротивлние Кp-n большое и на нем выделяется мощность большая, чем на Эp-n.
Важным фактором явл.возможность отвода тепла при работе БТ. Если БТ маломощный, то отвод тепла не очень важен тогда с корпусом транзистора соединится база, а К и Э выходят из корпуса в изоляторах. Такие БТ оцениваются тепловым сопротивлением переход-окр.среда.
где 
-температура перехода
-температура окр.среды
Pк-мощность на Кp-n
Rno показ.на сколько градусов изменится t(Кp-n) относит.окр.среды при усл.изменения мощности на Кp-n на 1 Вт.
У мощных транзисторов для улучшения теплоотвода с корпусом соединяется коллектор,база и эмиттер в изоляторах. Тем самым искусственно увелич.площать Кp-n для улучшения теплоотвода.
Также очень мощные транзисторы устанавливаются на радиатор.Это также еще больше искусственно увеличение пл.теплоотвода. Для таких БТ указывают мощность коллектора с теплоотводом Pкт. Для мощных БТ рассчитывают тепловое сопротивление переход-корпус:
|
|
|
где tк – температура корпуса,она будет зависеть от выбранного радиатора.
Иногда указ. 
Также для всех БТ указывают tокр.среды.
ВАЖНЫМ ПАРАМЕТРОМ ЯВЛЯЕТСЯ ТЕПЛОВОЙ ТОК.
Для БТ с ОБ: 
Для БТ с ОЭ: 
| К | Т | 3 | 15 | А |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
Билет 31:Классификация и система обозначений транзисторов.
1.материал изготовления (к,2-Si; Г-1,Ge ;А,3 –СаАs)
2. Т-БТ
П-ПТ.
3. показ.электрич.свойства транзисторов,т.е. классиф.по мощности и частоте.
Малая мощность(Pк=<0.3Вт) Ср.мощность(0,3<Рк=<1.5Вт): Большая мощность(Pк>=1,5Вт):
1 2 3 1 2 3 1 2 3
Нч Сч Вч НЧ Сч Вч НЧ СЧ Вч
НЧ- fгр=<3Мгц
СЧ- fгр>3МГц
Fгр<30МГц
ВЧ- fгр>30 МГц.
В отдельную группу выделяются транзисторы диапазона СВЧ fгр свыше 300МГц.
4.две или три цифры: номер разработки.
5.Буква,классификационный параметр, отличие в транзисторах.
Билет 32: Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Устройство. Принцип работы. Схема включения.УГО.
|
|
|
Различают ПТ :
1) С управляющим p-n переходом.
2) С изолированным затвором
2.1. с встроенным каналом
2.2. с индуцированным каналом.
ПТ с управляющим p-n-переходом:
ПП-к через который протекает ток называют каналом, S его сечение называют сечением канала. Источник питания подключается к ПП-ку n-типа => ток будет создаваться электронами. Электрод ,к которому подключён “ –ЭДС”=>электрод от него выталкивается ,истекают называют истоком. Электрод ,к которому подключён “+ЭДС”, => электроны притягиваются - называется стоком.
В ПП-к n-типа встраивается ПП р-типа т.о. создается р-n переход затвор-канал, на р-область подают напряжение так, чтобы р-n переход был в обратном направлении т.е. к р-области подключают “–ЭДС”. Тогда создается запирающий слой толщиной d, свойства которого аналогичны диэлектризации. Электрод р-области называют затвором. Понижение потенциала затвора означает расширение запирающего слоя =>сужение сечения канала, по которому протекает ток, а значит уменьшение тока стока. Наоборот повышение потенциала затвора означает уменьшение запирающего слоя (d↓), увеличение сечения канала (S↑), увеличение тока стока (Iст↑). При этом потенциал на р-области затвора всегда должен быть ниже, чем потенциал истока n-области т.е. р-n затвор-канал всегда в обратном включении – это объясняет высокое сопротивление входа (Rвх≈100-ни кОм) и отсутствие входного тока (Iвх) (если подать прямое смещение – входное сопротивление мгновенно меняется с 100-н кОм до едениц Ом – ПТ горит).
|
|
|
УГО:
Различают ПТ с каналом n-типа и с каналом р-типа:
Билет 33: Стоковая характеристика ПТ с управляющим p-n-переходом. Ход хар-ки. Зависимость 
от 
и 
.Схема снятия хар-ки.
Стоковый (выходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения сток-исток при постоянном напряжении затвор-исток:
При Uси=0 Ic=0 (как через резистор)
Если Uзи=0 это значит канал полностью открыт и при Uси>0 Ic=max. Uзи↑ -означает расширение запирающего слоя=> уменьшение сечения канала, значит Ic↓.
Характеристики параллельны оси напряжению т.е. Uвых не влияет на ток выхода, это существенное достоинство.
Область насыщения характеризуется возможностью канала пропускать неизменное количество носителей зарядов при этом Uзи=const.
Билет 34: Стоко-затворная хар-ка ПТ с управляющим p-n переходом. Ход хар-ки .Зависимость от и и от t. Схема снятия хар-ки.
|
|
|
Стоко-завторной (управляющей) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения затвор-исток при постоянном напряжении сток-исток:
Iс=f(Uзи) Uси=const
При Uзи=0 канал открыт поэтому Ic=max его называют начальным.
При увеличении Uзи↑ канал закрывается Ic↓ по линейному закону т.к. изменяется сопротивление.
Минимальное Uзи при котором канал закрывается запирающим слоем и следовательно Ic=0 называют Uзи отсечки
Дата добавления: 2018-04-04; просмотров: 269; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!