Билет 16: Импульсный диод. Требования к импульсным диодам. Параметры. УГО

⇐ ПредыдущаяСтр 4 из 7Следующая ⇒

Импульсный диод – полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

Основн.требования к ИД: высокое быстродействие, т е очень короткое время переключения с прямого на обратный и с обратного на прямой( т е с 0 в 1 , с 1 в 0)

Области п/п при пр.включении насыщены ННЗ, т к электроны через р-область движутся к +ЭДС, дырки к –ЭДС. Т.о. р-область насыщена ННЗ электронами, а n-область –ННЗ дырками.

В момент переключения - ННЗ много ,поэтому обратный ток большой.

Быстродействие ИД также будет зависеть от емкости диода.

Для ВЧ приборов учитывают индуктивность прибров . В основном это индуктивность выводов.

Параметры ИД:

Uпр.имп

Uобр.имп

2)Режимы измерения указываются длительностью и скважностью импульсов. Также указываются температура восстановления обратного сопротивления диода, емкость диода, индуктивность, обратный ток, диапазон температур.

Параметры: теже что и на выпрямительных диодах, а также индуктивность диода и емкость диода.

Билет 18: Устройство биполярных транзисторов. Определение. Режимы работы биполярных транзисторов. УГО.

Транзисторы – это приборы, работа которых основана на свойствах полупроводников; предназначены для усиления мощности подводимых сигналов за счет преобразования энергии тока, поступающего от источника питания и переменно изменяющегося по закону входного сигнала.

Все транзисторы можно разделить:

1)биполярные транзисторы(БТ)-токи создаются двумя видами носителей зарядов(дырками и электронами).

2) полевые транзисторы (ПТ)-токи в них образуются одним видом зарядов

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ:

БТ- п/п прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности, пригодный для усиления мощности.

Существуют транзисторы p-n-p и n-p-nструктур.

БТ имеют два p-n-перехода, 3 области п/п и 3 вывода:

- эмиттер (эмитирующий электрод, отдающий)

- база(управляющий электрод, управляет кол-вом НЗ)

- коллектор ( управляемый электрод, собирающий)

P-n-p УГО:

n-p-n УГО:

Режимы работы БТ:

1) Режим насыщения – оба перехода открыты (Эp-n и Кp-n). Сопротивление транзистора соответствует логич.0.

2) Режим отсечки – оба перехода закрыты (обратное включ.) . Сопротивление мах-но, соотв-ет лог единице.

3) Режим усилительный или активный– Эр-n открыт(прям.включ.), Кp-n закрыт(обратн.вкл). Используется в аппаратуре,кот работает с аналоговыми сигналами, а также явл.переходным из «0» в «1» и наоборот.

4) Инверстный(по отношению к усилительному)- Эp-n закрыт, Кp-n открыт. Этот режим используется только по технологическим причинам ИМС.

Билет 20: Включение транзистора p-n-p и n-p-n с общей базой. Схема. Входные и выходные параметры. Входные и выходные сопротивления. Коэффициент усиления по току, напряжению, мощности. Достоинства и недостатки.

Общим электродом называется электрод, кот.одновременно подключен к источнику сигнала и к нагрузке.Этот электрод является общим для входного и выходного контуров тока.

Бывают :

1) С общим Э

2) С Общим К

3) С общим Б

Включение транзистора с ОБЩЕЙ БАЗОЙ:

Р-n-p: n-p-n:

Входные параметры: Выходные параметры:

= =

Входное сопротивление несколько Ом, Выходное сопротивление закрытого перехода

Т.к. = , а самый большой из сотни кОм до МОм.

всех токов. Низкое Rвх является осн.не-

достатком .

Большая разница между Rвх и Rвых –большой недостаток.

Коэффициенты усиления показывают во сколько раз выходной параметр больше, чем входной. Т.о. это отклонение выходного параметра ко входному.

1)коэфф. усиления по току

1.1. по постоянному:

1.2.по переменному:

2)коэфф.усиления по напряжению:

из всех схем включения мах коэф.усиления по напряжению в схеме с ОБ(десятки до сотен тысяч).

3)коэфф..усиления по мощности:

(Порядка тысяч)

Используется включение с ОБ очень редко в связи с высоким выходным сопротивлением . Нагрузки как правило в аппаратуре низкоомные, поэтому выходное Rвых сложно согласовать с низкоомной нагрузкой. Если нагрузка высокоомная,например фокусирующая система кинескопа, то исп. БТ с ОБ.

Билет 21: Включение транзистора n-p-n и p-n-p с общим эмиттером. Схема. Входные и выходные параметры.сопротивления. Коэффициент усиления по току,напряжению,мощности. Достоинства и недостатки.

Rн-сопротивление нагрузки. Под нагрузкой понимаем алгебраическую сумму всех сопротивлений,элементов и цепей,подключ.к коллектору транзистора.

Rист-сопротивление ист.сигнала.который подключен к управляющему электроду и отдает сигнал на вход БТ.

Еист-энергия источника сигнала, т е ЭДС источника сигнала, поступающая на вход прибора, т е БТ.

ПРИМЕР ПОЛНОМАСШТАБНОЙ ТАБЛИЦЫ ДАННОЙ ВЫШЕ

Входные параметры	Выходные параметры
= = Единицы до сотни кОм ( = очень мал=> Rвх велико)	= = Rвых-сопротивление закрытого коллекторного перехода; 10-ки,сотни кОм.

Основные достоинства:

RвхЭ в десять раз меньше Rвых. Такие сопротивления считаются близкими.

КОЭФИЦИЕНТ усиления:

По току

1.1.по переменному:

1.2.по постоянному:

При норм.работе h12э=В

2)по напряжению:

3)по мощности:

Коэфициент усиления по мощности самый большой из всех схем включения(до десятков тысяч).-Широкое применение БТ с ОЭ.

Билет 22: Включение транзистора n-p-n и p-n-p с общим коллектором. Схема. Входные и выходные параметры, сопротивления. Коэфициент усиления по току, напряжению, мощности. Достоинства и недостатки. Применение.

Включение БТ с ОК возможно только по переменному току, Тогда блокировочные конденсаторы Сбл рассматриваются как КЗ. Блокировочные конденсаторы имеют все источники питания-это емкость большого номинала:единицы до десятков мФ,согласно формуле емкостного сопротивления:
Блокировочные конденсаторы рассматриваются как КЗ по переменному току. Тогда по току сигнала (т е по переменному току) коллектор будет подключен непосредственно к нагрузке через Сб2 и к источнику сигнала через Сб2 и Сб1. Т.о. коллектор будет общим электродом. Если анализировать включение БТ по токам питания, то общим будет эммитер. При работе БТ в режиме сигнала нас интересует включение по переменному току.

Входные параметры	Выходные параметры
= = Rвх высокое,т к током входного контура является мин.ток –ток базы,а входным напряжением- Uкp-n, т о Rвх высокое.	= = Rвых значительно ниже, т к Iвых=Iэ. В десятки сотни раз Rвых<Rвх

КОЭФ,УСИЛЕНИЯ:

1) По току:

1.1.по постоянному:

По переменному не рассчитывается!!!!!!!!!!!!

2) По напряжению:

3) По мощности не рассчитывают!!!

Применение:

Применение БТ с ОК очень широкое(шире чем с ОЭ).Это объясняется тем, что Rвых БТ с ОК в десятки (сотни) раз меньше , чем Rвх, т к транзистор рассматривается как развязка по токам входного и выходного контура, поэтому используется как согласующее устройство между низкоомной нагрузкой и выскоомным источником сигнала. Т .о. выходным (последним) транзистором в ИМС, к кот подключена нагрузка включен с общим коллектором.

Дата добавления: 2018-04-04; просмотров: 628; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 1 2 345 6 7 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!