ДІОДНА, ТЕРМОРЕЗИСТОРНА ТЕРМОКОМПЕНСАЦІЯ

⇐ ПредыдущаяСтр 19 из 43Следующая ⇒

При підвищенні температури вхідна характеристика транзистора зміщується вліво. Щоб струм бази незмінювался, необхідно зменшити U_зм(U_ОБ). Тоді струм колектора буде постійним.

Для цього у схемах з температурною компенсацією (рис.57) в ланцюгах зміщення використовуються термокомпенсуючі елементи: терморезистори R_Т або напівпровідникові діоди замість R2.

І_ОК= β І_ОБ= const , U_зм= R2.

Рисунок 57 – Термокомпенсація: а) за допомогою терморезистора; б) за допомогою діода

Як терморезистор можуть використовуватися недротяні резистори з негативним температурним коефіцієнтом. Із зростанням температури опір терморезистора R_Т (рис.57,а) зменшується, при цьому напруга зміщення U_БЕ0 на транзисторі знижується, що викликає зменшення І_ОК. Оскільки, з одного боку, збільшення температури викликало зростання І_ОК, а з іншого - через пониження зміщення U_БЕ0 зменшення цього ж струму, за певних умов температурні коливання струму І_ОК можуть бути істотно зменшені. Ефективність схеми можна підвищити, якщо замість резистора R1 включити терморезистор з позитивним температурним коефіцієнтом.

При використовуванні для температурної компенсації напівпровідникового діода (рис.57, б) підвищення температури викликає зменшення прямого опору діода, що приводить до зменшення зміщення, при цьому зростання І_ОК компенсується. У цій схемі застосовуються стабілітрони або германієві діоди. Діодна стабілізація застосовується у вихідних двотактних каскадах, при роботі транзисторів в режимі В, для отримання низької напруги зміщення.

Перевага схем діодної температурної компенсації у тому, що можна одержати повну температурну компенсацію зміни положення робочої точки.

ДОМАШНЄ ЗАВДАННЯ:

1 Чому виникає потреба у температурній стабілізації підсилювача і як вона забезпечується?

2 Наведіть схеми термокомпенсації у підсилювачах і поясніть принцип дії?

3 Як реалізується схема зміщення фіксованою напругою?

4 Знайти І_0Б, І_Д, R1, R2, якщо струм І_0К=0,8мА, h_21Е=40, Е=36В, U_БЕ0=0,6В.

ВИКЛАДАЧ– Ковальова Т.І.

ЛЕКЦІЯ № 18 (2 год.)

ТЕМА 3.5 Каскади попереднього підсилення на біполярних транзисторах

МЕТА:

- навчальна: ознайомити студентів з каскадами попереднього підсилення на біполярних транзисторах (СЕ, СБ, СК);

- розвиваюча: розширити світогляд студентів, поглибити вивчене для систематизації та узагальнення фундаментальних знань щодо основних схем попереднього підсилення на біполярних транзисторах (СЕ, СБ, СК); розвивати вміння самостійно застосовувати знання до вирішення практичних завдань;

- виховна: виховувати увагу, логічне мислення, впевненість у вирішенні практичних завдань:

ОБЛАДНАННЯ: дошка, схеми, характеристики

ПЛАН

1Типова схема попереднього резистивного підсилювача на біполярному транзисторі.

2 Схема підсилювача з спільною базою, з спільним колектором. Особливості схем.

ЗМІСТ ЛЕКЦІЇ

ТИПОВА СХЕМА ПОПЕРЕДНЬОГО РЕЗИСТИВНОГО ПІДСИЛЮВАЧА НА БІПОЛЯРНОМУ ТРАНЗИСТОРІ.

Каскад попереднього підсилення призначений для підсилення струму або напруги сигналу, створюваного джерелом сигналу до величини, необхідної для подачі на вхід каскаду потужного підсилення.

Залежно від умов роботи каскади попереднього підсилення різноманітні по використовуванню в них різних типів підсилювальних елементів, способів включення, схем каскадів і ін. Для зменшення числа каскадів попереднього підсилювача в них використовуються підсилювальні елементи з високим коефіцієнтом підсилення (транзистори з великим коефіцієнтом передачі струму h₂₁).

Спосіб їх включення, режим роботи, положення точки спокою на характеристиках підсилювального елементу, електричні дані схеми міжкаскадного зв'язку вибирають так, щоб одержати від каскаду найбільше підсилення при допустимих частотних або перехідних спотвореннях і можливо меншому споживанні потужності від джерел живлення.

Специфічною особливістю каскаду попереднього підсилення є неповне використання характеристик підсилювального елементу через малу амплітуду вхідного сигналу, унаслідок чого параметри підсилювального елементу за період сигналу змінюються мало.

Тому коефіцієнти підсилення за струмом, напругою та потужністю таких каскадів звичайно визначають аналітично, без побудови динамічних характеристик змінного струму, використовуючи малосигнальні параметри підсилювальних елементів, знайдені для точки спокою.

У каскадах попереднього підсилення майже завжди використовують режим класу А.

У каскадах попереднього підсилення використовуються будь-які підсилювальні елементи: біполярні і польові транзистори, тріоди і екрановані лампи.

Транзистори в каскадах попереднього підсилення звичайно включають зі спільним емітером (витоком), оскільки це дає можливість одержати найбільше підсилення.

Найбільш розповсюджена схема каскаду попереднього підсилення на біполярному транзисторі з СЕ наведена на рис.58.

Рисунок 58 – Каскад попереднього підсилення на біполярному транзисторі з СЕ

Елементи підсилювального каскаду:

- VT1 – біполярний транзистор – підсилюючий елемент;

- R_н - навантаження, на якому виділяється підсилений сигнал;

- R_К - колекторне навантаження транзистора за постійним струмом;

- Е_К – джерело живлення, звичайно складає 10…30 В для каскадів на БТ.

VT1 разом з R_К і Е_кутворюють головне коло підсилювача, в якому здійснюється підсилення сигналу. Решта елементів схеми виконують допоміжну роль. Дільник напруги R1, R2 задає режим спокою класу А, подаючи на вхід каскаду постійну напругу U_д;

- е_дж– джерело вхідного сигналу;

- R_дж– його внутрішній опір;

- R_Е і С_Е– забезпечують температурну стабілізацію режиму спокою;

- С1, С2 – розділові конденсатори: С1 виключає потрапляння постійної напруги U_д на джерело вхідного сигналу; С2 виключає потрапляння постійної напруги на колекторі U_К0 на навантаження (конденсатори розділяють ланцюги за постійним струмом).

Вхідний сигнал, що підлягає підсиленню, подається на клеми (1)-(2):

Для цієї схеми необхідно дотримуватись таких співвідношень:

1/ω_нС₁ «R_вх; 1/ω_нС₂ «R_вих; 1/ω_нС_Е «R_Е;

де ω_н– нижня грань діапазону частот підсилювального сигналу.

Навантаження сигналу за зміним струмом

R_Н~ = R_Н R_К / (R_Н+ R_К).

Роботу каскаду ілюструють часові діаграми на рис.59. При дадатній півхвилі вхідної напруги із зростанням базового струму і_Б зростає і колекторний струм і_К , який у β разів більший за і_Б. При цьому колекторна напруга u_К, яка дорівнює різниці між Е_кі спадом напруги на R_К, знижується.

Каскад зі спільним емітером інвертуючий і змінює фазу вихідної напруги на 180º.

Такий підсилювач можна розрахувати аналітично за допомогою h – параметрів (при невеликих змінах вхідного сигналу, тобто коли транзистор працює на лінійних ділянках ВАХ).

Більш універсальним є графоаналітичний метод розрахунку, який проводиться по вихідній динамічній характеристиці транзистора за постійним струмом. Крім того, використовуються вихідні статичні характеристики транзистора.

Обмеження, яких необхідно дотримуватись при розрахунку каскаду:

- І_К0 = (1,05…1,2)І_m;

- (І_К0 + І_m )< І_К_max (максимально допустимого струму транзистора);

- U_К0> U_m;

- (U_К0+ U_m) < U_К_max;

- P_К= І_К0 U_К0< P_доп(допустимої потужності).

Рисунок 59 – Часові діаграми роботи каскаду підсилення з СЕ

Каскади зі СЕ зручно з'єднуються один з одним, оскільки їх вхідний і вихідний опори досить близьки.

Дата добавления: 2018-04-05; просмотров: 567; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 14 15 16 17 181920 21 22 23 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!