Экспериментальные установки для исследования характеристик р-n-перехода
1. Установка для исследования вольтфарадных характеристик диода. Блок-схема 
установки для измерения ВФХ представлена на рис. 6 и состоит из следующих частей: Т – термостат; 1 – прибор для измерения емкости;
2 – схема смещения, обеспечивающая изменение напряжения на диоде; Д – кремниевый диод одного из типов Д-809 – Д-914, находящегося в термостате.
Для измерения площади p-n-перехода используется микроскоп, позволяющий измерить площадь малых размеров и диод со вскрытым корпусом.
2. Установка для исследования дифференциального сопротивления и вольтамперной характеристики диода.Для измерения дифференциального сопротивления диода при различных значениях тока используется способ наложения переменной составляющей тока 
на постоянную величину рабочего тока диода. Переменное напряжение порядка 30-40 мкВ подается при частоте более 1 кГц.
С помощью звукового генератора на диод, последовательно соединенный с эталонным сопротивлением 
(100 Ом) или 
(2 кОм), подается ток. Значение постоянной составляющей тока I задается источником постоянного тока и измеряется миллиамперметром с пределами от единиц мкА до нескольких мА (рис. 7). Переменное напряжение на диоде и эталонном сопротивлении измеряется с помощью электронного милливольтметра типа В3. Если 
падение напряжения на диоде по переменному току, 
падение напряжения на эталонном сопротивлении, то
|
|
|
На этой же установке можно снять статическую вольтамперную характеристику диода. Для этого падение напряжения на диоде следует изменять вольтметром типа В7-26, работающим в режиме измерения постоянного напряжения. Постоянный ток через диод измеряется там же миллиамперметром.
Характериограф представляет собой устройство для осциллографи-ческого наблюдения вольтамперной характеристики диодов.
Принципиальная схема характериографа показана на рис. 8.
Сетевое напряжение, амплитуда которого регулируется автотрансфор-матором ЛАТР через разделительный трансформатор Тр1, подается в цепь, где последовательно включены исследуемый диод, эталонное сопротивление 
(100 Ом) и защитное сопротивление 
(1,5 кОм), ограничивающее ток в цепи диода. Напряжение, падающее непосредственно на диоде, подается на вход горизонтального отклонения осциллографа 
. Напряжение, падающее на эталонном сопротивлении, пропорциональное току через диод, подается на вход вертикального отклонения 
. При этом канал горизонтального отклонения X работает в режиме измерения напряжения, а канал вертикального отклонения – в режиме измерения тока. На экране осциллографа – изображение прямой и обратной ветви ВАХ исследуемого диода.
|
|
|
Задание
Дата добавления: 2018-04-04; просмотров: 339; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!