Т-образная эквивалентная схема транзистора ОБ
· - генератор тока (учитывает усилительные свойства транзистора). Вместо генератора тока можно использовать генератор напряжения , соединенный последовательно с :
· - дифференциальное сопротивление прямо смещенного эмиттерного перехода (ЭП)
=доли Ома÷единицы Ома, т.е. мало
· - ёмкость ЭП. Эта ёмкость диффузионная (т.к. ЭП смещен в прямом направлении). Она относительно большая ( десятки пФ), но её влиянием можно пренебречь, т.к. она шунтирована малым сопротивлением прямо смещенного эмиттерного перехода .
· - дифференциальное сопротивление обратно смещенного коллекторного перехода (КП)
- может достигать сотен кОм÷десятки МОм, т.е. велико.
· - ёмкость КП. Эта ёмкость барьерная (т.к. КП смещен в обратном направлении). Она мала ( единицы пФ), но пренебрегать ею нельзя. На ВЧ реактивное сопротивление этой емкости уменьшается ( ), в результате чего часть выходного тока ответвляется через эту емкость и поступает на вход транзистора, не попадая в нагрузку, т.е. не участвуя в усилении. Другими словами: с помощью барьерной ёмкости на ВЧ в транзисторе осуществляется внутренняя обратная связь.
Обратная связь (ОС) – передача части мощности сигнала с выхода на вход схемы.
Таким образом, ёмкость КП на ВЧ ухудшает усилительные свойства транзистора.
· - сопротивление базы. Оно состоит из 2-х составляющих:
- омическое сопротивление слабо легированной области базы;
|
|
- небольшое сопротивление, обеспечивающее внутреннюю ОС в
Транзисторе.
H-параметры
Недостаток первичных параметров – невозможность их измерения, т.к. общая точка, относительно которой определяются первичные параметры, находится внутри Базы транзистора.
Поэтому переходят к вторичным параметрам транзистора, которые легко измерить. Самыми распространенными вторичными параметрами транзистора являются h-параметры.
В системе h-параметров в качестве независимых переменных (аргументов) принимают входной ток (I1) и выходное напряжение (U2). Зависимыми переменными (функциями) являются входное напряжение (U1) и выходной ток (I2).
Связь между зависимыми и независимыми переменными выражается с помощью системы уравнений:
U1 = h11I1 + h12U2
I2 = h21I1 + h22U2
Здесь I1, I2, U1, U2 – амплитуды переменных токов и напряжений (индекс «1» относится к входному сигналу, а индекс «2» - к выходному), h11, h12, h21,h22 являются коэффициентами пропорциональности (индекс «11» означает 1-я строчка, 1-й столбец; «12» - 1-я строчка, 2-й столбец и т.д.)
Таким образом, имеем систему 2-х уравнений с четырьмя неизвестными. Решить такую систему уравнений в общем виде невозможно. Для ее решения необходимы дополнительные условия.
|
|
Так, например, чтобы определить из первого уравнения h11, нужно второе слагаемое этого уравнения занулить, т.е. считать, что U2=0.
Тогда при - входное сопротивление транзистора при короткозамкнутом выходе.
Аналогично определяем:
при - коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе;
при - коэффициент усиления по току при
короткозамкнутом выходе;
при - выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе.
Пример расчета h-параметров транзистора ОЭ
Изобразим транзистор ОЭ с его входными и выходными токами и напряжениями:
а) Определим входное сопротивление транзистора. Для этого запишем формулу: при . Заменив амплитуды на малые приращения и подставив значения входного тока, входного и выходного напряжений конкретно для транзистора ОЭ, получим: при ,т.е. при
индекс «э» означает, что транзистор собран по схеме ОЭ
Входное сопротивление транзистора определяется по входным вольт-амперным характеристикам. Точка А – это рабочая точка, в которой определяются h-параметры.
Iб (mA)
0,75 Uкэ=5В
|
|
б
=
0,25 Uбэ (В)
0,3 бэ 0,55
Чтобы определить , необходимо выполнить дополнительное построение: это построение обязательно должно проходить через рабочую точку А и при этом должно выполняться условие (в данном случае ). Исходя из вышесказанного, строим небольшой прямоугольный треугольник таким образом, чтобы его гипотенуза прилегала к входной характеристике и делилась рабочей точкой А пополам. Тогда катеты этого треугольника и будут искомыми значениями и , зная которые, легко определить входное сопротивление транзистора:
Дата добавления: 2018-02-28; просмотров: 286; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!