Статические ВАХ транзистора ОЭ



Входные характеристики транзистора ОЭ – это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е.

 при

                               IБ,mA UКЭ =0 UКЭ=5В                                                                                                               

                                                                                                                   

                                                                                    

                                                               UБЭ, В                                                                                    

                                 0           1                                                                         

Если использовать выходное напряжение >5В, то входные характеристики незначительно сместятся вправо, (пойдут кучно), поэтому чтобы не загромождать рисунок, ограничиваются двумя характеристиками: при  и при . При этом погрешность будет незначительной, ею можно пренебречь.

Выходные характеристики транзистора ОЭ - зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, т.е.  при

                   IК, mA                                   

                                                               IБ3  

  насыщение                                      IБ2

                                                                                IБ1           IБ3 > IБ2 > IБ1

                                                                  IКЭО IБ=0

                                              отсечка                   UКЭ, В

3.1.9 Динамический режим работы транзистора

Динамический режим работы транзистора – это режим, при котором во входной цепи имеется источник переменного сигнала, а в выходной цепи присутствует сопротивление нагрузки.

2-й закон Кирхгофа для выходной цепи:

 

Данное выражение является уравнением выходной динамической характеристики (уравнением нагрузочной прямой).

Нагрузочная прямая строится на семействе выходных статических вольт-амперных характеристик по двум точкам (А и В):

а) Пусть транзистор полностью закрыт (режим отсечки), т.е. . Тогда из уравнения (11) получим .

Таким образом, координаты точки А будут:

                                                                             

б) Пусть транзистор полностью открыт (режим насыщения), т.е. . Тогда из уравнения (11) получим .

Таким образом, координаты точки В будут:

                                                                             

                                      IК, mA                                 IБ4                                           

                                                                              

                            ЕП/RК B                                        IБ3

                                                                                       IБ2

                                                                                     

 нагрузочная                                                                 IБ1

 прямая (выходная                                        A           IБ=0                                                                                      

 динамическая                 0                                  ЕП        UКЭ

 характеристика)

Выходная динамическая характеристика транзистора отличается от статических выходных ВАХ, т.к. наличие сопротивления нагрузки резко изменяет режим работы транзистора.

В качестве входной динамической характеристики используют входную статическую характеристику транзистора при , т.к. они мало чем отличаются вследствие того, что сопротивление нагрузки слабо влияет на входную цепь.                       IБ,mA

                                                           UКЭ=5В                                

                                                                                             

                                                                                                     

                                                                    входная динамическая           

                                                                    характеристика            

                                                                                       

                                       0            1В    UБЭ

 

Первичные параметры транзистора

 

Анализировать схему, содержащую нелинейный элемент (например, транзистор), сложно. Но при определенных условиях транзистор можно заменить эквивалентной схемой, содержащей исключительно линейные элементы (сопротивления, емкости, индуктивности).

Условием замены реального транзистора эквивалентной схемой является малый уровень входного сигнала, т.к. при малых амплитудах входного сигнала можно пренебречь нелинейностью ВАХ и считать малые участки ВАХ линейными.

Эквивалентная схема составляется только для переменных составляющих токов и напряжений, поскольку полезную информацию несут только они.

Элементы, образующие эквивалентную схему транзистора, и являются его первичными параметрами.

Эквивалентных схем транзистора много, рассмотрим одну из них.


Дата добавления: 2018-02-28; просмотров: 305; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!