Тема 1. Общие сведения о важнейших этапах
Развития и элементах электроники
Составные части дисциплины. Важнейшие этапы развития электроники. Основные типы элементов радиоэлектронных схем.
Тема 2. Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые материалы, собственные и примесные (p-типа, n-типа) полупроводники. Концентрация свободных носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда и параметры, их характеризующие. Электропроводность полупроводников и влияние температуры. Генерация и рекомбинация, время жизни носителей заряда.
Разновидности электрических переходов и методы их создания. Р-n переход, его образование и свойства. Параметры р-n перехода: ширина обедненного слоя, высота потенциального барьера, емкость перехода. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) р-n перехода и реального диода. Виды пробоя. Зависимость ВАХ от температуры.
Разновидности полупроводниковых диодов: выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы, туннельные и обращенные, СВЧ-диоды.
Особенности конструкции, основные характеристики, параметры и их зависимость от внешних условий.
Виды структуры, режимы работы, схемы включения биполярных транзисторов. Физические параметры (коэффициенты передачи тока в схемах ОЭ и ОБ и др.). Статические характеристики в схемах ОЭ и ОБ и их зависимость от температуры. Работа транзистора в ключевом режиме, импульсные параметры.
Конструктивно-технологические разновидности дискретных транзисторов. Мощные и СВЧ-транзисторы: особенности конструкций, основные параметры.
Устройство, принцип действия и классификация полевых транзисторов с управляющим р-п переходом и переходом металл-диэлектрик-полупроводник (МДП).
|
|
|
Физические параметры (напряжение отсечки и пороговое, внутреннее сопротивление и др.) полевых транзисторов с управляющим р-п переходом, их режимная и температурная зависимость. ВАХ транзисторов в схеме с общим истоком. Устройство и принцип действия МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналами. Физические параметры, ВАХ и их зависимость от температуры. Работа полевого транзистора в ключевом режиме, импульсные параметры. Конструктивно-технологические разновидности полевых транзисторов. Мощные МДП-транзисторы. Тиристоры, их типы и принцип действия. Схема включения, ВАХ и параметры динистора. Принцип действия тринистора, типы и параметры. Симисторы, их типы и принцип действия. Схема включения, ВАХ и параметры. Типы интегральных микросхем по технологии изготовления и видам обрабатываемого сигнала (аналоговые, цифровые, аналого-цифровые).
Светодиоды. Устройство, принцип действия, параметры и характеристики.
Фотоприемники (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры). Устройство, принцип действия, параметры и характеристики.
Оптроны, их типы и параметры. Средства отображения информации.
|
|
|
Тема 3. Аналоговые устройства
Типы, параметры и характеристики усилителей. Обратные связи и устойчивость усилителей.Однокаскадные резистивные усилители на биполярных и полевых транзисторах. Режимы работы, задание и стабилизация положения рабочей точки. Операционный усилитель, его типы, параметры, характеристики. Применение ОУ. Типы генераторов гармонических колебаний, условие баланса амплитуд и фаз. Параметры генераторов, методы повышения стабильности частоты.
Схемы LC-генераторов: трансформаторные и трехточечные.
Схемы RC-генераторов гармонических колебаний.
Тема 4. Цифровые устройства
Виды импульсных сигналов и их параметры. Импульсные усилители, ограничители, фиксаторы уровня, диодные ключи. Основные логические элементы НЕ, И, ИЛИ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ.
Типы и режимы работы регенеративных устройств. Типы, принцип действия и параметры триггеров. Одновибраторы, мультивибраторы, блокинг-генераторы, генераторы линейно-изменяющегося напряжения принцип действия и параметры.
|
|
|
Кодовые преобразователи, шифраторы и дешифраторы, мультиплексоры и демультиплексоры, цифровые компараторы, запоминающие устройства, микроконтроллеры, микропроцессоры.
Распределение часов по темам и видам учебной работы
| Разделы и темы | Всего часов по учебному плану | Виды учебных занятий | |||
| Аудиторные занятия, в том числе | СРС | КСРС | |||
| ЛК | ЛБ | ||||
| Тема 1. Общие сведения о важнейших этапах развития и элементах электроники | 9 | 0,5 | 7 | 1,5 | |
| Тема 2. Полупроводниковые приборы | 77 | 7,5 | 6 | 62 | 1,5 |
| Тема 3. Аналоговые устройства | 17 | 1,5 | 14 | 1,5 | |
| Тема 4. Цифровые устройства | 28 | 2,5 | 2 | 22 | 1,5 |
| Итого | 131 | 12 | 8 | 105 | 6 |
Темы практических занятий:
Практические занятия учебным планом не предусмотрены
Темы лабораторных работ
Цель лабораторных работ:
1. Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диода, стабилитрона, определение их параметров по характеристикам.
2. Снятие вольтамперных характеристик тиристора, определение его параметров по характеристикам.
3. Снятие вольтамперных характеристик транзисторов, определение их параметров по характеристикам.
|
|
|
Лабораторная работа 1.
Тема: Исследование полупроводниковых диодов
Лабораторная работа 2.
Исследование полевых транзисторов
Лабораторная работа 3.
Исследование тиристора
Примерная тематика курсовых проектов (работ)
Курсовые проекты (работы) не предусмотрены.
Тематика контрольных работ
Дата добавления: 2018-02-28; просмотров: 282; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!