ПТ с изолированным затвором и встроенным каналом

В МДП-транзисторе со встроенным каналом n-типа (рис. 2,б) уже имеется технологическим путем созданный канал, и при U_зи = 0 и U_си > 0 протекает ток стока. При увеличении положительного напряжения на затворе область канала обогащается электронами, и ток стока возрастает. При увеличении отрицательного напряжения на затворе канал обедняется, и ток стока уменьшается. Таким образом МДП-транзисторы со встроенным каналом работают в режимах обогащения и обеднения.

Полевые транзисторы включаются по схемам с общим затвором (ОЗ) (рис. 3,а), общим истоком (ОИ) (рис. 3,б), общим стоком (ОС) (рис. 3,в). Наиболее часто используется схема включения с ОИ.

 

а б в

Рис. 3

 

 

---

Дата добавления: 2015-12-21; просмотров: 16; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

---

---

Мы поможем в написании ваших работ!