Статические характеристики в схемах с ОБ и ОЭ
Для схемы с общим эмиттером можно аналогично получить семейства статических характеристик:
Iк = f(Uк.э)/Iб = const – семейство выходных (коллекторных) характеристик;
Uб.э = f (Iб)/Uк.э = const – семейство входных (базовых) характеристик;
Iк = f (Iб)/Uк.э = const – семейство характеристик прямой передачи;
Uб.э = f(Uк.э)/Iб = const – семейство характеристик обратной связи.
При U 0 к.э = (рис. 3.8, а) оба перехода транзистора включаются в прямом направлении, а ток базы равен сумме базовых токов из-за одновременной инжекции дырок из эмиттера и коллектора. С ростом прямого напряжения Uк.э этот ток будет увеличиваться, т.к. увеличивается инжекция в обоих переходах
(Uк.б = Uэ.б), и соответственно возрастут потери на рекомбинацию, определяющие базовый ток.При Uк.э<0 коллекторный переход включается в обратном направлении, и в цепи базы будет протекать ток Iб = (1−α)*Iэ − Iк.б0. (3.17) При Uб.э = 0;Iэ = 0, а ток базы Iб = −Iк.б0. Увеличение прямого напряжения
на эмиттерном переходе вызывает рост эмиттерного тока до величины (1− α)Iэ. Когда (1−α)Iэ = Iк.б0, ток базы Iб = 0. При дальнейшем росте Uб.э ток (1−α)Iэ > Iк.б0, ток Iб меняет направление и становится положительным Iб > 0.
Увеличение к.э U увеличивает напряжение к.б U и уменьшает ширину базы (эффект Эрли), что сопровождается снижением потерь на рекомбинацию, т.е. уменьшением тока базы. Выходные характеристики Iк = f(Uк.э) при Iб = const (см. рис. 3.8, б) отражают работу транзистора в схеме с ОЭ в различных режимах. Они начинаются правее начала координат. Крутые начальные участки характеристик относятся к режиму насыщения, когда оба перехода включены в прямом направлении
|
|
|
, а пологие участки соответствуют активному режиму, когда |Uк.э| > |Uб.э|. Если Iб = 0 («обрыв базы»), то Iк = Iк.э0 = Iк.б0*(β + 1) и вольт-амперная характеристика представляет собой обратную ветвь характеристики p-n-перехода. Режим отсечки соответствует области, расположенной под коллекторной характеристикой при Iб = 0. При токах базы I б ′, I б ′′ и т.д. выходные характеристики смещаются вверх на величину βIб. На семействе выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ (см.рис. 3.8, б) представлена рабочая область, в которой обеспечивается его безопасная работа при отсутствии значительных искажений. Эта область ограничивается предельными значениями Iк max,Uк.э max, Pк max, которые указываются в справочниках. Напряжение Uк.э max зависит от напряжения пробоя коллекторного перехода, а предельная мощность Pк max – от температуры нагрева коллекторного перехода. Нижняя граница определяется величиной обратного тока Iк.э0 или режимом отсечки, а левая область при малых значениях Uк.э – нелинейными искажениями. При Iк > Iк max нелинейные искажения возрастают.
Дата добавления: 2015-12-21; просмотров: 24; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!