Механизмы возникновения пробоев в полупроводниках

В инженерных расчетах полагают, что ток I₀ удваивается на каждые 10 °С в германиевых диодах, а в кремниевых на каждые 7 °C.

Температурные изменения прямого падения напряжения на диоде оценивают температурным коэффициентом напряжения при I_пр = const. В расчетах его принимают равным –2 мВ/°С.

Все диоды характеризуются общими параметрами, к которым относятся:

рабочий диапазон температур;

допустимый прямой ток I_{пр макс}, при котором температура перехода достигает T_макс;

допустимое обратное напряжение U_{обр макс}, при котором не происходит пробоя p-n-перехода, обычно U_{обр макс} £ 0,8U_пр;

Рис. 2

допустимая мощность, рассеиваемая на диоде , где R_T – тепловое сопротивление перехода, характеризующее условия теплоотвода, обычно R_T определяется экспериментально и приводится в справочниках;

прямое и обратное сопротивления диода постоянному току

; ;

прямое и обратное дифференциальные сопротивления (сопротивления переменному току)

; .

Кроме общих параметров некоторые виды диодов характеризуются специальными параметрами, присущими только этим диодам.

---

Дата добавления: 2015-12-21; просмотров: 15; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

---

---

Мы поможем в написании ваших работ!