Прямой ток уменьшается.
2) Прямой ток увеличивается.
3) Изменение температуры не влияет на ток p-n-перехода.
4) Увеличивается обратный ток.
33. Диффузионная емкость p-n-перехода:
1) Обусловлена перемещением несновных носителей через p-n-переход.
2) Обусловлена перемещением основных зарядов при изменении обратного напряжения.
3) Обусловлена перемещением неосновных зарядов при изменении обратного напряжения.
Обусловлена перемещением основных зарядов при изменении прямого напряжения.
34. Барьерная емкость p-n-перехода обусловлена:
1) Перемещением неосновных зарядов при изменении обратного напряжения.
Перемещением основных зарядов при изменении обратного напряжения.
3) Перемещением зарядов собственной электропроводности при изменении обратного напряжения.
4) Рекомбинацией зарядов в p-n-переходе.
35. Какое явление в полупроводниковой структуре называется экстракцией?
1) Процесс введения в структуру зарядов, для которой они являются неосновными.
2) Процесс введения в структуру зарядов, для которой они являются основными.
3) Процесс движения зарядов собственной электропроводности.
4) Процесс движения неосновных носителей.
36. Соседние атомы полупроводниковых материалов связаны друг с другом:
1) Химической связью.
Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 14; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!