Ближе к свободной зоне.
2) Ближе к валентной зоне.
3) Никуда не смещается.
4) Смещается в свободную зону.
13. Уровень Ферми при введении в полупроводник примести электронного типа смещается:
1) Ближе к валентной зоне.
2) Никуда не смещается.
Ближе к свободной зоне.
4) Смещается в свободную зону.
14. Куда смещается уровень Ферми при введении в полупроводник примести дырочного типа:
Ближе к валентной зоне.
2) Никуда не смещается.
3) Ближе к свободной зоне.
4) Смещается в валентную зону.
15. В равновесном состоянии через p-n-переход текут:
1) Только дырки.
Дырки и электроны.
3) Только электроны.
4) Не текут никакие заряды.
16. В равновесном состоянии через p-n-переход неосновные носители текут:
1) Только из эмиттера.
Из эмиттера и из базы.
3) Только из базы.
4) Неосновных носителей в структуре нет.
17. В равновесном состоянии внутреннее поле p-n-перехода направлено:
1) От р-структуры к n-структуре.
2) Вдоль перехода.
3) В равновесном состоянии поле отсутствует.
От n-структуры к р-структуре.
18. В равновесном состоянии через p-n-переход диффузионный ток течет:
От р-структуры к n-структуре.
2) От n-структуры к р-структуре.
3) Диффузионный ток отсутствует.
4) Течет только дрейфовый ток.
19. При подключении к p-n-переходу внешнего напряжения в прямом направлении ток потечет:
В эмиттер.
2) Из эмиттера.
3) В базу.
|
|
|
4) Ток не потечет, переход закрыт.
20. При подключении к p-n-переходу внешнего напряжения в прямом направлении прямой ток обусловлен:
1) Электронами эмиттера.
2) Дырками базы.
Дырками эмиттера.
4) Зарядами собственной электропроводности.
21. При подключении к p-n-переходу внешнего напряжения в обратном направлении обратный ток обусловлен:
1) Дырками эмиттера.
2) Электронами базы.
Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 12; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!