Теоретические сведения
В ключевом режиме работы транзистора используются статические состояния транзисторного ключа, в которых транзистор работает в зоне или отсечки, или насыщения. Во время переходных процессов, при переключении из одного статического состояния в другое, транзистор работает в нормальном и инверсном активном режимах.
Рисунок 5.1. – Схема транзисторного ключа в режиме отсечки
Основными параметрами статических состояний транзисторного ключа являются напряжение насыщения UкэН и обратный ток Iк0. Режим отсечки ТК характеризуется высоким уровнем напряжения:
Uвых=Eк−Iк0∙Rк≈Eк
В режиме насыщения через ТК протекает ток:
(5.1)
Основными параметрами переходных процессов ТК являются:
• t з – время задержки;
• t ф – длительность фронта;
• t р – время рассасывания накопленного в базе заряда;
• t с – длительность среза.
Длительность фронта:
, (5.2)
где τ в – постоянная времени, S – коэффициент насыщения.
Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 16; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!