Лабораторная работа 4. Изучение схемы питания полевых транзисторов.

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом могут быть изготовлены на основе кристалла полупроводника n- или p-типа.

Входное сопротивление полевого транзистора велико, т.к. управляющий p-n-переход включается в обратном направлении. Поэтому в цепи затвора протекает небольшой ток затвора I_з. Большое входное сопротивление полевых транзисторов является их существенным преимуществом по сравнению с биполярными транзисторами.

Семейство статических стоковых (выходных) характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, выражающих зависимость при напряжении изображено на рис. 4.1,а

Статическая вольт – амперная характеристика передачи, называемая также проходной или характеристикой управления полевого транзистора, отображает зависимость при напряжении в режиме перекрытия канала. Она может быть получена экспериментально либо путем перестроения стоковых характеристик, как показано на рис. 4.1. Данная характеристика показывает, что при увеличении U_зи, смещающего p-n-переход в обратном направлении, ток стока уменьшается, а при U_зи = U_{зи отс}, (рис. 4.1,б), ток стока становится равным нулю.

Рисунок 4.1 – Семейство стоковых (выходных) характеристик (а) и

характеристик управления (б) полевого транзистора

с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа