Расчёт времени задержки одновибратора

⇐ ПредыдущаяСтр 3 из 4Следующая ⇒

Зная принцип работы одновибратора, рассчитаем время свечения светодиода EL1, т.е. время задержки одновибратора, исходя из выбранных номиналов элементов.

t_u=R•C•Ln• (E/(E-U_пор))

Обычно в одновибраторах используются ЛЭ из одного корпуса, этом случае разброс Unop оказывается незначительным и можно принять

t_и=0.7•R₄•C₂=0.7•820•220=120 сек.

Получается, что для выбранных номиналов, светодиод погаснет примерно через 2 минуты, после нажатия кнопки.

Теперь рассчитаем время сброса одновибратора при включении питания

t_и=0.7•R₃•C₃=0.7•120•4.7=395 сек.

Расчёт электронного ключа на полевом транзисторе

Область отсечки определяется точками пересечения линии нагрузки R_с с самой нижней кривой семейства выходных характеристик с параметром I_з= - I_с0. Этой области соответствует режим отсечки, при котором:

--транзистор закрыт, т.к. оба его перехода смещены в обратном направлении

U_зи>0, U_зс<0

--напряжение U_си= -E_c + I_ост•R_c= -4.5В + 10мкА•22кОм = -4.28В - ток коллектора минимален и определяется обратным (тепловым) током коллекторного перехода I_с=I_с0

--ток базы I_з= - I_с0, а ток эмиттера I_и=0

--сопротивление транзистора постоянному току наибольшее

R_си = = 450 кОм

Область насыщения определяется точками пересечения линии нагрузки с линией насыщения. Этой области соответствует режим насыщения. При котором:

--транзистор открыт, т.к. оба его перехода смещены в прямом направлении

U_зи<0, U_зс<0

--напряжение U_{с нас} и U_{з нас} насыщенного транзистора составляет доли вольта

--максимальный ток транзистора (ток насыщения) I_{с нас}, практически не зависит от параметров транзистора

I_{с нас}= = 0.2 мА

Глава 3 – Характеристики выбираемых элементов

Пассивные элементы

При выборе пассивных элементов электрической цепи: резисторов, конденсаторов и так далее, будем руководствоваться, в основном, принципом максимальной миниатюризации, так как для проектируемого устройства не требуется резервирования по мощности пассивных элементов, ввиду небольших токов и напряжений в схеме.

В устройстве применены постоянные резисторы ОМЛТ, С2-33, оксидные конденсаторы — К50-35 или аналогичные импортные, причем конденсатор С2 должен быть с током утечки не более 1 мкА, остальные — К10-17, КМ-6.

Аналоговые элементы

Аналоговые элементы – транзисторные ключи, диоды и стабилитроны – выбираем конкретно для каждого узла при детальном проектировании функциональных узлов. Ввиду того, что планируемое энергопотребление проектируемого устройства невелико выберем аналоговые элементы, имеющие наиболее малые размеры, но обладающие достаточным запасом по мощности для данного устройства. Полевой транзистор КП501А, ввиду его малой мощности можно заменить на транзисторы серий КП501, КП504 с любыми буквенными индексами. Диоды — любые серий КД102 КД103, КД503, КД521, КД522

Дата добавления: 2022-12-03; просмотров: 24; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 1 234 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!