БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ. ДИОДЫ ИМС.

⇐ ПредыдущаяСтр 11 из 26Следующая ⇒

Биполярные транзисторы с инжекционным питанием были предложены в 1971 году, в результате развития интегральной технологии и не имеют аналогов дискретных транзисторов. Отличительной особенностью биполярных транзисторов с инжекционным питанием является наличие дополнительной области с электропроводностью того же типа, что и у базы транзистора. Эту область называют инжектором, а p₁–n₁ переход инжекторным.

В связи с этим, транзистор с инжекционным питанием представляет собой четырехслойную структуру (рис. 7.12,а), в которой соединены p₁–n₁–p₂ и n₂–p₂–n₁ транзисторы между собой (рис.7.12,б).

Рис.7.12. Схема включения( а) и модель планарного транзистора с инжекционным питанием (б)

Выходные характеристики транзистора с инжекционным питанием представлены на рис. 7.14. Если цепь базы разомкнута (I_б=0), то максимальный ток внешнего источника напряжения меньше или равен I_{к нас}. При замкнутой цепи база–эмиттер транзистор работает в режиме, близком к отсечке, и через транзистор протекает обратный ток, мало зависящий от приложенного напряжения.

Рис.7.14 Статические выходные характеристики транзистора с инжекционным питанием

Данные транзисторы являются основой для создания логических микросхем с инжекционным питанием (И²Л), могут нормально работать при значительных изменениях напряжения и тока питания. А также в широком диапазоне температур: от –60° до +125°C. Логические микросхемы с инжекционным питанием широко применяются при создании больших интегральных схем (БИС) и сверхбольших интегральных схем (СБИС).

Диоды в полупроводниковых ИМСможно получить на основе одинаковых транзисторных структур, выбирая соответствующую схему коммутации выводов транзистора.

Существует пять вариантов коммутации выводов транзистора для создания диода (табл. 6.1):

1. Переход база–эмиттер с разомкнутой цепью коллектора.

2. Переход база–эмиттер с коллектором, закороченным на базу.

3. Переход база–коллектор с разомкнутым эмиттером.

4. Переход база–коллектор с эмиттером, закороченным на базу.

5. Включены в параллель переходы база–эмиттер и база–коллектор.

В таблице 1 приведены также некоторые параметры интегральных диодов.

Таблица1

№	Тип диодного включения	Последовательное сопротивление	Напряжение пробоя, В	Обратный ток, нА
			» 7	0,5…1,0
			» 7	0,5…1,0
			> 40	0,5…2,0
			> 40	15…30
			» 7	15…40

Анализ параметров интегральных диодов показывает, что оптимальными вариантами включения являются схемы 1 и 2, имеющие малый обратный ток и малое прямое сопротивление. Малые пробивные напряжения таких диодов несущественны для низковольтных интегральных микросхем.

Некоторые схемы диодного включения используются в качестве стабилитронов. Конкретная схема включения диода выбирается в зависимости от необходимого напряжения стабилизации и ТКН. Для стабилизации напряжения до 7 В используется эмиттерный переход (схема 1), работающий в режиме электрического пробоя.

Дата добавления: 2019-07-15; просмотров: 308; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 6 7 8 9 101112 13 14 15 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!