РАБОТА ТРАНЗИСТОРА В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ. ИМПУЛЬСНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА.
Биполярные транзисторы, включенные по схеме с ОЭ, широко используются в качестве ключевого элемента переключающих электронных схем (рис. 6.26) и для усиления импульсных сигналов (рис. 6.27).
При работе в качестве ключа основное назначение транзистора состоит в замыкании и размыкании цепи нагрузки с помощью управляющих входных сигналов. При усилении импульсных сигналов транзистор может работать в режиме малого и большого сигнала.
По аналогии с механическим ключом (контактом) качество транзисторного ключа определяется минимальным падением напряжения на нем в замкнутом состоянии, минимальным током в разомкнутом состоянии, а также скоростью перехода из одного состояния в другое.
|  
|
| Рис. 6.26 Схема использования транзистора в качестве ключа | Рис. 6.27 Области работы транзистора: а - в схеме с ОБ; б - в схеме с ОЭ; I – отсечки; II – активная; III – насыщения; IV – лавинное умножение. |
Нагрузка Rн включена в коллекторную цепь, а управляющие импульсы поступают на вход транзистора через сопротивление Rб. В зависимости от сочетания величин и полярности приложенных напряжений рабочая точка транзистора, работающего в ключевом режиме, может находиться в четырех областях:
a области отсечки I,
a активной области II,
a области насыщения III,
a области лавинного умножения IV.
В области I оба перехода заперты (режим отсечки). В области II реализуется режим усиления: эмиттерный переход инжектирует неосновные носители в базу (прямое смещение), а коллекторный переход заперт (обратное смещение). В области III оба перехода оказываются прямо смещенными и инжектируют носители тока в базу. Область IV является областью лавинного умножения.
|
|
|
Если провести на характеристиках линию нагрузки Rн и если UБ=0 (IБ=0), то в коллекторе протекает начальный ток Iкэ0 и рабочая точка находится в точке А. Из-за малой величины Iкэ0 можно считать, что коллектор находится под полным напряжением ЕК. Такое состояние ключа называетсяразомкнутым.
Если увеличить UБ (IБ), то рабочая точка перемещается от А по линии Rн в направлении точки К. При некотором значении IБ рабочая точка совпадает с точкой М. Тогда ток коллектора будет определяться величинами ЕК. и Rн, так как падением напряжения на транзисторе можно пренебречь: 
. На коллекторе транзистора остается небольшое напряжение, называемое напряжением насыщения. О таком состоянии ключа принято говорить, что транзистор открыт и насыщен, а ключ замкнут.
17. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С p–n-ПЕРЕХОДОМ: УСТРОЙСТВО; ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ; ВАХ; ПАРАМЕТРЫ.
Выходные характеристики МДП-транзистора подобны выходным характеристикам полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Это объясняется тем, что при увеличении напряжения от нуля, сначала действует закон Ома и ток растет практически прямо пропорционально напряжению. А затем при некотором напряжении канал начинает сужаться, в большей мере возле стока, т. к. на p-n-переходе между каналом и кристаллом увеличивается обратное напряжение, область этого перехода, обедненная носителями, расширяется, и сопротивление канала увеличивается.
|
|
|
В результате этого ток стока испытывает два взаимно противоположных процесса и остается практически постоянным до такого напряжения при котором наступает электрический пробой.
Условные графические обозначения МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа (а) и p-типа (б)
Дата добавления: 2019-07-15; просмотров: 770; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!