Время интегрирования (в меню Параметры)  1000 мс



Усиление ОС                                               3

4.3. Начните измерение топографии поверхности исследуемого образца в режиме постоянного туннельного тока. Параметры сканирования оставьте такими же, какие использовались при работе прибора в режиме ССМ.

4.4. Если получаемое изображение содержит артефакты сканирования (соседние линии на скане не повторяются, имеются вылеты зонда из обратной связи вследствие неустойчивого туннельного контакта), то остановите сканирование и попробуйте стабилизировать контакт путем изменения значения параметров:

Рабочий ток                                               0.2 – 1 нА

Напряжение                                                          0.2 – 1 В

Усиление ОС                                              1 – 3

Если величина Z на индикаторе вытянутости Сканера начнет уменьшаться, увеличьте один из параметров Усиление ОС или Рабочий ток пока величина Z не восстановится.

Осуществите измерение топографии поверхности в режиме постоянного туннельного тока. Сохраните полученные результаты.

4.5. После окончания сканирования закройте окно сканирования. Для вывода зонда из обратной связи используйте режим отвода зонда Отвод . Осуществите отвод зонда от образца на 10-20 шагов, после чего нажмите кнопку .

 

5. Определение зависимости величины силового взаимодействия (амплитуды колебаний зонда) от расстояния зонд-образец.

3.1. Измерьте амплитудно-частотную характеристику зондового датчика, как описано в задании 1.

3.2. Осуществите автоматизированный захват взаимодействия зонда с поверхностью образца в соответствии с описанием лабораторной работы №1 при следующих параметрах:

Подавление амплитуды = 0,3;

Усилении ОС = 3.

3.3. Выполните режим спектроскопии в текущей точке расположения зонда над поверхностью образца. Подберите такие параметры, чтобы на кривой был хорошо виден наклонный участок, который показывает изменение амплитуды колебаний зонда, начиная с момента возникновения силы со стороны поверхности образца.

3.4. Оцените амплитуду колебаний зонда в свободном состоянии (вдали от поверхности) и расстояние зонд-образец при захваченном взаимодействии. Найдите среднее значение амплитуды колебаний зонда с учетом гистерезиса по графикам прямого и обратного движения сканера.

3.5. Выберите оптимальную для данного измерения величину подавления амплитуды колебаний зонда (параметр Подавление амплитуды). Зеленый курсор рекомендуется поставить на наклонный участок кривой ближе к горизонтальному участку, где взаимодействие слабее, а крутизна кривой больше и, как следствие, выше разрешение по оси z.

 

Контрольные вопросы

1. Назовите основные компоненты СТМ и их назначение. Объясните принцип работы СТМ на примере туннельного контакта двух проводников.

2. Что такое режим постоянного тока и постоянной высоты? Что такое V- и Z-модуляция? Для чего они применяются?

3. Туннельная спектроскопия. Объясните влияние направления туннелирования электронов на изображение поверхности кремния.

4. Назовите факторы, определяющие качество изображения в СТМ. Какие требования предъявляются к СТМ-зонду?

5. Опишите зависимость силы взаимодействия от расстояния зонд-образец.

6. Назовите основные режимы работы АСМ и их назначение.

7. Объясните основные способы детектирования силы в контактном режиме АСМ.

8. Объясните принцип работы неконтактного АСМ.

9. Для чего используется режим измерения фазового контраста при работе в неконтактном режиме АСМ?

 

Литература

1. Г. Бинниг, Г. Рорер. Сканирующая туннельная микроскопия – от рождения к юности – Нобелевские лекции по физике – 1996. УФН, т. 154 (1988), вып.2, с. 261.

2. J.A. Kubby, J.J. Boland. Scanning Tunneling Microscopy of Semiconductor Surfaces. Eslevier, 1996 (Surface Science Reports, 26 (1996) 61-204).

3. G. Binnig, C.F. Quate, Ch. Gerber. Atomic force microscope.// Phys. Rev. Lett., 1986, Vol. 56, № 9, p. 930 – 933.

4.Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. Нижний Новгород: Изд. ННГУ, 1993.

5. M. Tortonese, R.C. Barrett, C.F. Quate. Atomic resolution with an atomic force microscope using piezoresistive detection.// Appl. Phys. Lett., 1993, Vol. 62, No. 8, p. 834.

 

 

Александр Валерьевич Круглов

 


Дата добавления: 2019-02-26; просмотров: 189; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!