Семинар №5 Рост эпитаксиальных слоев из газовой фазы.



 

 Получение эпитаксиальных слоев кремния хифидным методом

Соотношение исходных компонентов

H2 : SiCl4 = 150:1

Температура процесса

T = 1223 K

Проточная система.


Найти:

равновесный состав газовой фазы для заданной T и соотв. соотношения для исходных компонентов.

Выход кремния β(%)

Скорость роста э.с. f

Введем обозначения для равновесных мольных концентраций компонентов:

m1 = CSiHCl3

m2 = CHCl

m3 = CSiCl4

m4 = CSiCl2

m5 = CH2

m6 = CSi

Решение:

 

Механизм взаимодействия SiCl4 c H2 в общем виде :

SiCl4 + 2H2 = Siтв + 4 HCl (I)

Реально представить в несколько стадий:

SiCl4 + H2 = SiHCl3 + HCl (1)

SiHCl3 = SiCl2 + HCl      (2)

SiCl2 = 0,5Si + 0,5 SiCl4  (3)

SiCl2 + H2 = Si + 2HCl    (4)

Термодинамический анализ процесса:

константы равновесий для реакций 1-4, включающие равновесные парциальные давления компонентов паро-газовой фазы и активности компонентов конденсированной фазы ( αSi может быть приравнена к 1) :

для реакции (1) Δ∂ = (1+1) – (1+1) = 0

Чтобы выразить Kp через мольные концентрации Ci


 

ур. Клайперона-Менделеева

Pi V = ni RT

Pi = RTn/V = Ci RT, νi – стехиометрический коэффициент.

; в момент равновесиия в газовой фазе Σm = m1+m2+m3+m4+m5

Для реакции (2) Δ∂ = (1+1) – (1) = 1

(6)

Для реакции (3) Δ∂ = (0,5) – (1) = -0,5

 

(7)

Для реакции (4) Δ∂ = 2 – (1+1) = 0

(8)

Кp1p2 2p3 = Кp4 , имеем только 3 уравния для определения констант равновесия независимых р-ций ( при шести неизвестных m1-m6 ).

Составим еще 3 уравнения материального баланса:

по Si

(9)

Вводится один моль SiCl4 который даст 1 моль Si и 2 моля Cl2

по H2

 (10)

по Cl2

 (11)

Систему из 6 уравнений (6-8) и (9-11) с шестью неизвестными можно свести к системе из двух уравнений с 2-мя неизвестными.

Выразим m4 из (8), а m1 из (6)

через m2 m5

 ;

m3 из (7)

Подставим m1, m3, m4 в уравнение (10) и (11)

В ур. (10)  (12)

В ур. (11)   (13)

Анализ уравнения I позволяет достаточно точно оценить значение Σm и пределы изменения m2 и m5

            SiCl4 + 2H2    = Siтв + 4 HCl   

Введено: 1 моль 150 моль


До начала реакции

Σmнач = 150 + 1 = 151 моль.

 

151 < Σm < 152

Оценочно Σm = 151,5

 

После окончания реакции

Σmкон = (150 – 2)моль H2 + 4 моль HCl = 152 моль.

 

0 < m2 < 4

148 < m5 < 150


Зависимость Kp от температуры:

, интегрируем ( пусть ΔH ≠ f(T) )

ΔG=ΔG0 + RT ln Kp , в равновесии ΔG=0.

ΔG0 = -RT ln Kp

ΔG0 = ΔH0 – TΔS

ln Kp = -ΔH0 / RT + ΔS0 / R.

 

Для

уравнение Клазиуса – Клайперона.

Энтальпия реакции ΔH0 не зависит от Т если примем, что теплоемкость Cp = 0 в интервале температур.

  ; ΔH0 = ΔH0 298

  ;ΔS0 = ΔS0 298

Необходимо найти ΔH0 и ΔS0 для реакций (2)-(4)

ΔHf и ΔSf  - энтальпия и энтропия образ. 1 моля в-ва из простых в-в при 298 К.

γi и γj – стехиометрические коэф. в реакции.

  SiCl4 (г) H2 (г) Si (тв) HCl (г) SiHCl3 (г) SiCl2 (г)
ΔHf 298 кДж/моль -657,01 0 0 -92,312 -512,96 -165,64
ΔSf 298 кДж/моль 330,62 130,57 18,83 186,79 313,76 281,83

 

Для реакции (2)

Для реакции (3)

Для реакции (4)

 

;

Уравнения 12 и 13 можно переписать

m5 m2 Правая часть уравнения (14) Правая часть уравнения (15)
149 1,744 150,00012 1,604
148,87 1,919 150,0003 1,9807
148,86 1,932 150,0003 2,0113
148,865 1,925 149,99995 1,99478
148,864 1,926 149,99972 1,99714
148,863 1,928 150,00026 2,00182

m5 = 148,863

m2 = 1,928

Из уравнения (9) найдем m6

m6 = 1- m1 - m4 - m3 = 1 – 0,3466 – 0,0427 – 4,48*10-4 = 0,6103 .

Равновесный выход конденсирующего элемента (Si)

(61,03%)

Скорость роста эпитаксиального слоя Si

баланс потоков:


 


в-в диффундирующих из газового потока к поверхности подложки

СГ и СП – концентрация осаждаемого п/пр в газовой фазе и на поверхности подложки, ат/см3

α – коэф. массопереноса см/с.

 

 

 

 

в-в выпадаемого на подложке

 

kП – константа скорости поверхностной реакции

 

В стационарных условиях потоки равны

Пгп , откуда


Разделив обе части ур. на Nc ( концентрация собств.атомов в п/пр, ат/см3 )

получим

По экспериментальным данным рекомендуется принимать α=5…10

Значение kП = 107 exp(-1,9 эВ/kT)

k=8,62*10-5 эВ/к.

Концентрация собственных атомов в п/пр

Концентрация осаждаемого п/пр в газовой фазе

 


Дата добавления: 2018-09-22; просмотров: 161; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!