ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ТОКОВ И НАПРЯЖЕНИЙ ТРАНЗИСТОРА



Существуют ограничения на максимальные значения величин токов через переходы транзистора и напряжений на них. В паспортных данных транзистора указывается максимальный ток Iкmax , превышать который не разрешается. Максимально допустимое значение Uкэ определяется напряжением, при котором происходит лавинный пробой коллекторного перехода. Предельные значения Iкmax могут находится в диапазоне 0,01А - 100А для разных типов транзисторов, а напряжения Uкэ могут находится в диапазоне 10 - 1000В.

    При рассеянии электрической энергии температура транзистора повышается, что приводит к необходимости ограничивать допустимые уровни токов и напряжений. Величина максимальной мощности ограничивается максимально допустимой температурой прибора(для кремниевых транзисторов 150–200 °С). Она зависит от размеров транзистора, его конструкции и температуры окружающей среды. В транзисторе, работающем в режиме усиления, подавляющая часть рассеиваемой мощности выделяется в области коллекторного перехода. Ее можно определить по формуле P =Uкэ Iк .

    В паспортных данных транзистора указывается максимально допустимая мощность рассеивания, превышать которую не разрешается. Если рассеиваемую мощность положить равной максимально допустимой, то максимально допустимые значения напряжения тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер можно определить из соотношения:

                                             (5)

Неравенству (5) соответствует гипербола, ограничивающая область безопасной работы транзистора (рис. 19).

Рис. 19 – Область безопасной работы транзистора

Если рабочая точка находится за пределами этой области, возможен тепловой пробой транзистора. При выборе транзистора для конкретной схемы нужно определить, какие величины токов и напряжений следует ожидать в этой схеме, а затем убедиться в том, что найденные значения лежат в области безопасной работы.

У биполярных транзисторов повышение температуры вызывает увеличение начального тока, что в свою очередь может привести к дополнительному нагреву P-N перехода. Такая тепловая нестабильность может привести к тепловому пробою, разрушению транзистора. Поэтому следует принимать меры по охлаждению транзисторов, и не прилагать предельных напряжений при повышенной температуре.

ТехническиЕ средствА ДЛЯ выполнения работы.

1. Модуль ТРАНЗИСТОРЫ, модуль МУЛЬТИМЕТРЫи модульМИЛЛИАМПЕРМЕТРЫна стендахОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННИКИ - 2

ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ ЭКПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

СНЯТИЕ ВХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА

Снятие входной характеристики транзистора производится по схеме, показанной на рис.20

    Рис. 20 – Схема снятия входной характеристики биполярного транзистора

Для выполнения работы необходимо осуществить следующие действия:

1. Модуль питания стенда (220 В) QF1 установить в положение ВЫКЛЮЧЕНО. В модуле ТРАНЗИСТОРЫвыключить питание.

2. В модуле ТРАНЗИСТОРЫ извлечь из гнезд все перемычки (рис. 21).

 

    Рис.21 – Вид модуля ТРАНЗИСТОРЫ перед началом работы

 

3. Установить рычаг переключатель SA2 в нижнее положение(=U2).

4. Ручку потенциометра RP1 повернуть против часовой стрелки до упора.

5. Ручку потенциометра RP2 повернуть против часовой стрелки до упора.

6. На модуле МУЛЬТИМЕТРЫ установить переключатели режима измерения для левого и правого мультиметров в положение постоянное напряжение 20 В(рис. 22).

    Рис. 22 – Вид модуля МУЛЬТИМЕТРЫ перед началом работы

 

7. На модуле МИЛЛИАМПЕРМЕТРЫ установить переключатели масштаба измерения для левого прибора х1для правого прибора х100(предел измерений токов 100 мкА и 10 мА соответственно - рис. 23).

Рис. 23 – Вид модуля МИЛЛИАМПЕРМЕТРЫ перед началом работы

 

8.Черный щуп левого мультиметра вставить в гнездо разъема X5.

9. Красный щуп левого мультиметра вставить гнездо разъема X9.

10. Красный щуп правого мультиметра вставить гнездо разъема X4.

11. Черный щуп правого мультиметра вставить в гнездо разъема X15.

12. Соединить перемычкой гнезда разъемов X4 иX7.

13. Соединить перемычкой гнездо + левого миллиамперметра с гнездом X2.

14. Соединить перемычкой гнездо - левого миллиамперметра с гнездом X6.

15. Соединить перемычкой гнезда разъемов X6 иX11.

16. Соединить перемычкой с конденсатором гнезда разъемов X7 иX16.

 

17. Модуль питания стенда (220 В) QF1 установить в положение ВКЛЮЧЕНО.

18. Включить питание модуляТРАНЗИСТОРЫ.

19. Поворачивая ручку потенциометра RP2 по часовой стрелке установить напряжение на коллекторе транзистора EK=3В (показания правого мультиметра).

20. Поворачивая ручку потенциометра RP1 по часовой стрелке изменять напряжение на базе транзистора. Наблюдая показания левого мультиметра и левого миллиамперметра занести в таблицу 1 величины токов базы при различных напряжениях на ней.

Таблица 1- Сила тока через базу при различных напряжениях на ней.

Uб, В 0 0,2 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
Iб, мкА, Eк=3В 0                

Дата добавления: 2018-08-06; просмотров: 289; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!