Формулы пересчета h-параметров.
| H | по известным параметрам в схеме с ОБ | по известным параметрам в схеме с ОЭ | ||
| для ОЭ | для ОК | для ОБ | для ОК | |
| h11 | 
|
| 
| h11э |
| h12 | 
| 1 | 
| 1 |
| h21 | 
| 
| 
| 
|
| h22 | 
|
| 
| h21э |
Где
dhб=h11б*h22б-h12б*h22б
dhэ=h11э*h22э-h12э*h22э
Внутренние параметры можно выразить через h параметры:
Полевые транзисторы
Название произошло от того что управление этими транзисторами происходит за счет электрического поля, управляющего током канала транзистора.
Каналом называется центральная область транзистора, ток через которую управляется ее поперечным сечением (площадью канала).Электрод из которого в канал входят основные носители заряда, называют истоком, а электрод через который основные носители уходят из канала - стоком. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала называется затвором. В зависимости от проводимости канала транзисторы делятся на два типа:
1. с каналом p-типа
2. с каналом n-типа.
Устройство и работа транзистора с каналом n-типа.
Если подать напряжение между истоком и стоком, то по каналу потечет электрический ток. В область затвора ток ответвляться не будет потому, что один из n переходов будет смещен в обратном направлении. Напряжение между И и С можно подавать любой полярности, но обычно у n типа на И+ и на С-. Управляющее напряжение подается между З и И, причем такой полярности, чтобы p-n переход был смещен в обратном направлении. При подаче запирающего напряжения ширина p-n перехода увеличивается, следовательно ширина канала уменьшается и величина тока через канал также уменьшается и при достижении напряжения достаточно малой величины ток приобретает определенное конечное значение.
|
|
|
Так как переход смещен в обратном направлении транзистор имеет большое входное сопротивление 
при Uси=Const = (109-1012)Ом. 
при Uзи=Const = 50 - 200 КОм. Основным параметром является крутизна характеристики 
при Uси=Const.
Полевые транзисторы с изолированным затвором.
Отличаются тем, что канал отделен от затвора слоем диэлектрика. Их называют МДП - металл диэлектрик полупроводник или МОП - метал оксид полупроводник. Эти транзисторы также могут быть n или p типов Они делятся на 2 группы: транзисторы со встроенным каналом и транзисторы с индуцируемым каналом. Рассмотрим работу транзистора со встроенным каналом.
При подаче напряжения между истоком и стоком через канал начинает протекать определенный ток. Если подать на затвор относительно истока положительное напряжение(p-тип) то под действием электрического поля дырки будут выталкиваться из области канала в область истока-стока и подложки, т.е. канал обедняется носителями заряда и ток через него уменьшается (режим обеднения) Если относительно истока на затвор подать отрицательное напряжение, то дырки будут стягиваться в канал из истока, стока и подложки и ток через канал возрастет (режим обогащения).
|
|
|
Дата добавления: 2018-08-06; просмотров: 1084; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!