А) сульфид цинка б) арсенид индия в) арсенид галлия
Nbsp;
Вариант 1
1. Структура каких материалов характеризуется дальним порядком?
а) металлов и сплавов б) термореактивных пластмасс в) термопластичных пластмасс
г) стекла д) резины
2. От чего зависит «степень переохлаждения» расплава?
а) от температуры начала кристаллизации б) от температуры окончания кристаллизации
в) от температуры плавления г) от температурного интервала кристаллизации
д) от скорости охлаждения
3. Какие частицы образуют остов кристаллической решетки металла?
а) молекулы б) атомы в) ионы г) кристаллиты д) агломераты
4. Какие из перечисленных металлов и сплавов относятся к резистивным материалам?
а) алюминий б) нихром в) медь г) сплав МЛТ д) керметы
5. Назовите донорные примеси для кремния
а) фосфор б) бор в) алюминий г) мышьяк д) индий
6. К каким материалам по электрическим свойствам относятся ковалентные кристаллы?
а) парамагнетики б) проводники в) полупроводники г) диэлектрики д) сверхпроводники
7. Каким параметром определяется скорость намагничивания ферромагнетика?
а) коэрцитивной силой б) остаточной магнитной индукцией
в) магнитной индукцией насыщения г) рабочей индукцией д) магнитной проницаемостью
8. Как влияет наклеп на электропроводность медных сплавов?
а) не влияет б) увеличивает в) уменьшает г) снижает сопротивление
д) уменьшает плотность дефектов
9. При каком воздействии возникает наклеп?
|
|
|
а) при медленном нагревании б) при быстром охлаждении
в) при пластической деформации в холодном состоянии
г) при пластической деформации в горячем состоянии
д) при упругой деформации
10. Основные компоненты сплава латуни?
а) медь – алюминий б) медь- олово в) медь- никель г) медь-цинк д) медь-серебро
Вариант 2
1. Структура каких материалов характеризуется ближним порядком?
а) стекла б) металлы с ОЦК решеткой в) металлы с ГЦК решеткой
г) металлы с ГПУ решеткой д) металлы и сплавы
2. К каким дефектам кристаллов относятся «вакансии»?
а) дефекты упаковки б) линейные дефекты в) точечные дефекты
г) поверхностные дефекты д) объемные дефекты
3. Геометрическое место точек температур окончания кристаллизации сплавов называется
а) линия солидус б) петля гистерезиса в) линия ограниченной переменной растворимости
г) линия полиморфного превращения д) линия ликвидус
4. Сколько кристаллитов содержит монокристалл?
а) один б) два в) три г) четыре д) пять
5. К проводниковым материалам относятся
а) ферриты б) припои в) стекла г) оксиды металлов
д) высокотемпературные сверхпроводники
6. Назовите акцепторные примеси для кремния
|
|
|
а) бор б) фосфор в) индий г) сурьма д) галий
7. Как изменяется диэлектрическая проницаемость диэлектриков с ионной поляризацией при увеличении температуры?
а) уменьшается б) не изменяется в) увеличивается
г) не зависит д) зависит от материала
8. Как изменяется магнитная проницаемость ферромагнетиков при увеличении напряженности магнитного поля?
а) не зависит от напряженности поля
б) увеличивается до максимальной, затем уменьшается
в) линейно увеличивается
г) увеличивается до насыщения
д) уменьшается до минимальной, затем увеличивается
9. Какие параметры, характеризующие механические свойства материалов определяются при деформации растяжения?
а) предел прочности б) ударная вязкость в) предел текучести
г) пластичность д) твердость
10. Что такое магнитострикция?
а) отставание магнитной индукции от напряженности магнитного поля
б) разные значения магнитной проницаемости в разных направлениях
в) изменение размеров ферромагнетики под действием магнитного поля
г) не совпадение кривой намагничивания с кривой размагничивания
д) не линейная зависимость магнитной индукции от напряженности магнитного поля
|
|
|
Вариант 3
1. Параметры, характеризующие форму и размеры элементарной кристаллической ячейки.
а) плотность вакансий б) плотность дислокаций в) периоды и углы решетки
г) полиморфизм д) анизотропия
2. У каких кристаллов самая большая энергия связи?
а) молекулярных б) ионных в) ковалентных
г) металлических д) кристаллов йода
3. К каким дефектам кристаллов относятся «дислокации»?
а) поверхностные дефекты
б) объемные дефекты в) точечные дефекты
г) дефекты упаковки д) линейные дефекты
4. Какие фазы могут образовать компоненты сплава при полной взаимной нерастворимости?
а) эвтектические смеси б) твердые растворы внедрения в) химические соединения
г) твердые растворы ограниченной растворимости
д) твердые растворы неограниченной растворимости
5. Назовите энергетические зоны электронов в твердом теле, определяющие их электрические свойства?
а) зона свободных энергий б) валентная зона в) зона запрещенных энергий
г) нейтральная зона д) зона проводимости
6. Какими магнитными свойствами обладают сверхпроводники?
а) ферромагнитные б) парамагнитные в) диамагнитные
г) магнитодиэлектрики д) магнитопласты
7. Как влияют дефекты кристаллической структуры на подвижность носителей заряда в полупроводниках?
|
|
|
а) уменьшают б) увеличивают в) не изменяют
г) увеличивают подвижность «дырок» д) увеличивают подвижность электронов
8. Чем вызваны потери в диэлектрике в постоянном электрическом поле?
а) упругими поляризациями б) неупругими поляризациями в) доменной структурой
г) сквозной проводимостью д) диэлектрической проницаемостью
9. Как зависит мощность потерь на вихревые токи в ферромагнетике от удельного электрического сопротивления материала?
а) увеличивается при увеличении электрического сопротивления
б) не зависит в) уменьшается при уменьшении сопротивления
г) не изменяется д) увеличивается при уменьшении электрического сопротивления
10. Цель операции термической обработки «отжиг»?
а) увеличение размеров зерна
б) уменьшение размеров зерна
в) снятие внутренних напряжений
г) получение неравновесной структуры
д) гомогенизация
Вариант 4
1. Коэффициент компактности кристаллической структуры.
а) отношение суммарного объема атомов к объему ячейки
б) постоянная диффузии
в) плотность материала
г) отношение прочности к плотности
д) удельная прочность материала
2. К каким материалам по электрическим свойствам относятся ковалентные кристаллы?
а) проводники б) полупроводники в) диэлектрики г) сверхпроводники
д) магнитомягкие материалы
3. Какой тип дефектов отсутствует в монокристаллической структуре?
а) вакансии б) дислокации в) междуузельные атомы
г) точечные дефекты д) границы зерен
4. Как изменяется температура «солидус» при неравновесной кристаллизации?
а) увеличивается б) уменьшается в) не изменяется
г) уравновешивается д) становится равна нулю
5. Величина зоны запрещенных энергий для проводников?
а) равна 1 эВ б) больше 1эВ в) равна нулю
г) равна 3эВ д) больше 3 эВ
6. Какими магнитными свойствами обладают сверхпроводники?
а) ферромагнетики б) парамагнетики в) диамагнетики
г) магнитодиэлектрики д) магнитопласты
7. Какие из перечисленных соединений относятся к полупроводниковым бинарным соединениям А//ВY/
а) сульфид цинка б) арсенид индия в) арсенид галлия
г) селенид кадмия д) сульфид кадмия
8. Как изменяется диэлектрическая проницаемость диэлектриков с дипольно-релаксационной поляризацией при увеличении температуры?
а) уменьшается б) увеличивается в) не изменяется
г) сначала увеличивается, а затем уменьшается д) зависит от материала
9. Какие вещества из перечисленных ниже относятся к сильномагнитным?
а) ферромагнетики б) парамагнетики в) антиферромагнетики
г) диамагнетики д) ферримагнетики
10. Какой физический процесс обеспечивает результат гомогенизационного
отжига?
а) диффузия б) теплопроводность в) электропроводность
г) рекристаллизация д) первичная кристаллизация
Вариант 5
1. Зависимость свойств кристалла от направления называется……
а) анизотропия б) полиморфизм в) диффузия
г) изотропная структура д) аморфная структура
2. К каким материалам по электрическим свойствам относятся ионные кристаллы?
а) диэлектрики б) проводники в) сверхпроводники
г) полупроводники д) материалы высокой проводимости
3. От каких параметров зависит интенсивность процесса диффузии?
а) удельное электрическое сопротивление б) температура в) градиент концентрации
г) магнитная проницаемость д) энергия активации
4. В каком состоянии находится сплав при температуре между линиями «ликвидус» и «солидус»?
а) в однофазном б) в кристаллическом в) в аморфном
г) в двухфазном д) в жидком
5. При каком внешнем воздействии нарушается сверхпроводящее состояние?
а) при критической влажности воздуха б) при критическом значении силы тока
в) при критическом значении температуры г) в сильных магнитных полях
д) при критическом значении индукции магнитного поля
6. Какой тип электропроводности характерен для твердых диэлектриков?
а) ионный б) электронный в) дырочный
г) р-тип д) п-тип
7. При какой температуре самопроизвольная поляризация сегнетоэлектриков равна нулю?
а) при температуре плавления б) при температуре кипения
в) при температуре фазового перехода
г) при температуре близкой к абсолютному нулю д) при температуре точки Кюри
8. Какие материалы обладают наибольшим значением магнитной восприимчивости?
а) ферромагнетики б) ферримагнетики в) парамагнетики
г) диамагнетики д) сегнетоэлектрики
9. Недостатки магнитомягких ферритов
а) низкая температура точки Кюри
б) высокое удельное электрическое сопротивление
в) низкое удельное электрическое сопротивление
г) большая коэрцитивная сила
д) малая коэрцитивная сила
10. Основные компоненты сплава бронзы?
а) медь-олово б) медь-никель в) медь-алюминий
г) медь-бериллий д) медь-серебро
Вариант 6
1. Для каких свойств кристаллических материалов не присуща «анизотропия»?
а) тип кристаллической решетки б) прочность в) пластичность
г) магнитная проницаемость д) коэрцитивная сила
2. На какие свойства материалов влияют дефекты кристаллической структуры?
а) температура точки Кюри б) прочность в) температура плавления
г) магнитная проницаемость д) удельное электрическое сопротивление
3. Сколько электронов в атоме могут находиться на одном энергетическом уровне?
а) один б) два в) три
г) четыре д) пять
4. Как изменяется удельное сопротивление металлов при увеличении температуры выше температуры Дебая?
а) уменьшается б) не изменяется в) линейно растет
г) растет экспоненциально д) падает до нуля
5. Какие из перечисленных требований предъявляются к материалам для разрывных контактов
а) высокая индукция насыщения б) высокая удельная проводимость
в) стойкость к электрической эрозии г) высокая температура плавления
д) высокая магнитная проницаемость
6. Какие из перечисленных соединений относятся к полупроводниковым бинарным соединениям А///ВY
Дата добавления: 2018-08-06; просмотров: 805; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!