Температурный коэффициент напряжения туннельного пробоя.Температурный коэффициент
Напряжения лавинного пробоя. Тепловой пробой
Одной из отличительных особенностей лавинного и туннельного пробоев яв-ся разный знак температурного коэффициента пробивного напряжения. Это объясняется тем, что напряжение туннельного пробоя находится в прямой зависимости от ширины з.з., поэтому уменьшение величины з с ростом температуры вызывает уменьшение Uz . Напряжение лавинного пробоя находится в обратной зависимости от подвижности, поэтому уменьшение величины µ с ростом температуры вызывает увеличение UM.
В основе теплового пробоя лежит саморазогрев перехода при протекании обратного тока. С ростом температуры обратные токи резко возрастают, и соответственно увеличивается мощность, рассеиваемая в переходе; это вызывает дополнительный рост температуры и т.д. Тепловой пробой может начаться лишь тогда, когда обратный ток уже приобрел достаточно большую величину в результате лавинного или туннельного пробоя.
Важной особенностью ВАХ яв-ся обратная зависимость м/у прямым напряжением и тепловым током: чем меньше тепловой ток, тем больше прямое напряжение и наоборот. Еще один факт, что прямое напряжение уменьшается с увеличением площади перехода
33.Инерционные свойства p-n перехода. Барьерная емкость. Вольт-фарадные характеристики перехода.
Инерционные свойства электронно-дырочного перехода
Электронно-дырочного переход является инерционным элементом по отношению к быстрым изменениям тока или напряжения, поскольку новое распределение носителей заряда устанавливается не сразу. Инерционность процессов обусловлена следующими явлениями:
|
|
1) накоплением и рассасыванием неосновных носителей заряда в базе в процессе их инжекции или экстракции. Движение носителей в базе определяется законами диффузии и происходит относительно медленно.
2) перераспределением носителей заряда в области перехода.
Следовательно, электронно-дырочный переход наряду с проворностью, обладает электрической емкостью. Условно говоря, можно считать эту емкость подключенной параллельно р-н-переходу.
Барьерная (зарядная) емкость определяется изменением нескомпенсированного заряда ионов при изменении ширины запирающего слоя под воздействием внешнего обратного напряжения. Поэтому идеальный электронно-дырочный переход можно рассматривать как плоский конденсатор, емкость которого определяется соотношением:
Барьерная емкость обусловлена токами смещения, а диффузионная - токами проводимости
Зависимость емкости от напряжения называется вольт- фарадыой характеристикой (рис. 6.24). Форма вольт-фараднойхарактеристики зависит от распределения концентрации примесей в пер” ходе
|
|
Вольт-фарадпая характеристика
Диф емкость.
Обусловлена возрастанием заряда в базе за счет инжекции и диффузии нз, определяется зарядом неосновных нз, накопленных в базе.
Для малого синусоидального сигнала ( ) на низких частотах
При больших сигналах ( ):
Диф емкость яв-ся функцией прямого тока.
Эквивалентные схемы а) идеализированный переход, большой сигнал , где конденсатор С=Сбар+Сдф б) идеализированный, малый сигнал, где в) реальный, большой сигнал, учитывается сопротивление базы. |
35. Переходные процессы.
Рассм переход, представленный в виде эквивалентной схемы. На переход от генератора, через внеш резистор R, подается импульсное напряжение Uг(t)
Дата добавления: 2018-05-13; просмотров: 741; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!