Запишите уравнения Хови-Вилана для идеального кристалла в двухлучевом приближении и расшифруйте использованные обозначения.



Уравнение Хови-Уиллана для совершенного кристалла в двухлуч. приближении имеет вид:

1)  ;

1/ξ±g = (-2m/h2k)U±g – длина рассеяния на плоскости (ξ±g– длина экстинкции); ψ0(z) – амплитуда падающего пучка, ψ0(z) – амплитуда дифрагированного пучка; образец делится на толщины dz– соответственно z - координата. Уравнение 2 описывает вклад рассеяния в прямом направлении, а уравнение 1 – вклад брэгговского рассеяния.

3. Запишите уравнения Хови-Вилана для неидеального кристалла в двухлучевом приближении и расшифруйте использованные обозначения.

В уравнение Хови-Уэлана вводим функцию учитывающую несовершенства кристалла:

Где dgu/dz – производная по смещению – деформация, ………………..

4. С чем связаны осцилляции интенсивности падающей и дифрагированной волн в совершенном кристалле?

Как меняется период осцилляций интенсивности падающей волны при увеличении углового отклонения от точного брегговского положения?

Период осцилляции меняется по формуле:

Если отклонение s<<1/ξj, то период осцилляции – экстинкционная длина. Увеличивая угловое отклонение период тоже увеличивается.

С чем связаны экстинкционные полосы на электронномикроскопических изображениях? Когда они проявляются?

Изгибы металлической фольги приводят к появлению темных изгибных экстинкционных контуров, из за того, что на некоторых участках будет выполняться условие ВБ. В случае кристалла переменной толщины (край фольги, наклонная граница зерна) появляются толщинныеэкстинкционные контуры, связанные с интерференцией электронов. При прохождении сравнительно толстого участка образца энергия дифрагированного излучения – падает, с уменшением – растет. Толщина кристалла при которой интенсивность дифрагированных лучей становится равна нулю называется длиной экстинкции.

Каков порядок экстинкционных длин в электронной микроскопии? Как меняется длина экстинкции с ростом порядкового номера?

Длина экстинкции равна: ;Vяч – объем элементарной ячейки, Θ – дифракционный угол, λ – длина волны излучения, FHKL– структурная амплитуда отражения (HKL). Локальное изменение экстинкционной длины в месте залегания частицы можно представить как именение толщины кристалла в этом участке на величину Δt=ξgmh(1/ξgb-1ξgm). Наиболее сильно интенсивность дифрагированного излучения меняется при t/ξgm = ¼, ¾, …

Для более тяжелых частиц контраст такой же как и для толстых участков образца. Чем больше атом, тем меньше экстинкционная длина и меньше структурная амплитуда.

Каковы причины формирования ориентационного контраста?

Различие кристаллической структуры матрицы и фазы находящиеся в различном положении по отношению к ориентировке, соответствующей точному Брегговскому положению. Когда интенсивность дифрагированного излучения в области расположения частицы больше чем вдали от частицы.


Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 617; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!