Это цепочка последовательно соединенных диодов, служат для увеличения обратного напряжения
Тест 2
1. Область науки и техники, изучающая физические явления в полупроводниковых и электровакуумных приборах это ? (Электроника)
2. На чем основана работа полупроводниковых приборов:
1) на использовании электрических свойств полупроводниковых материалов;
2) на использовании электромагнитных свойств полупроводниковых материалов;
3) на использовании магнитных свойств полупроводниковых материалов;
3. Какое место занимают полупроводниковые материалы по электропроводности:
1) между металлами и диэлектриками;
2) между проводниками и диэлектриками;
3) между металлами и проводниками;
4. Удельное электрическое сопротивление полупроводников при комнатной температуре лежит в пределах ____________? (10-3 — 1010 Ом см);10-2 — 1010 Ом см; 10-3 — 1015 Ом см; 10-2 — 1011 Ом см;
5. В качестве полупроводниковых веществ используются:
1) кремнии;
2) германий;
3) селен;
4) все варианты;
6. Электропроводность чистых однородных полупроводников при температуре, отличной от абсолютного нуля, обусловлена:
1) образование свободных носителей заряда, электронов;
2) образованием свободных носителей заряда, дырок;
1) попарным образованием свободных носителей заряда ,электронов и дырок;
7. Свободные носители заряда в полупроводниках образуются в результате отрыва электронов от собственных или примесных атомов. Такой процесс называется ? (Генерация)
8. Воссоединение или исчезновение пары носителей заряда при встрече свободного электрона с дыркой.Такой процесс называется ? (Рекомбинация)
|
|
|
9. Электропроводность чистого полупроводника называется________? (Собственной)
10. Что происходит в полупроводниках при приложении внешнего электрического поля:
1) движение свободных носителей зарядов упорядочивается, электроны и дырки движутся во взаимно противоположных направлениях вдоль силовой линии электрического поля;
2) движение свободных носителей зарядов упорядочивается, электроны и дырки движутся в одном направлении вдоль силовой линии электрического поля;
3) движение свободных зарядов упорядочивается, электроны и дырки движутся во взаимно противоположных направлениях вдоль силовой линии электромагнитного поля;
4) движение свободных зарядов упорядочивается, электроны и дырки движутся в одном направлении вдоль силовой линии электромагнитного поля;
11. При обычных температурах количество свободных электронов и дырок в чистом полупроводнике равно _________? 1016— 1018 в 1 см3вещества;1010— 1018 в 1 см3вещества; 1016— 1015 в 1 см3вещества; 1018— 1010 в 1 см3вещества;
12. Введением каких веществ, существенно изменяют электрические свойства полупроводников:
|
|
|
1) элементы V группы периодической системы таблицы Менделеева;
2) элементы III группы периодической системы таблицы Менделеева;
3) элементы III и V групп периодической системы таблицы Менделеева;
13. Электропроводностью типа n, обусловленная переходом валентных электронов в зону проводимости называется ? (электронная электропроводность)
14. Свободные носители заряда, концентрация которых выше, называются основными носителями, а с меньшей концентрацией (дырки) –неосновными
15. Электропроводностью p-типа, где дырки – основные носители заряда это ?(дырочная электропроводность)
16. Что такое донорные и акцепторные примеси:
1) донорные – отдающие электрон, акцепторные – принимающие электрон;
2) донорные – принимающие электрон, акцепторные – отдающие электрон;
3) нет правильного варианта;
17. Область раздела двух полупроводников с проводимостямиp- и n-типа это ?(электронно-дырочные переход)
18. Что такое полупроводниковый диод:
1) это прибор с одним р-n-переходом и двумя выводами;
2) это прибор с одним р-n-переходом и одним выводом;
3) это прибор с р – типа переходом и двумя выводами;
4) это прибор с n – типа переходом и одним выводами;
|
|
|
19. Что лежит в основе работы полупроводникового диода:
1) магнитные свойства р-n-перехода
2) электрические свойства р-n-перехода;
3) электромагнитные свойства р-n-перехода;
20. Что такое запирающий слой и какова его толщина:
1) слой, имеющий подвижные носители заряда, с толщиной несколько микрометров
2) слой, лишенный подвижных носителей заряда, с толщиной несколько микросантиметров
3) слой, лишенный подвижных носителей заряда, с толщиной несколько микрометров
4)слой, имеющий подвижные носители заряда, с толщиной несколько микросантиметров;
21. Контактная разность потенциалов это ?(потенциальный барьер)
22. Дрейфовый ток Iдр обусловлен ?(градиентом электрического поля)
23. Диффузионный токIдиф обусловлен ?(градиентом концентрации)
24. В чем заключается динамическое равновесие в полупроводниках ?( 
)
25. Что такое прямой ток в полупроводнике:
1) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;
2) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;
3) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;
|
|
|
4) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;
26. При каких условиях p-n-переход называется открытым или смещенным в прямом направлении:
1) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, совпадающем с полем двойного электрического слоя;
2) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, противоположном полю двойного электрического слоя;
3) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, совпадающем с полем двойного магнитного слоя;
4) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, противоположном полю двойного магнитного слоя;
27. Что такое обратный ток в полупроводнике:
1) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;
2) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;
3) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;
4) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;
28. При каких условиях p-n-переход называется закрытым или смещенным в обратном направлении:
1) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электрическое поле напряженностьюEвн, совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряженностью Eзап;
2) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электрическое поле напряженность Eвн, противоположное по направлению с полем неподвижных ионов напряженностью Eзап;
3) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электромагнитное поле напряженностью Eвн, совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряженностью Eзап;
4) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электромагнитное поле напряженностью Eвн, противоположное по направлению с полем неподвижных ионов напряженностью Eзап;
29. Значительное уменьшение обратного сопротивления, сопровождающееся возрастанием обратного тока при увеличении приложенного напряжения это ?( пробой p-n-перехода)
30. Лавинообразное размножение носителей заряда — электронов и дырок, приводящее к резкому увеличению обратного тока через р-n-переход при почти неизменном обратном напряжении называется ? (лавинным пробоем)
31. Пробой характерный обратимостью, заключающуюся в том, что первоначальные свойства р-n-перехода полностью восстанавливаются, если снизить напряжение на диоде. Такой пробой называется ?(электрически лавинным)
32. При недостаточном отводе тепла, вызванного относительно большим обратным током, р-n-переход разогревается. В результате этого усиливается процесс генерации электронно-дырочных пар, что приводит к дальнейшему увеличению тока и температуры и в итоге к необратимому разрушению р-n-перехода.Такой пробой называется ? (теплов лавинный)
33. От чего зависит значение электрической емкости p-n-перехода:
1) От длины и ширины, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя
2) От высоты и ширины, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя
3) От площади и ширины, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя
34. Что происходит с электрической емкостью p-n-перехода, при увеличении обратного напряжения:
1) длина р-n- перехода возрастает, и емкость р-п-перехода уменьшается
2) ширина р-n- перехода возрастает, и емкость р-п-перехода уменьшается
3) длина р-n- перехода уменьшается, и емкость р-п-перехода увеличивается
4) ширина р-n- перехода уменьшается, и емкость р-п-перехода увеличивается
35. Что такое переход Шоттки:
1) переход на основе контакта проводник — полупроводник
2) переход на основе контакта диэлектрик — полупроводник
3) переход на основе контакта металл — полупроводник
36. В чем заключается преимущества свойств перехода Шоттки при создании полупроводниковых приборов:
1) малое падение напряжения при прямом включении;
2) высокий ток утечки;
3) очень маленький заряд обратного восстановления;
4) все варианты;
37. В чем заключается технология изготовления точечных полупроводниковых диодов:
1) В точечном полупроводниковом диоде используется пластинка германия или кремния с электропроводностью п - типа толщиной 0,1 — 0,6 мм и площадью 0,5 — 1,5 мм2 . В пластинку вплавляется заостренная игла из металла или сплава с содержанием необходимых примесей . В процессе в плавления в кристалле полупроводника в области контакта с иглой образуется слой р-типа.
2) В точечном полупроводниковом диоде используется пластинка германия или кремния с электропроводностью п - типа толщиной 0,5 — 0,6 мм и площадью 1 — 1,5 мм2 . В пластинку вплавляется заостренная игла из металла или сплава с содержанием необходимых примесей . В процессе в плавления в кристалле полу про водника в области контакта с иглой образуется слой р-типа
3) В точечном полупроводниковом диоде используется пластинка германия или кремния с электропроводностью п - типа толщиной 0,3 — 0,6 мм и площадью 0,2 — 1,5 мм2 . В пластинку вплавляется заостренная игла из металла или сплава с содержанием необходимых примесей . В процессе в плавления в кристалле полу про водника в области контакта с иглой образуется слой р-типа
38. В чем заключается технология изготовления плоскостных полупроводниковых диодов:
1) На поверхности квадратной пластинки площадью 3-4 мм2 и толщиной в несколько долей миллиметра, вырезанной из кристалла полупроводника с электронной проводимостью, расплавляют маленький кусочек индия. Индий крепко сплавляется с пластинкой. При этом атомы индия проникают (диффундируют) в толщу пластинки, образуя в ней область спреобладанием дырочной проводимости
2) На поверхности квадратной пластинки площадью 1-4 мм2 и толщиной в несколько долей миллиметра, вырезанной из кристалла полупроводника с электронной проводимостью, расплавляют маленький кусочек индия. Индий крепко сплавляется с пластинкой. При этом атомы индия проникают (диффундируют) в толщу пластинки, образуя в ней область спреобладанием дырочной проводимости
3) На поверхности квадратной пластинки площадью 2-4 мм2 и толщиной в несколько долей миллиметра, вырезанной из кристалла полупроводника с электронной проводимостью, расплавляют маленький кусочек индия. Индий крепко сплавляется с пластинкой. При этом атомы индия проникают (диффундируют) в толщу пластинки, образуя в ней область с преобладанием дырочной проводимости
39. Для сохранения работоспособности германиевого диода его температура не должна превышать _________? (85° С)
40. Кремниевые диоды могут работать при температуре до _________? (150° С)
41. Какие специальные меры принимают для уменьшения разогрева мощных диодов прямым током:
1) монтаж на радиаторах;
2) обдув;
3) все варианты;
42. Большинство диодов может надежно работать при обратных напряжениях, не превышающих _________ пробивного напряжения? (0,7 - 0,8)
43. При приложении к p-n- переходу больших обратных напряжений, это может вызвать:
1) чрезмерный разогрев диода
2) разрушение р-п-перехода
Все варианты
44. Полупроводниковые диоды, предназначенные для выпрямления переменного тока называются ?(выпрямительными диодами)
45. В качестве выпрямительных диодов наиболее часто используются ________? (плоскостные диоды)
46. Основными параметрами выпрямительных диодов являются:
1) прямое напряжение 
;
2) максимально допустимый прямой ток диода 
;
3) максимально допустимое обратное напряжение диода Uo6p макс;
4) обратный ток диода 
47. Для получения более высокого обратного напряжения полупроводниковые диоды можно включать _____________? (Последовательно)
48. Что такое диодные столбы, и для чего они применяются:
1) Это цепочка параллельно соединенных диодов, служат для увеличения обратного напряжения
2) Это цепочка последовательно соединенных диодов, служат для уменьшения обратного напряжения
Это цепочка последовательно соединенных диодов, служат для увеличения обратного напряжения
4) Это цепочка параллельно соединенных диодов, служат для уменьшения обратного напряжения
49. Что такое силовые диодные сборки, для чего они применяются:
Дата добавления: 2018-05-09; просмотров: 576; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!